【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及p型sic晶体、晶锭、晶棒和晶圆；低电阻率sic晶体、晶锭、晶棒和晶圆；制造p型sic晶体、晶锭、晶棒和晶圆的方法；制造低电阻率sic晶体、晶锭、晶棒和晶圆的方法；以及由这些晶圆制成的设备和这些晶圆的用途。
技术介绍
1、纯晶体碳化硅(sic)是电中性的，即晶体材料中的正电荷和负电荷平衡。通常，为了在半导体二极管和晶体管的制造中有用，在sic晶体生长工艺期间，杂质被添加到sic晶体中，以在晶体内产生电荷不平衡，这会影响sic的导电性。为sic添加正电荷的杂质原子被称为施主原子。通常，施主原子由周期表中包含si和c的列右边的列(例如，第15列，v a)来标识。用于sic的典型的施主原子是氮(n)和磷(p)。为sic增加负电荷的杂质原子被称为受主原子。通常，受主原子由周期表中包含si和c的列左边的列(例如第13列或iii a)来标识。用于sic的典型的受主原子是硼(b)和铝(al)。sic晶体通常会同时包含施主原子杂质和受主原子杂质。对于施主杂质原子或受主杂质原子来说，为了影响晶体中的净电荷并且变成电活性的(即影响晶体的电导率...
【技术保护点】
1.一种制造具有预先确定的电学性质的SiC晶体的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源材料实质上由硅、碳和所述掺杂剂组成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源材料由硅、碳和所述掺杂剂组成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂包括周期表第15族中的元素中的一种或多种元素。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂包括磷。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂实质上由磷组成。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造具有预先确定的电学性质的sic晶体的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源材料实质上由硅、碳和所述掺杂剂组成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源材料由硅、碳和所述掺杂剂组成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂包括周期表第15族中的元素中的一种或多种元素。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂包括磷。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂实质上由磷组成。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂由磷组成。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂包括周期表第13族中的元素中的一种或多种元素。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂包括硼。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂实质上由硼组成。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂由硼组成。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂包括铝。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂实质上由铝组成。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述掺杂剂由铝组成。
15.根据权利要求1至3和8至14中任一项所述的方法，其中，所述预先确定的电学性质包括净电荷，并且所述净电荷为正，由此所述晶体为p型晶体。
16.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述预先确定的电学性质包括净电荷，并且所述净电荷为负，由此所述晶体为n型晶体。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其中，所述预先确定的电学性质包括电阻率。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，其中，所述预先确定的电学性质包括0.013欧姆-厘米和更小的电阻率。
19.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，其中，所述预先确定的电学性质包括约0.010欧姆-厘米和更小的电阻率。
20.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，其中，所述预先确定的电学性质包括约0.01欧姆-厘米至约0.001欧姆-厘米的电阻率。
21.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，其中，所述预先确定的电学性质包括约0.009欧姆-厘米至约0.004欧姆-厘米的电阻率。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的方法，其中，在所述通量由所述源材料形成之后，不向所述通量中添加其它材料。
23.根据权利要求1至22中任一项所述的方法，其中，不向所述气相沉积装置中添加其它材料。
24.根据权利要求1至23中任一项所述的方法，其中，所述sic源材料是所述掺杂剂的唯一源。
25.根据权利要求1至24中任一项所述的方法，其中，不存在合金，并且由此所述方法是无合金的。
26.根据权利要求1至25中任一项所述的方法，其中，所述气相沉积装置是物理气相输运装置。
27.根据权利要求1至26中任一项所述的方法，其中，所述通量是方向型通量。
28.根据权利要求1至27中任一项所述的方法，其中，所述sic源材料是成形装料。
29.根据权利要求1至28中任一项所述的方法，其中，所述晶体具有至少约100mm的直径和至少约25mm的高度。
30.根据权利要求1至29中任一项所述的方法，其中，所述晶体具有约100mm至约150mm的直径和约25mm至约125mm的高度。
31.一种制造p型sic晶体的方法，所述方法包括：
32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述受主原子包括硼。
33.根据权利要求31和33中任一项所述的方法，其中，所述受主原子包括铝。
34.根据权利要求31至33中任一项所述的方法，其中，所述源材料不包含合金。
35.根据权利要求31至34中任一项所述的方法，其中，所述源材料是受主原子的唯一源。
36.根据权利要求31至35中任一项所述的方法，其中，所述气相沉积装置是物理气相输运装置。
37.根据权利要求31至36中任一项所述的方法，其中，向所述气相沉积装置中添加...
【专利技术属性】
技术研发人员：达伦·汉森，道格拉斯·杜克斯，马克·罗波达，马克·兰德，胡安·卡洛斯·罗霍，维克托·托里斯，
申请(专利权)人：帕里杜斯有限公司，
类型：发明
国别省市：
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