基板的液体处理装置和液体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板的液体处理装置和液体处理方法。该基板的液体处理装置及液体处理方法在对晶圆的周缘部分进行处理的情况下，能够充分地对基板进行高温处理，并且，能够充分地抑制微粒附着在基板的表面上。基板的液体处理装置（１）包括用于保持基板（Ｗ）的保持部（１０）、用于使保持部（１０）旋转的旋转驱动部（２０）以及遮蔽单元（３９）。遮蔽单元（３９）包括与由保持部（１０）保持的基板（Ｗ）相对的相对板（３２）、用于隔着相对板（３２）对基板（Ｗ）加热的加热部分（３１）以及用于向所保持的基板（Ｗ）的表面供给加热后的气体的加热气体供给部分（３２ａ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过向半导体晶圆等基板的周缘部分供给处理液来对该基板进行处 理的。
技术介绍
以往，公知有通过向半导体晶圆等基板(以下也称作晶圆)供给处理液来对该基 板进行处理这样的基板的液体处理装置。该基板的液体处理装置包括用于将一片晶圆保持 为大致水平状态的保持部以及使保持部以沿铅垂方向延伸的轴线为中心旋转的旋转驱动 部，通过旋转驱动部使保持部旋转，使得由该保持部保持为大致水平状态的晶圆以沿铅垂 方向延伸的轴线为中心旋转。另外，在上述液体处理装置中设有向由保持部保持的晶圆的 表面、背面供给清洗液、药液等处理液的处理液供给部。通过一边使晶圆旋转、一边由处理 液供给部向晶圆供给处理液，能够对晶圆进行清洗处理、药液处理等。另外，在以往的基板的液体处理装置中，为了在处理晶圆时防止微粒附着在晶圆 的表面上，利用下行风(down flow)方式向利用保持部保持的晶圆的表面供给清洁空气、N2 气等气体，抑制微粒附着在晶圆的表面上。另外，在对晶圆进行高温处理的情况下，还公知有预先对利用处理液供给部向晶 圆供给的处理液进行加热(例如参照专利文献1)。在利用处理液供给部向晶圆供给高温的 处理液时，热量自该处理液被传递到晶圆上，从而，能够一边加热晶圆、一边对该晶圆进行处理。专利文献1 日本特开2003-115474号公报在以往的基板的液体处理装置中，在利用下行风方式向由保持部保持的晶圆的表 面供给清洁空气、N2气等气体来抑制微粒附着在晶圆的表面上时，被供给到晶圆的表面上 的气体的流量越多，越能够进一步抑制微粒附着在晶圆的表面上。但是，在对晶圆进行高温 处理时，被供给到晶圆表面的气体是常温气体，因此存在整个晶圆的温度难以上升这样的 问题。特别是在利用以往的基板的液体处理装置对晶圆进行处理时，在对晶圆的周缘部 分进行处理的情况下，一边使晶圆旋转并向该晶圆的表面供给常温的清洁气体、N2气等气 体、一边利用处理液供给部向晶圆的周缘部分供给处理液。在此，所谓晶圆的周缘部分是指 晶圆上的无法得到半导体产品那样的外周缘附近的部分。但是，在对晶圆进行高温处理时， 即使向晶圆的周缘部分供给高温的处理液，晶圆的中心部分附近也不会被处理液加热，因 此，存在整个晶圆的温度难以上升这样的问题。
技术实现思路
本专利技术即是考虑到这一点而做成的，其目的在于提供一种在对晶圆的周缘部分进 行处理的情况下能够充分地对晶圆进行高温处理、而且能够充分地抑制微粒附着在晶圆的 表面上的。本专利技术的基板的液体处理装置的特征在于，包括保持部，其用于保持基板 ’旋转 驱动部，其用于使上述保持部旋转；处理液供给部，其用于向由上述保持部保持的基板的周 缘部分供给处理液；遮蔽单元，其包括与由上述保持部保持的基板相对的相对板、用于隔着 上述相对板来加热基板的加热部分以及用于向所保持的基板的表面供给加热后的气体的 加热气体供给部分。在本专利技术的基板的液体处理装置中，上述遮蔽单元也可以还具有用于将气体导入 到该遮蔽单元内的气体导入部分，在上述遮蔽单元中，在该遮蔽单元内对被上述气体导入 部分导入到上述遮蔽单元内的气体进行加热，利用上述加热气体供给部分将该加热后的气 体供给到基板上。在本专利技术的基板的液体处理装置中，在上述遮蔽单元中，在上述加热部分隔着上 述相对板加热基板时，上述加热部分对基板的周缘部分进行加热，上述加热气体供给部分 将加热后的气体供给到基板的表面上的比由上述处理液供给部供给处理液的部位靠内侧 且比与上述保持部接触的区域靠外侧的区域。在这种情况下，上述相对板的直径大于上述保持部的直径，在由上述保持部保持 的基板与上述相对板之间设有隔热构件，该隔热构件的直径小于基板的直径且大于上述保 持部的直径。另外，上述遮蔽单元也可以还具有用于使被上述气体导入部分导入到该遮蔽单元 内的气体迂回的迂回板，在上述遮蔽单元中，被上述气体导入部分导入到上述遮蔽单元内 的气体利用上述迂回板迂回，被从上述加热气体供给部分被供给到基板上。另外，上述遮蔽单元也可以具有利用上述加热部分被加热的加热构件，该加热构 件用于与被上述气体导入部分导入到上述遮蔽单元内的气体接触，在上述遮蔽单元中，被 上述气体导入部分导入到上述遮蔽单元内的气体通过与被上述加热部分加热后的上述加 热构件接触而被加热。在这种情况下，上述加热构件也可以是加热散热片，该加热散热片具有散热片部 分，该散热片部分沿着自由上述保持部保持的基板的中心部分朝向周缘部分的方向分多层 设置，通过气体沿着上述加热散热片的上述各散热片部分流动，该气体被上述加热散热片 加热。此时，上述加热散热片的各散热片部分也可以被设置成沿着由上述保持部保持的 基板的周向延伸。在本专利技术的基板的液体处理装置中，上述遮蔽单元的上述加热气体供给部分也可 以向由上述保持部保持的基板表面的中心部分供给加热后的气体。在本专利技术的基板的液体处理装置中，也可以还包括排气部，该排气部用于排出被 上述遮蔽单元的上述加热气体供给部分供给到由上述保持部保持的基板的表面的加热后 的气体。本专利技术的基板的液体处理方法的特征在于，包括以下步骤由保持部保持基板； 让用于保持基板的上述保持部旋转；向由上述保持部保持的基板的周缘部分供给处理液； 利用遮蔽单元的加热部分，隔着与由上述保持部保持的基板相对配置的相对板来加热该基 板；向由上述保持部保持的基板供给加热后的气体。在本专利技术的基板的液体处理方法中，上述遮蔽单元也可以还具有用于将气体导入到该遮蔽单元内的气体导入部分，在向由上述保持部保持的基板供给加热后的气体时，在 该遮蔽单元内对被上述气体导入部分导入到上述遮蔽单元内的气体进行加热，并将该加热 后的气体供给到基板上。在本专利技术的基板的液体处理方法中，在利用遮蔽单元的加热部分隔着与由上述保 持部保持的基板相对配置的相对板加热基板时，对基板的周缘部分进行加热，在向由上述 保持部保持的基板供给加热后的气体时，将加热后的气体供给到基板的表面上的比由上述 处理液供给部供给处理液的部位靠内侧且比与上述保持部接触的区域靠外侧的区域。在这种情况下，上述相对板的直径大于上述保持部的直径，在由上述保持部保持 的基板与上述相对板之间设有隔热构件，该隔热构件的直径小于基板的直径且大于上述保 持部的直径。另外，上述遮蔽单元也可以还具有用于使被上述气体导入部分导入到该遮蔽单元 内的气体迂回的迂回板，在向由上述保持部保持的基板供给加热后的气体时，利用上述迂回 板使被上述气体导入部分导入到上述遮蔽单元内的气体迂回，之后将气体供给到基板上。另外，上述遮蔽单元也可以具有被上述加热部分加热的加热构件，该加热构件用 于与被上述气体导入部分导入到上述遮蔽单元内的气体接触，在向由上述保持部保持的基 板供给加热后的气体时，通过使被上述气体导入部分导入到上述遮蔽单元内的气体与被上 述加热部分加热后的上述加热构件接触来加热该气体。在本专利技术的基板的液体处理方法中，也可以在向由上述保持部保持的基板表面供 给加热后的气体时，向由上述保持部保持的基板表面的中心部分供给加热后的气体。在本专利技术的基板的液体处理方法中，也可以在向由上述保持部保持的基板表面供 给加热后的气体时，利用排气部排出被供给到由上述保持部保持的基板的表面上的加热后 的气体。采用本专利技术的，在对基板的周缘部分进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板的液体处理装置，其特征在于，包括：保持部，其用于保持基板；旋转驱动部，其用于使上述保持部旋转；处理液供给部，其用于向由上述保持部保持的基板的周缘部分供给处理液；以及遮蔽单元，其包括与由上述保持部保持的基板相对的相对板、用于隔着上述相对板来加热基板的加热部分以及用于向所保持的基板表面供给加热后的气体的加热气体供给部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：天野嘉文，水野刚资，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]