东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 本发明提供压力检测系统和温度传感器的组合体以及立式热处理装置。该立式热处理装置以简单的构造设有用于检测炉主体和处理容器之间的空间内的压力的压力检测传感器。立式热处理装置包括具有加热元件的炉主体和用于收容被处理体而对其实施热处理的、配置在...
  • 本发明提供测温用探头、测温系统及采用了该探头的测温方法。该测温用探头不需要用于设定光路长度的复杂的操作,而且,对测温对象物的制约较少,应用范围较广。该测温用探头利用低相干光的干涉,其中,包括:抵接构件(71),其与测温对象物的表面抵接而...
  • 本发明提供一种等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置,在蚀刻含有无机膜与有机膜的积层遮罩膜而形成线部时,或者蚀刻遮罩膜而形成邻接线部的间隔不同的多种线部时,可以独立控制晶片面内的线部的线宽及高度的分布。所述等离子蚀刻方法通过对基板(W)照射含有...
  • 本发明提供立式热处理装置及其冷却方法。其一边将炉主体和处理容器之间的空间内高精度地保持为微负压一边对该空间内进行强制冷却。立式热处理装置包括具有加热元件的炉主体和用于收容被处理体而对其实施热处理的、配置在炉主体内的处理容器。在炉主体上连...
  • 本发明提供在基板上进行液处理的液处理装置中,在构成装置的各部处于无法使用的状态时,能够抑制生产率降低的装置。构成具备第一喷嘴、第二喷嘴的液处理装置。在该液处理装置中,控制基板搬送机构,通常状态下,在第一罩组和第二罩组之间交替交接基板,在...
  • 本发明提供一种具有适合等离子体处理的膜厚的导热片的聚焦环。在等离子体处理装置(10)中,聚焦环(25)包围在具有制冷剂室(26)的基座(12)上载置的晶片W的外周,并具备与基座(12)接触的基座接触面(40)、和形成在该基座接触面(40...
  • 本发明提供一种通过加热器对被处理体进行热处理时,能够抑制该被处理体间的热经历的差异,进一步能够防止装置大型化的技术。构成具有根据由该电压检测部检测出的电压检测值与预先决定的基准电压的比率对应而生成的第1修正值,乘以根据上述加热器的电阻值...
  • 本发明提供一种能够准确地测量因特定的原因产生的微粒的数量的微粒数测量方法。通过玻璃窗(24)向主排气管(16)内照射激光(25),利用光检测器(21)接收从与该激光(25)交叉的微粒(P1、P2)产生的散射光(L1、L2),根据所接收的...
  • 本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中,改良在晶片W上的光致...
  • 本发明提供基板处理装置、基板处理方法和存储介质。本发明提供在反复进行从模块组中编号顺序小的模块向编号顺序大的模块依次搬送基板的搬送循环的基板处理装置中,在出现不能够使用的模块,之后该模块变得能够使用时,能够以高生产率处理基板的技术。控制...
  • 本发明提供一种处理装置,具备使操作容易且不成为产生微粒的原因,能够适用于大型处理容器的防止散热构造。抑制散热单元(105)以覆盖处理容器(101)的各侧壁(101b)的外壁面的一部分或大致全部面的方式沿着侧壁(101b)配置。抑制散热单...
  • 本发明提供罩固定工具及电感耦合等离子处理装置。罩固定工具在电感耦合等离子处理装置中能抑制覆盖窗部件的下表面的罩的破损和微粒的产生,容易地装拆罩并提高气体导入的设计自由度。电介体罩固定工具(18)具备对第一部分罩(12A)的一部分及第二部...
  • 本发明提供一种能够抑制显影液的使用量且快速地在基板的整个表面上形成显影液的液膜的显影装置和显影方法。该显影装置包括:气密的处理容器,其用于形成处理气氛;调温板,其设在上述处理容器内,用于载置基板;气氛气体供给部,其用于向上述处理容器内供...
  • 本发明提供一种在基板整个表面形成均匀性高的显影液的液膜并且得到高的生产率的涂覆-显影装置和显影方法。涂覆-显影装置包括:显影组件;清洗组件;向上述清洗组件输送由上述显影组件进行了显影的基板的输送机构,上述显影组件包括:形成处理气氛的气密...
  • 本发明提供一种即使是大型探针卡也能确保足够的机械强度,并且能够顺利地进行探针卡的更换操作的探针卡的输送机构。本发明的探针卡的输送机构包括:输送探针卡的第一卡输送机构(11);和在第一卡输送机构(11)与嵌入环(54)之间输送探针卡(56...
  • 本发明提供一种减压干燥方法和减压干燥装置。在被处理基板上形成的涂覆膜上实施干燥处理的减压干燥装置中,能够提高干燥处理后的涂覆膜的面内均匀性,提高配线图案形成过程中所述涂覆膜的残留膜厚和线宽的均匀性。在将形成有涂覆膜的基板(G)收纳在腔室...
  • 本发明提供气体簇射用构造体和基板处理装置。该构造体将基座板层叠在顶板上而形成,用于呈簇射状向处理气氛供给气体,能不受组装误差的影响而将两板的压接力设定为适当的大小,且能防止固定两者的固定构件与顶板之间的摩擦。从顶板的下表面侧插入螺纹构件...
  • 具有冷却板和热板的加热装置中,利用气体使基板从冷却板和热板上浮起,通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动,实现加热装置的薄型化。加热装置(2)中,在冷却板(3)和热板(6)上沿晶片W的移动通路形成喷出孔(3a、6a),其...
  • 提供半导体晶圆输送用机械手,能进行晶圆的凹槽的对位且即使在输送直径不同的晶圆时也能够相对于晶圆处理装置进行晶圆的中心位置的对位。该半导体晶圆输送用机械手从容器取出晶圆并输送到处理晶圆的处理装置,具有:机械手部件本体;能相对于机械手部件本...
  • 本发明涉及干式非等离子体处理系统和使用方法。描述一种用于去除氧化物材料的干式非等离子体处理系统和方法。处理系统被构造成在受到的控制的状况(包括表面温度和气体压力)下提供对一个或者多个衬底的化学处理,其中每个衬底暴露于包括HF和可选地的N...