本发明提供一种能够确实地供给气体而进行等离子处理的等离子处理装置。等离子处理装置包括：外部气体供气构件40，具有供给等离子处理用气体的供气口；及套管部27，作为在处理容器内支撑外部气体供气构件40的供气构件支撑装置。套管部27包含：三个...

本发明提供一种与现有技术相比能够提高处理的面内均一性的等离子体处理装置及其处理气体供给机构。它是一种在处理腔内发生电感耦合等离子体然后对被收纳在处理腔内的基板进行处理的等离子体处理装置，它具备：以覆盖处理腔的上部开口的方式设置，且具备电...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为...

本发明涉及一种等离子体处理装置。其与以往相比能够提高处理的面内均匀性，并且能够实现装置的小型化和处理效率的提高，而且能够容易地改变上部电极和下部电极之间的间隔。该等离子体处理装置包括：下部电极，其设在处理室内；上部电极，其具有作为簇射头...

本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第...

本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电...

本发明的退火装置具有：处理室(1)，其容纳晶片(W)；加热源(17a、17b)，其被设置成面向晶片(W)的面，并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33)；透光部件(18a、18b)，其对应于上述加热源(17a、17b)地设置，并使来自...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜方法在进行由成膜处理和改性处理构成的成膜-改性步骤后，进行氧化硅膜的改性步骤，在该氧化硅膜的改性步骤中，将含Si气体的供给停止而采用等离子体，该成膜处理是这样进行的：通过使旋转台(2)旋转并使含S...

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)...

本发明提供一种硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具有第1成膜工序、蚀刻工序、第2成膜工序。在第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成硅膜。在蚀刻工序中，对在第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部。在第2成膜工序...

一种基板处理装置、基板处理装置的控制装置及其控制方法。预先变更对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式，进行对基板的恰当的处理。根据设定值输入部的信息在模式运算部中求出包含旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数的...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，能够在进行施加有高偏置电压的各向异性高的等离子体蚀刻时，抑制ArF光致抗蚀剂的表面以及侧壁的破裂，能够抑制条痕、LER、LWR的发生，精度良好地形成希望形状的图案。以ArF光致抗蚀剂层(102)作为掩模利...

本发明提供一种维修性高、配置空间小的基板处理装置和基板处理系统。真空搬送室(4)具备搬送被处理体的基板S的基板搬送机构(41)，并且以俯视形状是五角形以上的多角形的方式由多个侧面包围。在上部具有盖体(52)的多个处理室(5a～5d)连接...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1...

本发明提供一种能够使基板的中心与旋转中心对齐、对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。通过提供如下基板处理装置来解决上述课题：该基板处理装置的特征在于，具有：用于向被处理基板供给处理流体来进行基板处理的基板处理部；用于与上述被处理基...

本发明提供一种等离子体处理装置及半导体装置的制造方法，该装置能够防止在半导体晶圆等基板与下部电极的基材之间或者与下部电极的基材周边的构造物之间发生放电、能够谋求提高成品率、提高生产率。该装置包括处理室、下部电极、上部电极以及用于支承被处...

本发明提供一种能相对于旋转轴线准确定位圆形基板中心的基板定位装置、基板处理装置和基板定位方法。本发明提供如下基板定位装置以解决以上课题。该基板定位装置用于对基板进行定位，包括：基板装载部；具有与上述基板的侧面接触的第1基准部的第1定位机...

本发明提供一种被处理体的输送方法和被处理体的输送装置，其能够简单且快速地输送未被检测到异常的被处理体。被收纳于晶圆舟皿的半导体晶圆有异常时(步骤S2：Yes)，确定异常位置和异常的种类(步骤S3)，决定跳过位置(步骤S4)。随后，跳过被...

本发明提供能够在抑制图案歪斜、产生污垢的同时对被处理基板进行干燥的基板处理装置等。液槽(32)在将被处理基板(W)浸渍在液体中的状态下保持该被处理基板(W)，在处理容器(31)中，将该液槽配置在内部的处理空间(310)中，且将该液槽内的...

本发明提供一种能够防止处理液残留在容器主体的处理液供给机构。该处理液供给机构包括：固定筒部，自盖部向容器主体的上方突出，在其周面上形成有螺纹；移动筒部，与该固定筒部同轴地螺合设置于该固定筒部的内侧或外侧；处理液供给管，相对于由固定筒部和...