基板处理装置、基板处理装置的控制装置及其控制方法制造方法及图纸

一种基板处理装置、基板处理装置的控制装置及其控制方法。预先变更对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式，进行对基板的恰当的处理。根据设定值输入部的信息在模式运算部中求出包含旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数的处理气体供给周期模式运算结果。根据设定值输入部的信息通过模拟器来模拟供给到基板上的处理气体的供给区域的形状，该结果显示在显示器上。在比较部中比较来自模式运算部的处理气体供给周期模式的运算结果与来自存储部的对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式的参照结果。在判断为处理气体供给周期模式的运算结果与对工艺结果造成坏影响的参照结果一致的情况下，从报警部发出报警。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种能够提高基板处理中的面内均勻性的控制装置及其控制方法。
技术介绍
以往，在CVD装置等的基板处理装置中，通过向基板上供给处理气体来在基板上进行成膜。在这种情况下，一边旋转基板一边持续一定时间地供给处理气体，因此基板旋转周期很少对基板处理中的面内均勻性造成影响。然而，近年来对于基板上的成膜的微细化的要求变高，使得以短期间断续地供给处理气体。在这种情况下，已判明了基板的旋转周期和处理气体的供给周期的关系会影响基板处理中的面内均勻性。已知特别是在原子层沉积法(ALD法)的工艺中有影响。专利文献1 日本特开2009-23930
技术实现思路
本专利技术是考虑这种问题点来完成的，其目的在于，提供一种基板处理装置、其控制装置以及其控制方法，能够考虑基板的旋转周期和处理气体的供给周期对基板处理中的面内均勻性造成的影响，通过控制基板的旋转周期以及处理气体的供给周期来实现该面内均勻性的提高。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，具备具备基板处理室，其收纳基板来进行处理；基板旋转机构，其以使上述基板自由旋转的方式保持上述基板处理室内的上述基板；处理气体供给部，其对上述基板处理室内的上述基板供给处理气体；以及控制装置，其控制上述基板旋转机构以及上述处理气体供给部，其中，上述控制装置具有设定值输入部，其输入上述基板旋转机构的旋转速度设定值P以及来自上述处理气体供给部的处理气体的供给周期设定值Q、供给时间设定值R和供给次数设定值S;以及模式运算部，其根据来自上述设定值输入部的信息来求出处理气体供给周期模式的运算结果，该处理气体供给周期模式的运算结果包含上述基板旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，上述控制装置还具有模拟器，该模拟器根据来自上述设定值输入部的信息来模拟供给到上述基板上的处理气体的供给区域的形状，上述模拟器的模拟结果被显示在显示器上。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，上述控制装置还具有存储部，其存储有对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式的参照结果；比较部，其将由上述模式运算部求出的处理气体供给周期模式的运算结果与来自上述存储部的处理气体供给周期模式的参照结果进行比较；以及报警部，其在由上述比较部判断为处理气体供给周期模式的运算结果与处理气体供给周期模式的参照结果一致的情况下发出报警。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，上述控制装置还具有变更指示部，其在由比较部判断为处理气体供给周期模式的运算结果与处理气体供给周期模式的参照结果一致的情况下，指示上述设定值输入部变更旋转速度设定值P、供给周期设定值Q、供给时间设定值R以及供给次数设定值S中的某一个；教导部，其在新发现了对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式的情况下，将该处理气体供给周期模式加入到上述存储部中的处理气体供给周期模式的参照结果中；以及优先级输出部，其对上述变更指示部输出关于应该优先变更旋转速度设定值P、供给周期设定值Q、供给时间设定值R以及供给次数设定值S中的哪一个设定值的信息。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，上述优先级输出部向上述变更指示部进行输出，以使上述变更指示部优先变更旋转速度设定值P和供给周期设定值Q。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，上述基板旋转机构使载置一张基板的基座进行旋转。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，上述基板旋转机构使载置多张基板的基座进行旋转。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，上述基板旋转机构由使收纳有多张基板的晶圆舟进行旋转的晶圆舟旋转机构构成。本专利技术是一种基板处理装置，其特征在于，上述处理气体供给部由在被上述基板旋转机构保持的基板外周处分开配置的一对处理气体供给装置构成，一对上述处理气体供给装置中，一个处理气体供给装置供给A气体，另一个处理气体供给装置供给与A气体不同的B气体。本专利技术是一种控制装置，用于控制基板处理装置，该基板处理装置具备基板处理室，其收纳基板来进行处理；基板旋转机构，其以使上述基板自由旋转的方式保持上述基板处理室内的上述基板；处理气体供给部，其对上述基板处理室内的上述基板供给处理气体， 上述控制装置的特征在于，具备设定值输入部，其输入上述基板旋转机构的旋转速度设定值P以及来自处理气体供给部的处理气体的供给周期设定值Q、供给时间设定值R和供给次数设定值S ；以及模式运算部，其根据来自上述设定值输入部的信息来求出处理气体供给周期模式的运算结果，该处理气体供给周期模式的运算结果包含上述基板旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数。本专利技术是一种控制装置，其特征在于，还具备模拟器，该模拟器根据来自上述设定值输入部的信息来模拟供给到上述基板上的处理气体的供给区域的形状。本专利技术是一种基板处理装置的控制方法，用于控制权利要求1所述的基板处理装置，该控制方法的特征在于，包括以下步骤通过上述设定值输入部来输入上述基板旋转机构的旋转速度设定值P以及来自处理气体供给部的处理气体的供给周期设定值Q、供给时间设定值R和供给次数设定值S ；以及根据来自上述设定值输入部的信息，通过上述模式运算部来求出处理气体供给周期模式的运算值，该处理气体供给周期模式的运算值包含上述基板旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数。本专利技术是一种基板处理装置的控制方法，其特征在于，还包括如下步骤根据来自上述设定值输入部的信息，通过模拟器来模拟供给到上述基板上的处理气体的供给区域的形状，并且将该模拟的结果显示在显示器上。如以上那样根据本专利技术，在比较部中比较由模式运算部求出的处理气体供给周期模式的运算结果与来自存储部的对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式的参照结果，在比较部中判断为处理气体供给周期模式的运算结果和参照结果一致的情况下，从报警部发出报警。因此，能够预先变更对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式，由此能够进行对基板的恰当的处理来提高面内均勻性。附图说明图1是表示本专利技术的基板处理装置的图。图2是表示包含被处理基板的旋转周期、处理气体的供给周期、供给时间、以及供给次数的处理气体供给周期模式的图。图3是表示向被处理基板中供给处理气体的供给区域、供给周期、供给时间、供给次数、基板旋转状态的图。图4的(a)、(b)是表示向被处理基板供给处理气体的供给区域、供给周期、供给时间、供给次数、基板旋转状态的图。图5是表示向被处理基板供给处理气体的供给区域、供给周期、供给时间、供给次数、基板旋转状态的图。图6是表示向被处理基板供给处理气体的供给区域、供给周期、供给时间、供给次数、基板旋转状态的图。图7是表示对被处理基板进行处理的处理气体的供给区域的形状的图。图8是表示应用了本专利技术的基板处理装置的立式热处理装置的图。图9是表示基板处理装置的变形例的图。具体实施例方式首先根据图8来说明应用本专利技术的基板处理装置的立式热处理装置20。图8所示的立式热处理装置是以CVD法向被处理基板(晶圆)上供给处理气体来在晶圆上进行成膜的装置。如图8所示，立式处理装置20具有作为加热单元的加热器22、以及配置在加热器22内来对被处理基板(晶圆)实施热处理的反应容器(基板处理室)21。该反应容器 21的下端开口通过盖体本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板处理室，其收纳基板来进行处理；基板旋转机构，其以使上述基板自由旋转的方式保持上述基板处理室内的上述基板；处理气体供给部，其对上述基板处理室内的上述基板供给处理气体；以及控制装置，其控制上述基板旋转机构以及上述处理气体供给部，其中，上述控制装置具有：设定值输入部，其输入上述基板旋转机构的旋转速度设定值Ｐ以及来自上述处理气体供给部的处理气体的供给周期设定值Ｑ、供给时间设定值Ｒ和供给次数设定值Ｓ；以及模式运算部，其根据来自上述设定值输入部的信息来求出处理气体供给周期模式的运算结果，该处理气体供给周期模式的运算结果包含上述基板旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松田和久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP