【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对半导体基板等被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置、 等离子体处理方法和计算机可读取的存储介质。
技术介绍
例如,在半导体器件的制造过程中,为了在作为被处理基板的半导体晶片上形成的规定层上形成规定图案,大多采用以抗蚀剂作为掩模、利用等离子体进行蚀刻的等离子体蚀刻处理。作为用于进行这样的等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置,使用各种装置,其中,主流为电容耦合型平行平板等离子体处理装置。在电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置中,在腔室内配置一对平行平板电极 (上部和下部电极),将处理气体导入腔室内,并且向一个电极施加高频,在电极间形成高频电场,利用该高频电场形成处理气体的等离子体,对半导体晶片的规定层进行等离子体蚀刻。具体地说,已知有向上部电极施加等离子体形成用的高频以形成等离子体、向下部电极施加离子引入用的高频,由此形成适当的等离子体状态的等离子体蚀刻装置,由此, 能够以高选择比进行再现性高的蚀刻处理(例如,特开2000-173993号公报(专利文献 1))。可是,与近年来的微细加工的要求对应,作为掩模使用的光致抗蚀剂的膜厚变薄, 使用的光致抗蚀剂也正从KrF光致抗蚀剂(即利用以KrF气体作为发光源的激光进行曝光的光致抗蚀剂)向能够形成约0. 13μπι以下的图案开口的ArF光致抗蚀剂(即利用以ArF 气体作为发光源的波长更短的激光进行曝光的光致抗蚀剂)转变。然而,由于ArF光致抗蚀剂耐等离子体性低,所以存在使用KrF抗蚀剂时几乎不会发生的蚀刻途中表面产生粗糙的问题。因此,会产生开口部的内壁面出现纵条纹 (striatic )、或开口部扩大( ...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:收容被处理基板,能够进行真空排气的处理容器;在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极;向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元;向所述第一电极施加直流电压的直流电源;和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元,为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出,在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
【技术特征摘要】
2004.06.21 JP 2004-183093;2005.01.21 JP 2005-013911.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括 收容被处理基板,能够进行真空排气的处理容器;在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极; 向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元; 向所述第一电极施加直流电压的直流电源;和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元,为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出,在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个均可变。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于还包括控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于所述控制装置控制可否从所述直流电源向所述第一电极施加直流电压。5.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于还包括对生成的等离子体的状态进行检测的检测器,根据该检测器的信息,所述控制装置控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于 所述第一电极为上部电极,所述第二电极为下部电极。7.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于 所述直流电源施加-2000 +1000V范围的电压。8.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于 所述第一电极的与所述第二电极相对的面由含硅的物质形成。9.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于 所述第一电极相对于接地电位为直流浮动状态。10.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于具有能够将所述第一电极改变为浮动状态或接地状态的可变装置,根据来自整体控制装置的指令,当向所述第一电极施加直流电压时,所述可变装置使所述第一电极相对于接地电位成为浮动状态,当不向所述第一电极施加直流电压时,所述可变装置使所述第一电极相对于接地电位成为浮动状态或接地状态中的任一个。11.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于所述第一电极为上部电极,所述第二电极为下部电极,所述导电性部件配置在所述第一电极的附近。12.如权利要求11所述的等离子体处理装置,其特征在于 所述导电性部件呈环状配置在所述第一电极的外侧。13.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于所述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。14.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于具有覆盖所述导电性部件的一部分的保护板,通过使所述保护板相对于所述导电性部件相对移动的驱动机构,所述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。15.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于所述导电性部件为一部分在等离子体中露出的圆柱形状,通过使所述导电性部件以圆柱的轴为中心转动的驱动机构,所述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。16.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于包括覆盖所述导电性部件的一部分、并且具有用等离子体进行蚀刻而得到的材质的台阶形状的保护膜,通过蚀刻所述保护膜,所述导电性部件在等离子体中露出的部分发生变化。17.如权利要求1 10和权利要求13 16中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于所述第一电极为上部电极,所述第二电极为下部电极,所述导电性部件设置在所述第二电极的周围。18.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出,在所述处理容器内设置有根据来自整体控制装置的指令而被接地的导电性部件。19.如权利要求18所述的等离子体处理装置,其特征在于所述第一电极为上部电极,所述第二电极为下部电极,所述导电性部件设置在所述第二电极的周围。20.如权利要求18所述的等离子体处理装置,其特征在于所述第一电极为上部电极,所述第二电极为下部电极,所述导电性部件配置在所述第一电极的附近。21.如权利要求20所述的等离子体处理装置,其特征在于所述导电性部件呈环状配置在所述第一电极的外侧。22.如权利要求18所述的等离子体处理装置,其特征在于所述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。23.如权利要求18所述的等离子体处理装置,其特征在于所述导电性部件在等离子体蚀刻时被接地。24.如权利要求18所述的等离子体处理装置,其特征在于能够向所述导电性部件施加直流电压或交流电压,根据来自整体控制装置的指令,施加直流电压或交流电压,由此对其表面进行溅射或蚀刻。25.如权利要求M所述的等离子体处理装置,其特征在于所述导电性部件在清理时被施加直流电压或交流电压。26.如权利要求M所述的等离子体处理装置,其特征在于还包括将所述导电性部件的连接切换至所述直流电源侧或接地线路侧的切换机构,当利用所述切换机构将所述导电性部件与所述直流电源侧连接时,从所述直流电源向所述导电性部件施加直流电压或交流电压,由此对其表面进行溅射或蚀刻。27.如权利要求M所述的等离子体处理装置,其特征在于能够向所述导电性部件施加负的直流电压。28.如权利要求27所述的等离子体处理装置,其特征在于为了将在向所述导电性部件施加负的直流电压时流入所述处理容器内的直流电子电流排出,在所述处理容器内设置有接地的导电性辅助部件。29.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:舆石公,杉本胜,日向邦彦,小林典之,舆水地盐,大谷龙二,吉备和雄,齐藤昌司,松本直树,大矢欣伸,岩田学,矢野大介,山泽阳平,花冈秀敏,速水利泰,山崎广树,佐藤学,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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