等离子处理装置及供气构件支撑装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够确实地供给气体而进行等离子处理的等离子处理装置。等离子处理装置包括：外部气体供气构件40，具有供给等离子处理用气体的供气口；及套管部27，作为在处理容器内支撑外部气体供气构件40的供气构件支撑装置。套管部27包含：三个支撑构件44～46，以将外部气体供气构件40及侧壁连结的方式，在供气构件的延伸方向上隔开各自之间隔而设置；及安装部47～49，固定于侧壁，且可安装支撑构件。支撑构件包含：固定并安装于第一安装部47的第一支撑构件44；及以自由支撑的方式安装于第二安装部48、49的第二支撑构件45、46。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子处理装置及供气构件支撑装置(下面有时仅称为支撑装置)，本专利技术尤其涉及一种内部进行等离子处理时供给气体的等离子处理装置、及内部进行等离子处理时供给等离子处理用气体的等离子处理装置中所使用的供气构件支撑装置。
技术介绍
LSI (Large Scale Integrated circuit, ^ !!^]) MOS (Metal Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体)晶体管等半导体元件是对作为被处理基板的半导体基板(晶片)实施蚀刻或CVD (Chemical Vapor D印osition，化学气相沉积)、溅镀等处理而制造。关于蚀刻或CVD、溅镀等处理，有使用等离子作为其能量供给源的处理方法，即等离子蚀刻或等离子CVD、等离子溅镀等。此处，与内部进行所述等离子处理的等离子处理装置相关的技术是公开于日本专利特开2009-302324号公报(专利文献1)。先行技术文献专利文献专利文献1 日本专利特开2009-302324号公报
技术实现思路
此处，以所述专利文献1为代表的普通等离子处理装置包括处理容器，包含圆筒状的侧壁，且于其内部对被处理基板进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子处理装置，其特征在于：其对被处理基板进行等离子处理，且包括：处理容器，包含位于下方侧的底部、及从所述底部的外周向上方向延伸的筒状侧壁，且可将所述被处理基板收纳于其内部；供气构件，配置在所述处理容器内的规定位置，且设有供给等离子处理用气体的供气口；多个支撑构件，以将所述供气构件及所述侧壁连结的方式，将所述供气构件隔开各自之间隔而设置；及安装部，可将所述支撑构件安装于所述侧壁；且所述支撑构件包含固定并安装于所述安装部的第一支撑构件、及以自由支撑的方式安装于所述安装部的第二支撑构件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三原直辉，周藤贤治，村上和生，古川哲史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP