本发明专利技术提供能够在抑制图案歪斜、产生污垢的同时对被处理基板进行干燥的基板处理装置等。液槽(32)在将被处理基板(W)浸渍在液体中的状态下保持该被处理基板(W)，在处理容器(31)中，将该液槽配置在内部的处理空间(310)中，且将该液槽内的液体置换成超临界状态的流体从而进行使被处理基板干燥的处理。移动机构(352、353)使液槽在上述处理容器(31)内的处理位置和该处理容器的外部的准备位置之间移动，设在该处理容器(31)中的加热机构(312)使上述流体变为超临界状态或者使上述流体维持超临界状态，另一方面，冷却机构(334、335)对移动到上述处理容器(31)的外部的准备位置的液槽(32)进行冷却。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及利用超临界流体对进行了清洗等处理后的被处理基板进行干燥的技术。
技术介绍
在作为被处理基板的例如半导体晶圆(以下称为晶圆)的表面上形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，设有利用药液等清洗液去除晶圆表面的微小的灰尘、自然氧化膜等利用液体对晶圆表面进行处理的液体处理工序。例如用于进行晶圆的清洗的单片式旋转清洗装置通过采用喷嘴一边向晶圆的表面供给例如碱性、酸性的药液，一边使晶圆旋转而去除晶圆表面的灰尘、自然氧化物等。在这种情况下，在利用由纯水等进行的冲洗将残留的药液去除后，通过使晶圆旋转而甩掉所残留的液体的甩干等来对晶圆表面进行干燥。但是，随着半导体装置的高集成化，在这样的去除液体等的处理中，所谓图案歪斜的问题目益严重。图案歪斜是指例如在使残留在晶圆表面上的液体干燥时，由于残留在用于形成图案的凹凸的例如凸部的左右的液体干燥不均勻，而导致向左右拉扯该凸部的表面张力失去平衡，从而使凸部向残留有较多液体的方向歪斜的现象。作为用于在抑制这样的图案歪斜的同时去除残留在晶圆表面上的液体的方法，公知有采用了超临界状态的流体(超临界流体)的干燥方法。超临界流体的粘度小于液体的粘度、且溶解液体的能力也高，并且在超临界流体和处于平衡状态的液体、气体之间不存在界面。因此，若对附着有液体的状态下的晶圆进行超临界流体的置换，然后使超临界流体的状态变化为气体，则不受表面张力的影响就能够使液体干燥。在此，在专利文献1中记载了如下技术利用基板输送机器人将在清洗部中清洗后的基板输送到干燥装置内，在该干燥装置内使基板与超临界流体相接触，从而去除附着在基板表面上的清洗液。在该专利文献1中所记载的技术中，由于是将被处理基板搬入到输送室中且交接给输送用的机器人，然后，在移送到干燥处理室后进行利用超临界流体的干燥，因此，可能导致在处理开始之前的期间，被处理基板表面的液体干燥而产生图案歪斜的情况。专利文献1 日本特开2008-72118号公报:0025 0029段、图1。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这种情况而做出的，其目的在于提供一种能够在抑制产生图案歪斜、产生污垢的同时对被处理基板进行干燥的基板处理装置。本专利技术的基板处理装置的特征在于，其具有液槽，其用于保持被处理基板并将被处理基板浸渍到液体中；处理容器，在该处理容器中，在将该液槽配置在内部的处理空间中、且将该液槽内的液体置换为超临界状态的流体之后，通过对该处理空间内进行减压而使上述流体成为气体，从而进行使被处理基板干燥的处理；流体供给部，其用于以液体状态或者超临界状态将上述流体供给到该处理容器中；排液部，其用于将上述液槽内的液体排出；移动机构，其用于使上述液槽在上述处理容器内的处理位置和该处理容器的外部的准备位置之间移动；加热机构，其为了使供给到上述处理容器中的流体成为超临界状态或者维持该超临界状态而加热上述处理空间；冷却机构，其用于对移动到上述准备位置的液槽进行冷却。上述基板处理装置也可以具有以下特征(a)上述液体为挥发性的液体，该液体被供给到由上述冷却机构进行了冷却后的液槽中。(b)在利用上述冷却机构对液槽进行了冷却后，将被处理基板浸渍到该液槽内的液体中。(c)上述液槽构成为沿纵向保持被处理基板。(d)上述移动机构构成为使上述液槽沿横向移动。(e)在上述液槽上一体地设有用于开闭被形成于处理容器上的搬入搬出口的盖构件，且上述基板处理装置具有用于阻止堵塞着上述开口部的盖构件的打开的止挡机构。根据本专利技术，当在处理容器的内外移动的液槽移动到该处理容器的外部的准备位置时，能够冷却该液槽，另一方面，能够在处理容器侧与上述液槽独立地对处理容器进行加热。因此，例如在将被处理基板搬入时，能够在处理容器的外面将液槽冷却而抑制液槽中的液体的蒸发、被处理基板的干燥，另一方面，在使处理容器维持加热状态，且使液槽移动到处理容器内之后，能够缩短将处理容器内的温度升温至规定的温度所需的时间而提高应答性等、实现自由度高的运转。附图说明图1是本实施方式的清洗系统的俯视图。图2是表示上述清洗系统内的清洗装置的一例的纵剖侧视图。图3是表示本实施方式的超临界处理装置和晶圆的交接机构的一例的立体图。图4的(a)、(b)是表示上述超临界处理装置的外观结构的局部剖立体图。图5是表示设在上述超临界处理装置中的内腔室的结构的局部剖立体图。图6是表示向上述超临界处理装置供给各种处理流体的供给系统或自上述超临界处理装置排出各种处理流体的排出系统的说明图。图7的(a) (C)是表示上述超临界处理装置的作用的第1说明图。图8的(a) (c)是表示上述超临界处理装置的作用的第2说明图。图9的(a) (c)是表示上述超临界处理装置的作用的第3说明图。图10的(a) (b)是表示上述超临界处理装置的作用的第4说明图。具体实施例方式作为具有本专利技术的基板处理装置的基板处理系统的一例，对于具有清洗装置2和超临界处理装置3的清洗处理系统1进行说明，该清洗装置2用于向作为被处理基板的晶圆W供给清洗液，并进行清洗处理，该超临界处理装置3利用超临界流体对上述清洗处理后的晶圆W进行干燥。图1是表示清洗处理系统1的整体结构的横剖俯视图。若面向该图，将左侧作为前方，则清洗处理系统1为自前方依次连接如下部分而成的构造载置有 FOUP (Front-Opening Unified Pod ；前开式晶圆传送盒)7的载置部11，该F0UP7用于收纳例如直径为300mm的多片晶圆W ；用于在F0UP7与清洗处理系统1之间搬入搬出晶圆W的搬入搬出部12 ；用于在搬入搬出部12与后段的晶圆处理部14之间交接晶圆W的交接部13 ； 用于将晶圆W依次搬入到清洗装置2、超临界处理装置3内并进行清洗处理、超临界处理的晶圆处理部14。载置部11构成为能够载置例如4个F0UP7的载置台，其将载置于载置台上的各 F0UP7与搬入搬出部12连接。在搬入搬出部12中，利用设在与各F0UP7相连接的面上的、 未图示的开闭机构将F0UP7的开闭盖取下，且利用以例如沿前后方向进退自如、沿左右方向移动自如、以及转动、升降自如的方式构成的第1输送机构121在F0UP7内与交接部13 之间输送晶圆W。在前后被搬入搬出部12和晶圆处理部14夹持的交接部13中设有能够载置例如8片晶圆W的、起到缓冲器(buffer)的作用的交接架131，借助该交接架131在搬入搬出部12与晶圆处理部14之间输送晶圆W。在晶圆处理部14中设置有晶圆输送路径142，该晶圆输送路径142自晶圆处理部 14与交接部13之间的开口部朝前后方向延伸。并且，从该晶圆输送路径142的跟前侧来看，在左手边，沿该晶圆输送路径142排列设置有例如3台清洗装置2，同样，在右手边，排列设置有作为本实施方式的基板处理装置的、例如两台超临界处理装置3。在晶圆输送路径142内设有第2输送机构141，该第2输送机构141以能够沿晶圆输送路径142移动、能够朝左边的清洗装置2和右方的超临界处理装置3进退、并且能够转动、升降的方式构成， 从而能够在已述的交接架131与各清洗装置2、超临界处理装置3之间输送晶圆W。在此， 配置在晶圆处理部14内的清洗装置2、超临界处理装置3的个数并不限定为上述的例子，可以根据单位时间内的晶圆W的处理片数、在清洗装置2本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：液槽，其用于保持被处理基板并将该被处理基板浸渍到液体中；处理容器，在该处理容器中，在将该液槽配置在内部的处理空间中、且将该液槽内的液体置换为超临界状态的流体之后，通过对该处理空间内进行减压而使上述流体成为气体，从而进行使上述被处理基板干燥的处理；流体供给部，其用于以液体状态或者超临界状态将上述流体供给到该处理容器中；排液部，其用于将上述液槽内的液体排出；移动机构，其用于使上述液槽在上述处理容器内的处理位置和该处理容器的外部的准备位置之间移动；加热机构，其为了使供给到上述处理容器中的流体成为超临界状态或者维持该超临界状态而加热上述处理空间；冷却机构，其用于对移动到上述准备位置的液槽进行冷却。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上川裕二，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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