基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够在抑制图案歪斜、产生污垢的同时对被处理基板进行干燥的基板处理装置等。液槽(32)在将被处理基板(W)浸渍在液体中的状态下保持该被处理基板(W)，在处理容器(31)中，将该液槽配置在内部的处理空间(310)中，且将该液槽内的液体置换成超临界状态的流体从而进行使被处理基板干燥的处理。移动机构(352、353)使液槽在上述处理容器(31)内的处理位置和该处理容器的外部的准备位置之间移动，设在该处理容器(31)中的加热机构(312)使上述流体变为超临界状态或者使上述流体维持超临界状态，另一方面，冷却机构(334、335)对移动到上述处理容器(31)的外部的准备位置的液槽(32)进行冷却。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用超临界流体对进行了清洗等处理后的被处理基板进行干燥的技术。
技术介绍
在作为被处理基板的例如半导体晶圆(以下称为晶圆)的表面上形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，设有利用药液等清洗液去除晶圆表面的微小的灰尘、自然氧化膜等利用液体对晶圆表面进行处理的液体处理工序。例如用于进行晶圆的清洗的单片式旋转清洗装置通过采用喷嘴一边向晶圆的表面供给例如碱性、酸性的药液，一边使晶圆旋转而去除晶圆表面的灰尘、自然氧化物等。在这种情况下，在利用由纯水等进行的冲洗将残留的药液去除后，通过使晶圆旋转而甩掉所残留的液体的甩干等来对晶圆表面进行干燥。但是，随着半导体装置的高集成化，在这样的去除液体等的处理中，所谓图案歪斜的问题目益严重。图案歪斜是指例如在使残留在晶圆表面上的液体干燥时，由于残留在用于形成图案的凹凸的例如凸部的左右的液体干燥不均勻，而导致向左右拉扯该凸部的表面张力失去平衡，从而使凸部向残留有较多液体的方向歪斜的现象。作为用于在抑制这样的图案歪斜的同时去除残留在晶圆表面上的液体的方法，公知有采用了超临界状态的流体(超临界流体)的干燥方法。超临界流体的粘度小于液体的粘度本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：液槽，其用于保持被处理基板并将该被处理基板浸渍到液体中；处理容器，在该处理容器中，在将该液槽配置在内部的处理空间中、且将该液槽内的液体置换为超临界状态的流体之后，通过对该处理空间内进行减压而使上述流体成为气体，从而进行使上述被处理基板干燥的处理；流体供给部，其用于以液体状态或者超临界状态将上述流体供给到该处理容器中；排液部，其用于将上述液槽内的液体排出；移动机构，其用于使上述液槽在上述处理容器内的处理位置和该处理容器的外部的准备位置之间移动；加热机构，其为了使供给到上述处理容器中的流体成为超临界状态或者维持该超临界状态而加热上述处理空间；冷...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上川裕二，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP