本发明提供一种真空处理装置，所解决的课题在于：当在多个处理区域中对各个基板进行真空处理时，一边抑制装置整体的覆盖区轨迹，一边抑制基板移载所需要的时间，使其变短。在负载锁定室(2a、2b)之间，将三个处理单元(11)和搬送组件(12)按照...

本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统（100）具有主搬送线（20）和副搬送线（30），该主搬送线（20）是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线，该副搬送线（30）是进行在光刻处理部（1...

本发明提供一种基板清洗装置，该基板清洗装置包括：将被处理基板保持为水平且围绕铅垂轴旋转的保持单元；能够围绕铅垂轴旋转的清洗部件；使清洗部件旋转的旋转机构；和使清洗部件沿着被处理基板的被清洗面移动的移动机构，其中，清洗部件在基座部接合海绵...

本发明提供一种抑制处理块的设置面积并且抑制装置的工作效率降低的技术。构成具备模式选择部的涂覆显影装置，上述模式选择部用于在由检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，从模式M1和M2中选择后续的基板的搬送模式。上述模...

本发明提供一种涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质，在单位块发生异常时，进行维修时，抑制涂敷显影装置的生产率降低并且抑制处理块的设置面积。构成涂敷显影装置，具备：层叠的前段处理用的单位块；在各个对应的层叠的后段处理用的单位块之间设置、在...

本发明提供一种等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法，能够抑制由侧面蚀刻而引起的图案变细的问题并且通过干燥处理来高效率地去除含有堆积在图案侧壁的金属的堆积物。该等离子处理方法经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结...

本发明提供一种流路切换装置、处理装置、流路切换方法、处理方法，该流路切换装置能够削减用于切换流路的驱动机构的个数，该处理装置是能够削减用于切换处理被处理体的处理流体的专用排出通路的驱动机构的个数的液体处理装置。从对晶圆在互不相同的时刻供...

本发明提供一种基板处理装置，可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化。本发明提供一种基板处理装置，在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少2片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量与承载的...

本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含：周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所...

本发明涉及一种处理装置，通过在收容器上设置暂时放置因维护等而取下的盖体的空间，从而节省洁净室内的空间。作为收容被处理体的收容室，具有输送室(200)和加载互锁真空室(102)，输送室(200)的容器(210)设置：具有开口部(214)的...

本发明提供能够提高在基板面内的显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性、并对布线图案的线宽以及间距的偏差进行抑制的局部曝光装置和局部曝光方法。局部曝光装置包括：基板输送部件；腔室，其用于形成对被处理基板进行曝光处理的空间；光源，其具有沿与基板输送...

本发明提供一种涂布、显影装置，其目的在于提供能够抑制处理块的设置面积并且能够抑制装置的运转效率降低的技术。将前级处理用单位块作为第一前级处理用单位块和第二前级处理用单位块以上下二层化的方式相互叠层，将后级处理用单位块作为第一后级处理用单...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体和含Cu原料气体以及含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成...

本发明提供一种能够得到适当的过驱动量和稳定的探针痕、能够使用通用的顶板的探针卡的平行调整机构。本发明的探针卡的平行调整机构是在四角支承顶板(15)的四个位置的支承柱(16)中的4个位置使顶板(15)升降，调整探针卡(12)与在其下方配置...

本发明提供一种基板处理装置。在真空输送室连接用于处理基板的多个处理室的基板处理装置中，抑制装置的大型化、抑制占地面积的增大。在真空输送室(13)的周围设置有对基板进行处理的多个处理室(30)。在所述真空输送室(13)的上方侧经由旋转台(...

本发明提供一种能够不会使用正离子进行的蚀刻效率下降地，有效利用负离子且提高整体蚀刻效率的基板处理方法。该基板处理方法的特征在于：分别作为脉冲波施加等离子体RF和偏置RF，并依次反复进行以下步骤：一并施加等离子体RF和偏置RF，用等离子体...

本发明提供基板处理方法及基板处理装置。该基板处理方法能对基板实施均匀的等离子处理且能充分地响应一腔室多处理的要求。基板处理装置(10)具有：容纳晶圆(W)的腔室(11)、配置在腔室内、用于载置晶圆的基座(12)、与基座相对配置的上部电极...

本发明提供成膜方法及成膜装置。该成膜方法用于在处理容器内在被处理体的表面形成氧化硅膜，其包括：吸附工序，向处理容器内供给由硅烷系气体构成的晶种气体并使上述晶种气体吸附在被处理体的表面；膜形成工序，向处理容器内供给作为原料气体的含硅气体和...

本发明提供等离子体处理装置、基板保持机构、基板位置偏移检测方法，能够消除传热气体的气体流路的压力损失的影响，提高基板的位置偏移检测的精度。设置有：用于向载置台(300)与保持在其基板保持面的被处理基板之间供给来自气体供给源的气体的气体流...

本发明提供一种热处理装置和热处理方法。其抑制基板面内的热处理温度的偏差，使基板面内的配线图案的线宽均匀。包括：基板输送机构(20)；第一腔室(8A)，覆盖基板输送路径(2)的规定区间，并形成对在上述基板输送路径输送的基板(G)进行热处理...