在腔室（１）内收纳具有ＣＶＤ－Ｒｕ膜的晶片Ｗ，在腔室（１）内以气相状态导入含有作为Ｃｕ配位化合物的Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ的成膜原料，其中，作为成膜中产生的副产物Ｃｕ（ｈｆａｃ）２的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压，在形成于晶片Ｗ的ＣＶＤ－Ｒ...

成膜装置（１００）具备：收容晶片（Ｗ）的腔室（１）；在腔室（１）内载置晶片（Ｗ）的载置台（２）；在载置台（２）上加热晶片（Ｗ）的加热器（５ａ、５ｂ）和；设置为与载置台（２）对向，向晶片（Ｗ）排出成膜用的处理气体的主体由铝或铝合金构成的喷...

本发明涉及一种成膜方法，对在表面形成有具有凹部的绝缘层的被处理体形成薄膜，其特征在于，包括：薄膜形成工序，使用等离子体ＣＶＤ法，在包含上述凹部内的表面的上述被处理体的表面，形成氮化钛膜的薄膜；和氮化工序，在氮化气体的存在下，通过进行使用...

一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：对绝缘层进行退火，和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层。绝缘层包括氟碳化合物（ＣＦｘ）膜。在退火步骤之后，用高温溅射工艺形成阻挡层。

等离子体处理装置（３１）具备：处理容器（３２）；等离子体处理用气体供给部（３３），其对处理容器（３２）内供给等离子体处理用的气体；保持台（３４），在其上保持被处理基板（Ｗ）；等离子体产生机构（３９），其使处理容器（３２）内产生等离子体；...

本发明涉及的成膜方法首先使成为半导体元件的基础的被处理基板（Ｗ）保持在保持台（３４）上。接着，使成膜气体吸附到被处理基板（Ｗ）上（图６（Ａ））。然后，为了除去多余吸附的成膜气体，对处理容器（３２）内进行排气（图６（Ｂ））。在排气后，进行...

本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置，不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等，并且喷射确保均热性的材料气体，从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内，使材料气体向基板喷出，该蒸镀...

本发明提供一种在喷嘴的启动加注处理中，缩短辊子绕涂药液的绕涂距离以及减少绕涂量，辊子的清洗也简单易行的方法。在沿着辊子(23)的长度方向的正上方，使喷嘴(10)的狭缝状喷出口对峙的状态下，从上述喷嘴向上述辊子喷出药液R，然后实施药液介于...

本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对将抗蚀剂膜作为掩模的防反射膜进行蚀刻工序之前，使抗蚀剂膜良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成作为防反射膜的Si-ARC(15)而在防反射膜上形成图...

本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置，该成膜装置包括：处理容器；原料气体供给系统，其具有第1开闭阀，能向处理容器内供给原料气体；反应气体供给系统，其具有第2开闭阀，能向处理容器内供给反应气体...

本发明提供一种沟槽的填充方法和成膜系统。该填充方法和成膜系统用于对形成有沟槽、且至少在上述沟槽的侧壁上形成有氧化膜的半导体基板进行加热，并将氨基硅烷类气体供给到上述半导体基板的表面上而在上述半导体基板上形成晶种层，对形成有上述晶种层的半...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工...

本发明提供一种涂敷处理方法和涂敷处理装置，在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。具体而言，给旋转中的晶片上供给溶剂，使晶片以第六转速旋转使溶剂扩散(工序S1)。使晶片的旋转加速到第一转速，...

本发明提供离子供给装置和具有离子供给装置的被处理体的处理系统。离子供给装置(54)具有将离子和载气喷出到要除去静电的除电对象的离子供给喷嘴(58)。离子供给喷嘴(58)在其喷出口上设有狭缝(59)。狭缝(59)形成为在其与除电对象之间的...

本发明提供一种气体供给装置(3)，具备：主体部(31)，其具有用于使气体从缩径端(32a)侧向扩径端(32b)侧流通的近似圆锥形的气体流通空间(32)；气体导入口(61a～63a、61b～63b)，其设于气体流通空间(32)的缩径端(3...

本发明提供一种即使发生热膨胀也与下部电极之间不产生间隙，并能够防止下部电极的异常放电以及腐蚀的产生的屏蔽部件，以及其构成零件和具有屏蔽部件的基板载置台。本发明的屏蔽部件将包括沿下部电极的矩形的载置面的一边配置的绝缘性的长尺寸状物件并具有...

本发明提供一种涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质，在单位块发生异常、进行维修时，抑制涂敷显影装置的生产率降低且抑制处理块的设置面积。该涂敷显影装置具备：在层叠的前段处理用单位块和分别对应的层叠的后段处理用的单位块之间设置的、在两单位块...

本发明提供一种基板处理装置，能够适当地进行周边曝光处理后的基板的检查，并提高包括该检查的基板处理的处理能力。晶片处理装置(42)包括：保持晶片的保持部(120)；使保持部(120)旋转的并使保持部(120)在交接位置(P1)与周边曝光位...

本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。该清洗方法在供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，包括：加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温...

本发明提供一种基板清洗装置、涂覆显影装置以及基板清洗方法。基板清洗装置能够简便且有效地清洗基板的倒角部，还有利于节省空间。本发明的实施方式的基板清洗装置包括：基板保持旋转部，其保持基板的背面中心部并使该基板旋转；清洗构件，其包括第1清洗...