【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请要求下列优先权，2009年1月22日提交的美国临时申请号 No. 61/205，752，题为“氟碳化合物膜的表面处理”和2009年2月17日提交的美国临时申请号No. 61/207，971，题为“CFx膜的金属成形的方法”，两者的内容在本文引入作为参考。本专利技术涉及半导体器件及其制造方法。更具体地说，本专利技术涉及改善用氟碳化合物(CFx)构成的层间绝缘层和用金属构成的阻挡层之间的附着力的表面处理方法和阻挡层形成方法。
技术介绍
近年来，已采用多层布线结构来实现半导体器件的高速运行和小型化。不过，由于布线层的总布线电阻和寄生电容的增大，这些结构已提出布线延迟的问题。使用低电阻布线材料，例如铜(Cu)作为互联体可减小布线电阻。另一方面，可以使用低介电常数或者low-k材料来降低寄生电容。具体地，氟碳化合物(CFx)可用作绝缘层来降低寄生电容，从而提高半导体器件的运行速度。为了防止铜(Cu)扩散到绝缘层中，在互连体和绝缘层之间设置阻挡层。半导体器件的阻挡层用钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钌(Ru)或者磷(P)构成。当氟碳化合物(CFx)被用作绝缘层材料时...
【技术保护点】
１．一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下述步骤：对绝缘层进行退火，其中所述绝缘层包括氟碳化合物（ＣＦｘ）膜；在所述绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层，其中所述阻挡层在所述退火步骤之后，通过高温溅射工艺形成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：堀込正弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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