等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以使得上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用CF类气体和COS气体对氧化膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法和存储介质。
技术介绍
在半导体装置的制造程序中，使用等离子体蚀刻用于形成图案。对于氧化膜的等离子体蚀刻，在现有技术中使用CF类气体作为蚀刻气体。在这样的氧化膜的等离子体蚀刻中，在专利文献1公开有向CF类气体添加羰基硫 (COS)气体。最近，随着氧化膜的孔图案的蚀刻中孔径的微小化，蚀刻后的孔形状的控制变得更加重要，其中，弯曲是导致成品率减低的主要的原因，因此为了对其进行改善，开始使用添加羰基硫(COS)气体的方法。现有技术文献专利文献1 日本特开平9-82688号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的问题然而，在使用CF类气体和COS气体对氧化膜进行等离子体蚀刻的情况下，已知在蚀刻后的被处理基板上残留有S的问题。在S的残留浓度较高的情况下，具有危害健康的问题，因此，要求残留S浓度为规定值以下，残留S浓度的控制是非常重要的。本专利技术鉴于相关情况而完成，其课题为提供在使用CF类气体和COS气体对氧化膜进行等离子体蚀刻之后，能够将在被处理基板上残留的硫磺(S)的浓度控制为规定值以下的等离子体处理方法和存储有用本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子体处理方法，其利用含有ＣＦ类气体和ＣＯＳ气体的处理气体，通过１个或２个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法的特征在于，包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以所述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺（Ｓ）的浓度（残留Ｓ浓度）进行掌握的工序；以使得所述残留Ｓ浓度为设定值以下的方式，对处理方案的ＣＯＳ气体对ＣＦ类气体流量的比（ＣＯＳ／ＣＦ）进行调整的工序；和以调整ＣＯＳ／ＣＦ而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李诚泰，土桥和也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP