成膜方法、半导体元件的制造方法、绝缘膜以及半导体元件技术

本发明专利技术涉及的成膜方法首先使成为半导体元件的基础的被处理基板（Ｗ）保持在保持台（３４）上。接着，使成膜气体吸附到被处理基板（Ｗ）上（图６（Ａ））。然后，为了除去多余吸附的成膜气体，对处理容器（３２）内进行排气（图６（Ｂ））。在排气后，进行基于微波的等离子体的处理（图６（Ｃ））。在等离子体处理结束后，为了除去未反应的反应气体等，对处理容器（３２）内进行排气（图６（Ｄ））。重复步骤（Ａ）～步骤（Ｄ）的一连串流程直至成为所希望的膜厚。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及成膜方法、半导体元件的制造方法、绝缘膜以及半导体元件，特别涉及使用等离子体处理的成膜方法、半导体元件的制造方法、使用等离子体处理而形成的绝缘膜以及半导体元件。
技术介绍
以往，在形成以 LSI (Large Scale Integrated circuit)、CCD (Charge Coupled Device)或MOS (Metal Oxide Semiconductor)晶体管等为代表的半导体元件的对栅极氧化膜等要求高耐压特性、优良的漏电特性的绝缘层的情况下，通常使用热CVD(ChemiCal Vapor Deposition)法。但是，在形成被要求高绝缘性的硅氧化膜的情况下，如果利用上述的热CVD来进行硅氧化膜的成膜，则需要将硅基板暴露在高温下。这样，在由熔点比较低的物质、例如熔点低的金属或高分子化合物已经在硅基板上形成了导电层等的情况下，存在熔点低的金属发生熔融等问题。作为解决这样的问题、更高效率地形成高品质膜的方法，使用了等离子体能量的PE-ALD(Plasma-Enhanced ALD)法受到了人们的注目(May 15 2008 ASM Semi Mfg 本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种成膜方法，用于对被处理基板进行成膜，其特征在于，包含：气体吸附工序，使成膜气体吸附到所述被处理基板上，在所述被处理基板上形成吸附层；和等离子体处理工序，在所述气体吸附工序之后，使用微波等离子体对所述吸附层进行等离子体处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田博一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP