等离子体处理装置以及等离子体处理装置用气体供给机构制造方法及图纸

等离子体处理装置（３１）具备：处理容器（３２）；等离子体处理用气体供给部（３３），其对处理容器（３２）内供给等离子体处理用的气体；保持台（３４），在其上保持被处理基板（Ｗ）；等离子体产生机构（３９），其使处理容器（３２）内产生等离子体；气体供给机构（６１），其包括能够移动到成为保持台（３４）上方侧的第一位置以及与第一位置不同的第二位置并且能够供给气体的头部（６２），当头部（６２）被配置于第一位置时在头部（６２）与保持台（３４）之间形成的小容积区域中，使成膜气体吸附到被处理基板（Ｗ）上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置以及等离子体处理装置用气体供给机构，尤其涉及在半导体元件的制造中利用的等离子体处理装置、以及这样的等离子体处理装置中所使用的等离子体处理装置用气体供给机构。
技术介绍
以往，在形成以 LSI (Large Scale Integrated circuit)、CCD (Charge Coupled Device)、MOS(Metal Oxide Semiconductor)晶体管等为代表的半导体元件的对栅极氧化膜等要求高耐压特性、良好的泄漏特性的绝缘层的情况下，一般使用热CVD(ChemiCal Vapor Deposition)法。但是，在形成被要求高绝缘性的硅氧化膜的情况下，当利用上述的热CVD来形成硅氧化膜时，需要将硅基板暴露在高温下。这样，在利用熔点相对低的物质， 例如低熔点金属或高分子化合物已经在硅基板上形成有导电层等的情况下，有时会产生低熔点金属发生熔融等问题。另一方面，从近年来器件高集成化的观点出发，被要求对三维构造等的阶差覆盖性和均勻性、在绝缘膜内以及界面上没有杂质和物理缺陷的高品质的膜质。作为解决这些问题的方法，公知通过以相当原子的单位本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：处理容器，其包含位于下方侧的底部以及从所述底部的外周侧向上方侧延伸的侧壁，并能够密封，在其内部对被处理基板进行等离子体处理；保持台，其被配置在所述处理容器内，在其上保持所述被处理基板；等离子体产生单元，其使所述处理容器内产生等离子体；以及气体供给机构，其包含能够移动到成为所述保持台的上方侧的第一位置以及与所述第一位置不同的第二位置并能够供给气体的头部，当所述头部被配置于所述第一位置时在所述头部与所述保持台之间形成的小容积区域中供给成膜气体，使成膜气体吸附到所述被处理基板上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎征英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP