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本发明涉及的成膜方法首先使成为半导体元件的基础的被处理基板（Ｗ）保持在保持台（３４）上。接着，使成膜气体吸附到被处理基板（Ｗ）上（图６（Ａ））。然后，为了除去多余吸附的成膜气体，对处理容器（３２）内进行排气（图６（Ｂ））。在排气后，进行基于...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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