Ｃｕ膜的成膜方法和存储介质技术

在腔室（１）内收纳具有ＣＶＤ－Ｒｕ膜的晶片Ｗ，在腔室（１）内以气相状态导入含有作为Ｃｕ配位化合物的Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ的成膜原料，其中，作为成膜中产生的副产物Ｃｕ（ｈｆａｃ）２的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压，在形成于晶片Ｗ的ＣＶＤ－Ｒｕ膜上形成ＣＶＤ－Ｃｕ膜时，将腔室１内压力控制为吸附于ＣＶＤ－Ｒｕ膜表面的Ｃｕ（ｈｆａｃ）２的进行脱离和扩散的压力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过CVD在半导体基板等的基板形成Cu膜的Cu膜的成膜方法和存储介质。
技术介绍
近年来，随着半导体设备的高速化、配线图案的微细化，高于Al导电性且电子迁移耐性等也良好的Cu作为配线、镀Cu的晶种层、接触插头的材料备受瞩目。作为该Cu的成膜方法，大多使用以溅射法为代表的物理蒸镀(PVD)法，但伴随半导体设备的微细化，阶跃式覆盖率(St印coverage)差这一缺点不断变得明显。因此，作为Cu膜的成膜方法，一直使用着通过含Cu原料气体的热分解反应和该原料气体利用还原性气体的还原反应在基板上形成Cu膜的化学气相沉积生长(CVD)法。通过这样的CVD法形成的Cu膜(CVD-Cu膜)由于阶跃式覆盖率(高差被覆性)高、在细长且深的图案内的成膜性优异，因此对微小的图案的追踪性高，适于形成配线、镀Cu的晶种层、 接触插头。在通过CVD法形成Cu膜时，已知有对成膜原料(前体)使用六氟乙酰丙酮-三甲基乙烯基硅烷铜(CU(hfac)TMVQ等Cu配位化合物，将其热分解的技术(例如日本特开 2000-282242 号公报)。另一方面，作为Cu的附着层或阻挡金属(barrier metal)本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｃｕ膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内收纳基板的工序；在所述处理容器内，以气相状态导入含有Ｃｕ配位化合物的成膜原料的工序，其中，成膜中产生的副产物的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压；将所述处理容器内的压力控制为吸附于基板上的所述副产物进行脱离和扩散的压力的工序；和使所述气相状态的成膜原料在基板上分解，通过ＣＶＤ法在基板上沉积Ｃｕ，形成Ｃｕ膜的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岛康彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP