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在腔室（１）内收纳具有ＣＶＤ－Ｒｕ膜的晶片Ｗ，在腔室（１）内以气相状态导入含有作为Ｃｕ配位化合物的Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ的成膜原料，其中，作为成膜中产生的副产物Ｃｕ（ｈｆａｃ）２的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压，在形成于晶片Ｗ的ＣＶＤ－Ｒｕ膜...
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