【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利涉及一种半导体制造方法，特别涉及一种集成有原子层沉积工艺的化 学气相沉积方法。
技术介绍
纳米薄膜材料被誉为“21世纪最具有前途的材料”，是近年来发展最迅速的纳米技 术之一。人们对纳米薄膜材料的制备、结构、性能及其应用，进行了广泛而深入的研究。纳米 薄膜材料在微电子技术、光电通讯开关、微机电系统、传感器等领域发挥着重要的作用。此 外，在生物医学、航空航天、国防装备、节能环保、故障诊断等许多重要领域都有非常广阔的 应用前景。薄膜材料的研究严重依赖于薄膜的制备手段。高质量的薄膜材料有利于薄膜器 件物理的研究和薄膜器件应用的发展。长期以来，人们发展了多种薄膜制备技术和方法， 如真空蒸发沉积、磁控溅射沉积、离子束溅射沉积、金属有机物化学气相沉积(M0CVD，Metal Organic ChemicalVapor Deposition)禾口分子束夕卜延(MBE，Molecular Beam Epitaxy)等。 上述方法各具特色，在一定的范围内得到大量的应用。尽管如此，随着人们对材料尺度进一 步减小的需求，传统的薄膜材料制作方法由于其各自的局限性，已经越来越...
【技术保护点】
１．一种集成有原子层沉积工艺的金属有机物化学气相沉积方法，其特征在于：在金属有机物化学气相沉积工艺过程中，通过脉冲喷射流量的方式引入化学反应源气体物质，该方法至少包含一次下述循环，所述循环包括下述步骤：１）化学反应源气体经气动阀进入反应腔对衬底进行金属有机物化学气相沉积外延生长，此时载气经另一组常开气动阀与尾气管路连接；２）化学反应源气体和载气经交替开启和关闭的气动阀对衬底进行脉冲喷射，进行原子层沉积生长；３）判断沉积生长是否完成，未完成进入下一轮沉积循环。
【技术特征摘要】
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