沟槽阵列的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种沟槽阵列的形成方法，包括步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上具有掩膜层；图案化掩膜层，形成具有阵列排列的条形开口的掩膜图案；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr的刻蚀气体对所述半导体基底第一刻蚀；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr、O2的刻蚀气体对所述半导体基底第二刻蚀；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr、O2的刻蚀气体对所述半导体基底第三刻蚀，其中第一刻蚀的NF3流量小于第二刻蚀及第三刻蚀中的NF3流量，第二刻蚀中的氧气流量小于第三刻蚀中的氧气流量。本发明专利技术能够将沟槽的CD进一步减小，深宽比进一步增大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
PCRAM(相变存储器)是基于相变材料的可逆相变，利用其非晶态时的半导体高阻 特性与多晶态时的半金属低阻特性实现存储的技术。随着集成电路技术的发展，特别是光 刻等微纳加工技术水平的迅速提高，利用纳米尺度相变材料的电阻特性实现非挥发的存储 技术引起了工业界的重视。针对高密度PCRAM，器件制备尺寸的物理极限的研究又是一个研究热点。最新研 发的PCRAM(存储单元尺寸为3nmX2Gnm)显示出了其替代计算机硬盘的潜力，模拟结果认为 其存储单元的尺寸可以小到帕nm。因此，PCRAM技术在高密度存储方面具有很大的发展空 间。这些小尺寸存储器件的尺寸降低是非常关键和重要的，尺寸降低可以实现密度的增大， 从而实现同样的面积下更高容量的存储。相变存储器器件单元的相变过程最终要与MOS管或二极管的开关效应构成存储 单元，例如在申请号为“200810033926. 5”的中国专利文献中提供了一种高密度相变存储器 的结构与制备的工艺。图1所示为一种现有的PCRAM的结构示意图，如图1所示，字线6与 位线(未图示)在不同平面交叉排布，两者交叉本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种沟槽阵列的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上具有掩膜层；图案化掩膜层，形成具有阵列排列的条形开口的掩膜图案；利用掩膜图案做掩膜，用含有ＮＦ３和ＨＢｒ的刻蚀气体对所述半导体基底第一刻蚀；利用掩膜图案做掩膜，用含有ＮＦ３和ＨＢｒ、Ｏ２的刻蚀气体对所述半导体基底第二刻蚀；利用掩膜图案做掩膜，用含有ＮＦ３和ＨＢｒ、Ｏ２的刻蚀气体对所述半导体基底第三刻蚀，其中第一刻蚀的ＮＦ３流量小于第二刻蚀及第三刻蚀中的ＮＦ３流量，第二刻蚀中的氧气流量小于第三刻蚀中的氧气流量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31