温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种沟槽阵列的形成方法，包括步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上具有掩膜层；图案化掩膜层，形成具有阵列排列的条形开口的掩膜图案；利用掩膜图案做掩膜，用含有NF3和HBr的刻蚀气体对所述半导体基底第一刻蚀；利用掩膜图案做掩膜，...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。