离子供给装置和具有离子供给装置的被处理体的处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供离子供给装置和具有离子供给装置的被处理体的处理系统。离子供给装置(54)具有将离子和载气喷出到要除去静电的除电对象的离子供给喷嘴(58)。离子供给喷嘴(58)在其喷出口上设有狭缝(59)。狭缝(59)形成为在其与除电对象之间的距离变远时狭缝(59)的宽度变宽。在离子供给喷嘴(58)的喷出口附近的内部流路(60)中设有多个内部翅片(61)。内部翅片(61)配置为使从狭缝(59)喷出的离子和载气均匀地分散到狭缝(59)的长度方向的整个区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及离子供给装置和被处理体的处理系统，该被处理体的处理系统具有该离子供给装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，在被处理体、例如半导体晶圆上进行用于形成薄膜等各种处理。在这样的处理的过程中，进行半导体晶圆的输送，由于该输送时的构件彼此之间的略微的接触、滑动接触，易于在半导体晶圆、用于收容半导体晶圆的晶圆舟皿等上产生静电。存在以下问题在半导体晶圆等上产生静电而半导体晶圆等带电时，尘埃等微粒变得易于附着在半导体晶圆上，结果，制品的成品率下降。因此，正在研究一种在处理装置内设置用于将在半导体晶圆等上带有的静电除去的除电装置。例如，日本特开2005-72559号公报中提出一种基板处理装置，其具有用于保持基板的基板保持部件、对基板保持部件所处于的气氛进行除电的除电部件。然而，处理装置为如立式的批量式处理装置那样，存在多个除电对象、即半导体晶圆等而需要在大范围内进行除电的情况下，不易均勻地除电。因此，需要能够在大范围内得到均勻的除电效果的装置。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而做成的，其目的在于提供一种能够在大范围内得到均勻的除电效果的离子供给装置。本专利技术的另一个目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种离子供给装置，其特征在于，包括：离子产生器，其用于产生能够除去静电的离子；载气供给部，其用于将载气供给到上述离子产生器，该载气用于对在上述离子产生器中产生的离子进行输送；离子供给喷嘴，其经由喷出口将来自上述离子产生器的离子和载气喷出到要除去静电的除电对象；在上述喷出口上设有狭缝，该狭缝形成为在其与上述除电对象之间的距离变远时该狭缝的宽度变宽；上述离子供给喷嘴具有被设在上述喷出口附近的内部流路中的多个内部翅片，该内部翅片配置为使从上述狭缝喷出的离子和载气均匀地分散在上述狭缝的长度方向的整个区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：菅原佑道，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP