【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于对基板供给处理气体的气体供给装置、具备该气体供给装置的处理装置、使用了气体供给装置的处理方法以及存储介质。
技术介绍
当前，使用气体喷淋头作为面向进行CVD (chemical vapor exposition)及蚀刻等的装置的气体供给装置。该气体喷淋头被制成扁平的圆柱形状，使从设于上部的气体导入口供给的气体在内部的扩散空间中扩散，从形成于下面的多个孔中以喷淋状进行供给。作为供给多种处理气体的气体喷淋头，存在有在一个系统的气体流路的途中混合多种处理气体后进行供给的所谓前混合方式的气体喷淋头和针对多种气体分别地设置气体流路进行供给的后混合方式的气体喷淋头。另一方面，作为成膜方法还已知有如下的所谓ALD (Atomic Layer Deposition), 即，将多种处理气体的供给例如分为2个步骤，交替地执行供给第一处理气体的第一步骤、 供给第二处理气体的第二步骤，而依次层叠这些处理气体的反应产物，从而进行成膜。由于喷头内的气体流路复杂且狭窄，因此流导低，气体的置换性差。由此在ALD 的情况下，为了避免在时间上前后供给的多种处理气体在喷头内部相互混...
【技术保护点】
１．一种气体供给装置，与处理容器内的基板对置地配置，用于向所述基板供给气体来进行气体处理，其特征在于，具备：主体部，其具有用于使所述气体流通的气体流通空间；气体导入口，其设于所述主体部中的所述气体流通空间的上游端侧，用于将所述气体导入到所述气体流通空间；板状构件，其设于所述主体部的所述气体流通空间的下游端侧，具有用于将向所述气体流通空间供给的所述气体向所述基板供给的以同心圆状开口的多个狭缝。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：津田荣之辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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