一种平坦化方法技术

本发明专利技术涉及一种平坦化方法，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置底层金属连线；b、淀积绝缘介质层；c、涂布光刻胶；d、对衬底及光刻胶进行热处理；e、对衬底及光刻胶进行干法刻蚀，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；f、用EKC溶液清洗；g、再次淀积绝缘介质层；h、再次涂布光刻胶；i、对上述衬底及光刻胶进行热处理；j、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当；k、对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗。本发明专利技术工艺步骤简单有效，加工成本低廉，平坦化效果好，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，具体地说时一种通过两次牺牲层回刻使平坦化满足 生产工艺的要求。
技术介绍
随着工艺器件应用越来越广泛，在某些器件中设计中底层的金属连线的厚度就会 达到1 μ m以上，厚的台阶差异导致介质淀积形成的空洞和平坦化不良给后续其他连线金 属淀积和刻蚀带来不利，影响后续生产工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供，其工艺步骤 简单有效，加工成本低廉，平坦化效果好，安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案，所述平坦化方法包括如下步骤a、提供衬底，所述衬底上设置底层金属连线；b、在上述衬底上，淀积绝缘介质层， 所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上；C、在上述绝缘介质层上涂布光刻胶；d、对上述衬 底及光刻胶进行热处理，去除光刻胶中的水汽；e、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去 除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质 层；f、对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗，清除衬底上的光刻胶；g、上述衬底 上，再次淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上；h、在上述再次淀积得到 的绝缘介质层上涂布光刻胶；i、对上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平坦化方法，其特征是，所述平坦化方法包括如下步骤：（ａ）、提供衬底，所述衬底上设置底层金属连线；（ｂ）、在上述衬底上，淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上；（ｃ）、在上述绝缘介质层上涂布光刻胶；（ｄ）、对上述衬底及光刻胶进行热处理，去除光刻胶中的水汽；（ｅ）、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；（ｆ）、对上述衬底通过干法去胶后，再用ＥＫＣ溶液清洗，清除衬底上的光刻胶；（ｇ）、上述衬底上，再次淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上；（ｈ）、在上述再次淀积得到的绝缘介质层上涂布光刻胶；（ｉ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖志强，黄蕴，张明，吴建伟，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32