本发明专利技术提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置，特别是涉及一种具有在处理室内移动自如的电极的基板处理装置。
技术介绍
用于对作为基板的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)实施等离子处理的基板处理装置包括用于收容晶圆且能够对内部减压的腔室、配置在该腔室内部的下部的载置台 (以下称为“基座”)以及在腔室内部与基座相对地配置的喷头。基座用于载置晶圆，并且作为与高频电源相连接而对腔室内部施加高频电力的电极发挥作用；喷头用于将处理气体导入到腔室内部，并且被接地而作为接地电极发挥作用。在该基板处理装置中，利用高频电力激励供给到腔室内部的处理气体而生成等离子体，利用该等离子体对晶圆实施等离子处理。不过，为了使等离子体适当地分布在腔室内部、特别是适当地分布在喷头和基座之间的空间里，以往开发出了一种将基座构成为可动式从而能够调节喷头和基座之间的处理空间的距离(以下称作“间隙”。)的基板处理装置(例如参照专利文献1)。此外，近年来由于受到基板处理装置的周边的在布局上的制约，正在探讨结构为基座不动而喷头移动自如的基板处理装置。图11是概略地表示喷头移动自如的基板处理装置的结构的剖视图。在图11的基板处理装置100中，在圆筒状的腔室101内部与基座102相对地配置的喷头103呈大致圆板状，该喷头103具有与腔室101的内径基本上相等的外径，利用省略了图示的升降机构，使该喷头103在腔室101内部像活塞那样上下移动。此外，随着该喷头 103的上下移动而伸缩的波纹管104介于喷头103和腔室101的顶壁IOla之间，该波纹管 104将腔室101内密封以使腔室101与外部气体隔绝。另外，在图11中，用实线表示下降到最下方位置的喷头103，用虚线表示上升到最上方位置的喷头103。专利文献1 国际公开第2003/003437号小册子的图1但是，在该基板处理装置100中，为了实现喷头103顺畅地上下移动，并且为了防止因喷头103和腔室101的侧壁IOlb的摩擦而产生微粒，喷头103与该侧壁IOlb保持有一定程度的间隔。即喷头103与侧壁IOlb不会接触，因此不会有直流电流从喷头103流向侧壁101b，并且也几乎不会有交流电流从喷头103流向侧壁101b。其结果，在基板处理装置100中，由施加在基座102上的高频电力引发的高频电流如图11中的箭头A所示那样按照基座102、处理空间PS、喷头103、波纹管104、腔室101的顶壁IOla以及该腔室101的侧壁IOlb这样的顺序流动。这里，考虑到耐久性，波纹管104由例如不锈钢构成，因此，波纹管104的阻抗比由铝构成的其他部位(腔室101、喷头103等)的阻抗大。其结果，沿波纹管104，具体而言是在喷头103和腔室101的顶壁IOla之间产生电位差，在位于喷头103和顶壁IOla之间的空间(上部空间)US产生电场。该电场将从处理空间PS进入到上部空间US内的处理气体电离而使其产生等离子体。存在如下问题在上部空间US内产生的等离子体使腔室101的壁面、喷头103发生消耗，而且产生沉积物。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间内产生等离子体。为了达到上述目的，第1技术方案所述的基板处理装置包括用于收容基板的筒状容器、在该筒状容器内沿上述筒状容器的中心轴线移动自如的移动电极、在上述筒状容器内与上述移动电极相对的对置电极、用于将上述移动电极和上述筒状容器的上述一个端壁连接起来的伸缩自如的分隔壁，向位于上述移动电极和上述对置电极之间的处理空间施加高频电力并且导入处理气体，上述移动电极与上述筒状容器的侧壁不接触，其特征在于 配设有将上述移动电极与上述筒状容器的上述一个端壁或者上述侧壁电连接的分流构件。第2技术方案所述的基板处理装置根据第1技术方案所述的基板处理装置，其特征在于上述分流构件随着上述移动电极的移动而变形自如。第3技术方案所述的基板处理装置根据第1技术方案所述的基板处理装置，其特征在于上述分流构件的、与上述移动电极连接的第1连接端之外的第2连接端连接在上述筒状容器的上述一个端壁的外周部上。第4技术方案所述的基板处理装置根据第1技术方案所述的基板处理装置，其特征在于上述分流构件的、与上述移动电极连接的第1连接端之外的第2连接端随着上述移动电极的移动，一边与上述筒状容器的上述侧壁滑动接触一边移动。第5技术方案所述的基板处理装置根据第1 4技术方案中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于上述分流构件呈具有规定宽度的长方形状，并且沿上述筒状容器的上述侧壁均等地配设有多个。第6技术方案所述的基板处理装置根据第1 4技术方案中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于上述分流构件是与上述筒状容器的同心的圆形状的环状构件。第7技术方案所述的基板处理装置根据第1 4技术方案中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于上述分流构件由铝板、铜板、钛铝复合板、及在铝板、铜板、钛铝复合板的表面施加了绝缘涂层的材料中的任意一种构成。第8技术方案所述的基板处理装置根据第1 4技术方案中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于上述分流构件的厚度为该分流构件的趋肤深度(skin depth)的2 倍以上。第9技术方案所述的基板处理装置根据第8技术方案所述的基板处理装置，其特征在于上述分流构件的厚度为0. Imm以下。专利技术的效果根据本专利技术，由于配设有将移动电极和筒状容器的一个端壁或者侧壁电连接的分流构件，所以能够消除移动电极与筒状容器的一个壁面之间的电位差，抑制电场的产生，因而能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间内产生等离子体。附图说明图1是概略地表示本专利技术的实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。图2是表示图1的基板处理装置中的分流构件的放大剖视图。图3是将图1的基板处理装置中的上部电极、喷头、上部空间、波纹管及侧壁模型化后的等效电路。图4是表示图3的等效电路中的上部电极整体的阻抗的频率特性的曲线图。图5是与图4相对应的曲线图，它表示基板处理装置的波纹管直径为370mm时的上部电极整体的阻抗的频率特性。图6是与图4相对应的曲线图，它表示基板处理装置的波纹管直径为470mm时的上部电极整体的阻抗的频率特性。图7是概略地表示图1的基板处理装置中的分流构件的变形例的结构的剖视图。图8是概略地表示图1的基板处理装置中的分流构件的另一个变形例的结构的剖视图。图9是概略地表示图1的基板处理装置中的分流构件的又一个变形例的结构的剖视图。图10是概略地表示图1的基板处理装置中的分流构件的再一个变形例的结构的剖视图。图11是概略地表示喷头移动自如的基板处理装置的结构的剖视图。 具体实施例方式下面，关于本专利技术的实施方式，参照附图进行详细说明。图1是概略地表示本专利技术的实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。该基板处理装置构成为对晶圆实施干法蚀刻处理。在图1中，基板处理装置10具有用于收容例如直径为300mm的圆晶W的圆筒状的腔室11 (筒状容器)，在该腔室11内的图中下方配置有用于载置半导体器件用的晶圆W的圆板形状的基座12(对置电极)。腔室11具有圆管状的侧壁13和覆盖该侧壁13的图中上方的端部的圆板状的盖14(筒状容器的一个端壁)。腔室11内利用TMP (Turbo Mole Pump本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种基板处理装置，其包括：用于收容基板的筒状容器、在该筒状容器内沿上述筒状容器的中心轴线移动自如的移动电极、在上述筒状容器内与上述移动电极相对的对置电极、用于将上述移动电极和上述筒状容器的一个端壁连接起来的伸缩自如的分隔壁，向位于上述移动电极和上述对置电极之间的处理空间施加高频电力并且导入处理气体，上述移动电极与上述筒状容器的侧壁不接触，其特征在于，该基板处理装置配设有将上述移动电极与上述筒状容器的上述一个端壁或者上述侧壁电连接的分流构件。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉村章弘，佐藤彻治，堀口将人，和田畅弘，小林真，辻本宏，田村纯，直井护，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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