本发明提供一种能够提高直接载置被处理体的热分散板的耐久性使其难以破损且连接端子不会腐蚀的载置台构造和处理装置。载置台构造被设置在能够排气的处理容器（３２）内，用于载置要处理的被处理体（Ｗ），包括：载置台主体（７４），其设置有对被处理体进...

本发明提供一种能够在由基板制成的半导体器件的成品率较高的状态下开始规定的处理的处理开始可否的判定方法。在具备收纳晶片（Ｗ）的腔室（１１）和对该腔室（１１）进行排气的排气系统（１４）的基板处理装置（１０）中，在清洗了腔室（１１）的构成部件...

本发明提供顶板的校平机构以及探针装置，能抑制半导体晶片等被检查体与探针卡电接触时的顶板的位置偏离，能进行可靠性高的检查。本发明的校平机构（２０），包括：一对升降机构（１４），其设置在用左右两端部将顶板（１１）的后端部支撑的第一支撑柱（１...

本发明提供一种能够避免工艺过程气氛污染并且高效降低抗蚀图案的线宽粗糙度的抗蚀剂涂布显影装置和抗蚀剂涂布显影方法。抗蚀涂布显影装置（１）具备在基板（Ｗ）上涂布抗蚀剂而形成抗蚀膜的抗蚀膜形成部；对曝光的抗蚀膜进行显影的抗蚀剂显影部（１８）；...

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，所述基板处理装置无需对常压搬运室采取大规模的防腐蚀对策，并且也不会降低生产率。设置迂回路径（２４），该迂回路径（２４）用于将基板（Ｗ）在不经由作为常压搬运室的装载组件（１５）的情况下从装载锁定室...

本发明提供能够更强地抑制光致抗蚀剂层的高度的减小的被处理体的处理方法。被处理体Ｗ具备有机膜和形成在该有机膜上的光致抗蚀剂层，使用含氢的处理气体作为处理气体，一面对第一电极（５）施加直流负电压，一面使用光致抗蚀剂层作为掩膜，利用含氢的等离...

本发明提供一种基板液处理装置和处理液生成方法。该基板液处理装置无论同时使用的处理液的流量如何都能够生成规定浓度的处理液。该基板液处理装置包括：多个基板处理部，其用处理液处理基板；处理液生成部，其通过使气体溶解于溶剂而生成规定浓度的处理液...

本发明提供能够防止载置台产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损的载置台结构和处理装置。该载置台结构设置在处理容器内，用于载置要处理的被处理体，包括：由电介质形成的载置台，其载置并支承被处理体，并且设置有加热被处理体的加热机构；多个保...

本发明提供一种能够进行良好的形状控制并且能够以高速进行氮化硅膜的蚀刻的等离子体蚀刻方法。在对具备在自上而下开口面积逐渐减小的开口部的抗蚀剂图案的下层侧形成的被处理基板（Ｓ）上的氮化硅膜进行等离子体蚀刻时，包括将被处理基板（Ｓ）搬入处理容...

本发明提供一种减压干燥装置和减压干燥方法，能够在对被处理基板上的涂敷膜迅速地进行减压干燥处理的工艺和缓慢地进行减压干燥处理的工艺之间有选择性地进行切换。在该减压干燥单元（２１４）中，气流控制部（２６０）包括：位于下部腔室（２２４）的沿Ｙ...

本发明提供一种能够抑制基板间的热处理温度产生偏差、并且使基板间以及基板面内的布线图案的线宽均匀化的热处理装置。该热处理装置包括：基板输送部件，形成基板输送路径，沿基板输送路径连续地平流输送多个基板；第１腔室，覆盖基板输送路径的规定区间，...

本发明涉及Ｘ射线产生用靶、Ｘ射线产生装置以及Ｘ射线产生用靶的制造方法。Ｘ射线产生用靶具备基板和靶部。基板由金刚石构成，具有相互相对的第１主面和第２主面。基板上从第１主面侧形成具有底面状的孔部。靶部由从孔部的底面朝向第１主面侧堆积的金属构...

本发明涉及一种等离子体处理装置。在用于将处理气体导入到处理容器中的导入部中抑制碳系附作物的产生。本发明的等离子体处理装置（１）将被导入到处理容器（２）中的处理气体等离子体化以对衬底（Ｗ）进行处理，其中，在处理容器（２）的顶面上设有处理气...

本发明提供一种在可抑制模型基板的翘曲的基板处理装置中的模型基板的使用方法。其包括下述工序：对收纳于模型基板收纳部的多个模型基板的每一个，基于在工艺室进行的工艺制法，通过计算机制作含有成膜的膜的种类和膜厚的成膜履历的工序；利用按照膜的种类...

本发明提供一种使用第１和第２反应气体在被处理体上形成薄膜的成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括真空容器、排气系统、用于载置被处理体的旋转台、用于使旋转台旋转的旋转机构以及将被处理体设定为使第１反应气体凝结的温度的温度调整机构。在真空容器内...

提供的是采用对一个衬底至少两次执行光刻和刻蚀的多图案化技 术的衬底处理方法。通过使用衬底处理系统来执行该衬底处理方法，在 该衬底处理系统中准备有用于执行光刻的每一步骤的多个处理单元。在 对衬底执行第二次光刻时，为了使用与第一次光刻所使用...

本发明提供一种基板输送装置以及基板输送方法，不用停止基板的输送而将其从浮起台运出，抑制产生对基板的被处理面的转印痕，能够提高生产能力。该基板输送装置具有将基板（Ｇ）以浮起的状态输送的浮起输送部（２Ａ）以及配置在所述浮起输送部的后段，从所...

本发明提供一种通过控制向汽化室吐出的液态原料的液滴的尺寸 并抑制液滴尺寸的参差不齐，使液滴确实地得到汽化的汽化器和设有 该汽化器的成膜装置。汽化器包括：以规定压力供给液态原料的原料 液室(410)；用于吐出原料液室内的液态原料的多个吐出...

一种等离子体氧化处理方法，维持在低压力、低氧浓度条件下的 等离子体氧化处理的优点，并且使膜厚不依赖于图案疏密，而以均匀 的膜厚形成硅氧化膜。在等离子体处理装置的处理室内，对具有凸凹 图案的被处理体表面的硅作用处理气体的等离子体而进行氧化...

本发明提供一种高效率地去除堆积在ＥＳＣ的外周部的以ＣＦ为主要成分且含有Ｓｉ和Ａｌ的肩部堆积物的腔室内清洁方法。朝向ＥＳＣ（２４）的外周部（２４ａ）以压力４００～８００ｍＴｏｒｒ供给由Ｏ２气体和含Ｆ气体构成的混合气体，有选择性地对ＥＳＣ（...