腔室内清洁方法技术

本发明专利技术提供一种高效率地去除堆积在ＥＳＣ的外周部的以ＣＦ为主要成分且含有Ｓｉ和Ａｌ的肩部堆积物的腔室内清洁方法。朝向ＥＳＣ（２４）的外周部（２４ａ）以压力４００～８００ｍＴｏｒｒ供给由Ｏ２气体和含Ｆ气体构成的混合气体，有选择性地对ＥＳＣ（２４）的外周部（２４ａ）照射由该混合气体生成的等离子体，并且，对ＥＳＣ（２４）的除外周部（２４ａ）之外的上部表面供给作为掩蔽气体的Ｏ２单一气体，防止ＥＳＣ（２４）的除外周部（２４ａ）之外的上部表面暴露于Ｆ自由基中，一边分解、去除附着在该外周部（２４ａ）的肩部堆积物（５０）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及去除附着在静电吸盘的外周部的堆积物的，该静电吸盘设于基板处理装置的腔室内、用于载置基板。
技术介绍
作为基板处理装置，众所周知有用等离子体对基板实施蚀刻等规定处理的等离 子处理装置。等离子处理装置包括以下构件等处理室(腔室)，在其内部产生等离子 体，且收容基板例如半导体器件用的晶圆，并能够减压；载置台(基座)，其被配置在腔 室内，用于载置晶圆；静电吸盘(ESC)，其被配置在该基座的最上部，用于支承晶圆； 上部电极，其与ESC相对地隔有空间而配置在ESC的上方，用于将处理气体导入到腔室 内；聚焦环(F/R)，其被配置在基座的上部外周缘部，围绕晶圆。ESC例如由圆板状的陶瓷构件构成，内部具有与直流电源连接的静电电极。在 向静电电极施加正的直流电压时，在载置于ESC的上表面的晶圆的靠ESC侧的背面产生 负电位，静电电极和晶圆W的背面之间产生电位差，利用因该电位差引起的库仑力或约 翰逊·拉贝克力，晶圆被ESC吸附保持。ESC通常被设计成直径比载置于该ESC的晶圆的直径小一圈，ESC的外周部和 晶圆的背面之间产生若干的间隙。而且，在该间隙中，应用于等离子处理的CF类处理气 体的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔室内清洁方法，其是去除附着于台状的静电吸盘的外周部的以ＣＦ为主要成分且含有Ｓｉ和金属中至少一方的堆积物的腔室内清洁方法，该台状的静电吸盘设于用于对基板实施等离子处理的基板处理装置的腔室内，用于载置上述基板，其特征在于，使由氧气和含氟气体构成的混合气体所生成的等离子体照射上述静电吸盘的外周部而去除上述堆积物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：本田昌伸，花冈秀敏，平野太一，三村高范，岩田学，冈城武敏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP