一种掩膜版的清洁方法及清洁装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种掩膜版的清洁方法及清洁装置。其中，清洁方法包括：检测步骤，确定掩膜版上的残留污渍的位置信息；清洁步骤，根据所述位置信息，对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解，采用离子风去除掩膜版上的残留污渍。在正常清洁掩膜版后，依然会存在一些残留污渍。一般情况下，这些残留污渍是技术人员在操作掩膜版的过程中所留下指纹等油性污渍，本实施例的清洁方法先对这些残留污渍进行定位，之后根据定位结果对残留污渍进行精确地光照，使残留污渍在掩膜版上分解后松动，从而能够进一步利用离子风将松动后的残留污渍从掩膜版吹落，以达到清洁效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示面板膜层的制作领域，特别是一种掩膜版的清洁方法及清洁装置。
技术介绍
显示领域，曝光是TFT面板制作中最重要的环节。曝光实现了掩膜版掩膜版上图形向光刻胶PR的转移，PR形成图案后，对基板上的膜层进行相应的刻蚀，膜层上就有了图形。掩膜版掩膜版是曝光中重要的工具，掩膜版掩膜版的好坏决定后续TFT基板上电路的好坏。随着掩膜版掩膜版使用时间变长，其表面会沉积肉眼可见以及不可见的污渍。随着曝光设备的老化，掩膜版掩膜版表面甚至会沉积油性污渍，导致图形转移到基板上出现重复性的不良，给生产带来巨大的损失。因此，需要定期对掩膜版掩膜版进行检测和清洁。现在掩膜版掩膜版的清洁方法有人工手动清洁和自动清洁。人工手动清洁具有随意性和不确定性，随着高世代线的生产，掩膜版掩膜版的尺寸变得很大，人工清洁存在摔坏掩膜版掩膜版的风险。自动清洁则实现的成本较高，且不能检测清洁的好坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决掩膜版清洗不干净的问题。为实现上述目的，一方面，本专利技术的实施例提供一种掩膜版的清洁方法，包括：检测步骤，确定掩膜版上的残留污渍的位置信息；清洁步骤，根据所述位置信息，对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解，采用离子风去除掩膜版上的残留污渍。进一步地，所述清洁方法还包括：在所述检测步骤之前，使用离子风对掩膜版进行清洁。进一步地，所述清洁步骤包括：使用极紫外光对掩膜版上的残留污渍进行照射，使该残留污渍得到分解。进一步地，所述检测步骤包括：对所述掩膜版进行光学扫描；根据所述掩膜版在光学扫描中反馈的干涉状况，确定所述掩膜版上残留污渍的位置信息。进一步地，所述掩膜版划分为多个检测区域；所述检测步骤包括：获取每个检测区域的检测图像；根据所述检测图像与预设的标准图像进行比对，确定出存在残留污渍的检测区域；将存在残留污渍的检测区域的坐标作为所述位置信息。进一步地，所述清洁方法还包括：在所述清洁步骤完成后，确定掩膜版上是否存在残留污渍，如果掩膜版存在残留污渍，则重新执行所述检测步骤和清洁步骤。另一方面，本专利技术的实施例还提供一种掩膜版的清洁装置，包括：检测模块，用于确定掩膜版上的残留污渍的位置信息；清洁模块，用于根据所述位置信息，对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解，采用离子风去除掩膜版上的残留污渍。进一步地，所述清洁装置还包括：设置在掩膜版清洗位置的夹具模块，用于水平放置所述掩膜版，且所述夹具模块能够夹持所述掩膜版相对于水平面进行360°的旋转。进一步地，清洁装置还包括：驱动模块，用于控制所述检测模块以及清洁模块进行工作，包括：在控制所述检测模块确定掩膜版上的残留污渍的位置信息前，控制所述清洁模块使用离子风对掩膜版进行清洁。进一步地，所述检测模块包括：光探测器阵列，用于对所述掩膜版进行光学扫描，获取所述掩膜版在光学扫描中反馈的干涉状况；处理器，用于根据所述干涉状况，确定所述掩膜版上残留污渍的位置信息。进一步地，所述检测模块还包括：图像传感器阵列，用于获取每个检测区域的检测图像；图像处理器，用于根据所述检测图像与预设的标准图像进行比对，确定出存在残留污渍的检测区域，并将存在残留污渍的检测区域的坐标作为所述位置信息。本专利技术的上述方案具有如下有益效果：在正常清洁掩膜版后，依然会存在一些残留污渍。一般情况下，这些残留污渍是技术人员在操作掩膜版的过程中所留下指纹等油性污渍，本实施例的清洁方法先对这些残留污渍进行定位，之后根据定位结果对残留污渍进行精确地光照，使残留污渍在掩膜版上分解后松动，从而能够进一步利用离子风将松动后的残留污渍从掩膜版吹落，以达到清洁效果。附图说明图1为本专利技术的掩膜版的清洁方法的步骤示意图；图2为本专利技术掩膜版的清洁方法的详细流程图；图3为本专利技术掩膜版的清洁装置的逻辑构架图；图4为干净的掩膜板；图5为具有残留物的净掩膜板；图6为本专利技术掩膜版的清洁装置的结构示意图；图7为本专利技术掩膜版的清洁装置的夹具模块的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。针对现有技术中掩膜版清洗不干净的技术问题，本专利技术提供一种解决方案。一方面，本专利技术的实施例提供一种掩膜版的清洁方法，如图1所示，包括：检测步骤11，确定掩膜版上的残留污渍的位置信息；清洁步骤12，根据位置信息，对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解，采用离子风去除掩膜版上的残留污渍；其中，离子风可以使残留污渍和掩膜版带有相同电荷，从而使残留污渍和掩膜版产生一定的排斥力，增加脱离效果。在实际应用中，本实施例的方案可以用于对正常清洗后的掩膜版进行再次清洁。在一般情况下，掩膜版正常清洁完成后，依然会存在一些残留污渍，这些残留污渍是技术人员在操作掩膜版的过程中所留下指纹等油性污渍，本实施例的清洁方法先对这些残留污渍进行定位，之后根据定位结果对残留污渍进行精确地光照，使残留污渍在掩膜版上分解后松动，从而能够进一步利用离子风将松动后的残留污渍从掩膜版吹落，以达到清洁效果。由此可见，基于本实施例的方法，可以使掩膜版清洁更加彻底，避免掩膜版的污渍影响到相关产品制作的良品率，因此具有很高的实用价值。下面对本实施例的检测步骤进行示例性介绍。实现方式一在本实现方式一中，可以对先掩膜版进行光学扫描，扫描的光线在掩膜版与残留污渍这两种不同介质表面具有不同的反射率，通过光学干涉原理，可以得到掩膜版掩膜版各的干涉状况(即干涉场分布信息)，确定残留污渍的具体位置，如残留污渍的具体坐标。实现方式二在本实现方式二中，可以将掩膜版划分为一个或多个检测区域；之后利用成像设备获取每个检测区域的检测图像，并根据检测图像与预设的标准图像(即干净的掩膜版图像)进行比对，确定出存在残留污渍的检测区域，将存在残留污渍的检测区域的坐标作为残留污渍的位置信息。在成功定位出残留污渍后，则对应执行清洁步骤。作为示例性介绍，本实施例在清洁步骤中，可以使用极紫外光对掩膜版上的残留污渍进行照射，使该残留污渍得到分解。显然，上述清洁步骤正是基于本实施例中的检测步骤精确定位出的残留污渍的位置，从而实现了极紫外光的集中照射，从而实现更好的分解效果。由此可见，本实施例的清洁的方法专用于对掩膜版的残留污渍进行有效清洁，在清洁步骤完成后，还可以再次对掩膜版进行检测步骤，确定掩膜版上是否存在残留污渍，如果掩膜版存在残留污渍，则重新执行检测步骤和清洁步骤，直至掩膜版达到清洁要求。下面对本实施例的清洁方法的流程进行介绍。如图2所示，本实施例的清洁方法包括：步骤21，使用离子风对掩膜版进行清洁(也可以使用离子水进行清洁)；步骤22，检测掩膜版的残留污渍，并定位残留污渍的坐标；步骤23，使用极紫外光，根据定位到的坐标，对残留污渍进行集中照射；步骤24，使用离子风，再次对残留污渍进行清洁；步骤25，对掩膜版再次进行检测，确定是否有依然有残留污渍；如果存在残留污渍(也可以是残留污渍使掩膜版达不到清洁要求)，则返回执行步骤22；否则清洁结束。以上是本专利技术的清洁方法的介绍，对应于该清洁方法，本专利技术的另一实施例还提供一种掩膜版的清洁装置，如图3所示，包括：检测模块，用于确定掩膜版上的残留污渍的位置信息；清洁模块，用于根据上述位置信息，对掩膜版上的残留污渍进行光照使该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜版的清洁方法，其特征在于，包括：检测步骤，确定掩膜版上的残留污渍的位置信息；清洁步骤，根据所述位置信息，对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解，采用离子风去除掩膜版上的残留污渍。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版的清洁方法，其特征在于，包括：检测步骤，确定掩膜版上的残留污渍的位置信息；清洁步骤，根据所述位置信息，对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解，采用离子风去除掩膜版上的残留污渍。2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，包括：在所述检测步骤之前，使用离子风对掩膜版进行清洁。3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述清洁步骤包括：使用极紫外光对掩膜版上的残留污渍进行照射，使该残留污渍得到分解。4.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述检测步骤包括：对所述掩膜版进行光学扫描；根据所述掩膜版在光学扫描中反馈的干涉状况，确定所述掩膜版上残留污渍的位置信息。5.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述掩膜版划分为多个检测区域；所述检测步骤包括：获取每个检测区域的检测图像；根据所述检测图像与预设的标准图像进行比对，确定出存在残留污渍的检测区域；将存在残留污渍的检测区域的坐标作为所述位置信息。6.根据权利要求1-5所述的清洁方法，其特征在于，还包括：在所述清洁步骤完成后，确定掩膜版上是否存在残留污渍，如果掩膜版存在残留污渍，则重新执行所述检测步骤和清洁步骤。7.一种掩膜版的清洁装置，其特征在于，包括：检测模块，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小波，金宇，苏琦，黄文同，满志金，李亚文，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11