硅基板上的图案修复方法和硅基板上的图案修复装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种硅基板上的图案修复方法和硅基板上的图案修复装置，能够将在通过蚀刻形成于硅基板上的图案之间生长的异物除去，使该图案的形状恢复。该硅基板上的图案修复方法，具有将硅基板收容于腔室内，将硅基板加热到160℃以上的加热工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅基板上的图案修复方法和硅基板上的图案修复装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，利用光刻工序在硅基板(半导体晶片)上形成精细 的电路图案。该光刻工序中，利用光致抗蚀剂的涂布、曝光、显影工序和以光致抗蚀剂等为 掩膜的蚀刻工序等，在硅基板上形成例如线或孔等规定的图案。在这种光刻工序中，在进行蚀刻时，有时在图案的侧壁上会附着聚合物(所谓侧 壁聚合物，side-wall polymer)。作为除去这种侧壁聚合物的技术，已知利用由氟化氢和甲 醇等构成的清洗液来进行清洗的所谓湿式清洗技术(例如参照专利文献1)。另外，作为将形成在接触孔内的自然氧化膜除去的技术，已知使用氟化氢蒸汽与 乙醇蒸汽的混合蒸汽的方法(例如参照专利文献2)。专利文献1 日本特开平11-340183号公报专利文献2 日本特开平5-47742号公报
技术实现思路
如上所述，一直以来，已知有利用湿式清洗来除去在光刻工序的途中产生的侧壁 聚合物的技术，和利用蒸汽来除去接触孔内形成的自然氧化膜的技术。不过，对于半导体装置来说，随着电路图案越来越精细化，利用光刻工序形成的图 案的线宽也有从例如56nm向43nm甚至3本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅基板上的图案修复方法，将在通过蚀刻在硅基板上形成的图案之间生长的异物除去，使该图案的形状恢复，该硅基板上的图案修复方法的特征在于，具有：将所述硅基板收容于腔室内，将所述硅基板加热到１６０℃以上的加热工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西村荣一，田原慈，山下扶美子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP