本发明专利技术提供一种采用简单的构造就能将排气流量从小流量切换成大流量的真空排气用的球阀和真空排气装置。自由转动地设置球部件(41)，以成为吸气端口(33)和排气端口(34)之间通过所述贯通路(45)连通的全开状态；两个端口(33、34)之间被隔断的密闭状态；和所述贯通路(45)的一端面对排气端口(34)的开口部且所述贯通路(45)的另一端从吸气端口(33)的开口部隐藏的微小开放状态中的任意一个状态，并且在所述球部件(41)中设置微小连通路(48)，当处于所述微小开放状态时，通过微小间隙使所述贯通路(45)和吸气端口(33)之间连通。
Ball valve and vacuum exhaust device for vacuum exhaust
The invention provides a ball valve and a vacuum exhaust device which can exhaust the exhaust flow from a small flow to a large flow by a simple construction. Freely rotatable ball member (41), (33) to a suction port and exhaust port (34) through the intersection between the path (45) connected to the fully open state; two ports (33, 34) between the closed state is cut off; and the cross channel (45) of the end face of row gas port (34) of the opening and the cross channel (45) from the other end of the suction port (33) any tiny open state in the opening of the hidden in a state, and in the ball member (41) arranged in the tiny even pathway (48), while in the small open the state, through the pathway through the small gap (45) and (33) connected between the suction port.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在真空排气管路中设置的真空排气用的球阀和真空排气装置。
技术介绍
对于进行半导体制造的真空处理装置，例如在处理气氛下使用石英的情况下，为了防止剧烈的应力作用在石英制品上而导致其破损，从大气气氛开始首先进行缓慢排气， 在一定程度地减压后，进行通常排气，而对处理容器内进行抽真空。因此，采用如图18所示的构造，利用缓慢排气用的旁通管路103将与处理容器100连接的排气管101的主阀(隔离阀)102的上游一侧和下游一侧之间旁路连通，在该旁通管路103中设置辅助阀104。在真空排气时，首先打开辅助阀104进行缓慢排气，接着，关闭辅助阀104，打开主阀102，不间断地排气直至达到规定的真空度。105是真空泵，106是压力调整部。这种真空处理装置可以列举使用石英管的批量式的立式热处理装置和在载置台等中使用石英的单片式的装置等。但是，例如设置仅在真空排气时使用的旁路和辅助阀的方法在成本方面并非良策。因此，已知有一种方法是在使用波纹管型的阀作为主阀的情况下，设定能够得到微量排气的开度的位置，并利用主阀进行缓慢排气。但是，例如0形环等密封部件在排气管101内暴露，因此，波纹管型的阀不适合用在产生大量副生成物的工艺中。这种工艺例如可以列举成膜处理，它采用CVD(ChemiCal Vapor Deposition)法和ALD (Atomic Layer Deposition)法等，在保持在真空气氛下的处理容器内，在基板例如半导体晶片(以下称作晶片)上形成氧化铪(HfC^)等高电介质膜 (High-k 膜)。在专利文献1和2中记载了在球中设置透孔以减少流水声的球阀和用来使液体氢气通过的球阀，但并未对上述技术课题进行探讨。专利文献1 日本特开平8-4917 (图8)专利文献2 日本特开2005-133763 (段落0063)
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述这种情况而提出的，其目的在于提供一种采用简单的结构就能将排气流量从小流量切换至大流量的真空排气用的球阀和使用该球阀的真空排气装置。本专利技术的真空排气用的球阀，其设置在真空排气管路中，其特性在于，包括形成吸气端口和排气端口且构成阀室的阀主体；以自由转动的方式收纳在该阀主体内的作为阀体的球部件；在该球部件中设置的、用于使所述吸气端口和排气端口连通的构成气体流路的贯通路；用于使所述球部件绕与所述贯通路正交的轴转动而对所述吸气端口和排气端口之间进行开闭的转动轴；在所述排气端口的周边缘设置且用于将所述球部件和阀主体之间气密地密封的密封部件；使所述转动轴转动，使所述贯通路处于，吸气端口和排气端口之间连通的全开状态；两个端口之间被隔断的密闭状态；和所述贯通路的一端面对吸气端口和排气端口的其中一个开口部，且所述贯通路的另一端从吸气端口和排气端口的另一个开口部隐藏的微小开放状态中的任意一种状态的驱动部；和在所述球部件和阀主体的至少一个上设置的、在所述微小开放状态时通过微小的间隙将所述贯通路的另一端与吸气端口和排气端口的另一个开口部之间连通的微小连通路。所述微小连通路优选是贯通了贯通路和球部件的外面之间的贯通孔或者在所述阀主体的内壁面上形成的槽部，且优选设置于所述吸气端口侧。本专利技术的真空排气装置，其特征在于，包括其一端与处理容器连接的真空排气管路；在该真空排气管路中设置的所述真空排气用的球阀；和与所述真空排气管路的另一端连接的真空排气机构。根据本专利技术，设置于球部件中的贯通路的一端面对吸气端口和排气端口的其中一个开口部且所述贯通路的另一端从吸气端口和排气端口的另一个开口部隐藏时，通过微小的间隙将该另一个开口部与贯通路的另一端之间连通的微小连通路设置于所述球部件和阀主体的至少一个上。因此，获得微小开放状态的球部件的朝向具有余量，不要求球部件的停止位置具有高精确度。因此，除了全开、关闭状态外，采用简单的构造还能获得进行微小排气的状态。其结果，通过将该球阀用于真空排气装置中，能够用一个阀进行缓慢排气和通常排气，有利于降低成本。附图说明 图1是应用本专利技术的球阀的成膜装置的一例的概图。图2是表示所述球阀的一例的立体图。图3是表示所述球阀的侧视图。图4是表示所述球阀的分解立体图。图5是表示所述球阀的横截面图。图6是放大表示所述球阀的局部的横截面图。图7是表示所述球阀的横截面的立体图。图8是表示所述球阀的纵截面图。图9是表示所述球阀的球部件的侧视图。图10是表示在所述球阀中排出气体时的示意图。图11是表示在所述球阀中微小连通路与吸气端口侧相对时的示意图。图12是表示所述球阀的其他例子的横截面图。图13是表示所述其他例子中的球部件的侧视图。图14是表示其他例子中的所述球阀的横截面的立体图。图15是表示所述其他例子中的球阀的横截面图。图16是表示所述球阀的其他例子的横截面图。图17是表示所述球阀的其他例子的横截面图。图18是表示现符号说明W晶片1处理容器5 5■体24真空泵31球阀33吸气端口34排气端口37转动轴41球部件44密封部件45贯通路46开口部47气体流通口48微小连通路具体实施例方式作为配备有本专利技术的真空排气用球阀的真空排气装置的实施方式的一例，以应用了该真空排气装置的成膜装置为例进行说明。首先，参照图1，对该成膜装置的概况进行说明，该成膜装置是一种例如采用ALD (Atomic Layer D印osition，原子层沉积)法对作为基板的半导体晶片(以下称作“晶片”)W进行成膜处理的装置，它包括处理容器1和在该处理容器1内载置晶片W的载置台2。该载置台2通过从处理容器1的底面伸出的升降轴加与升降机构2b连接，并且该载置台2通过该升降机构2b在进行成膜处理的上位置和搬入搬出晶片W的下位置之间自由地升降。在载置台2上，以相对于晶片W的载置面自由升降的方式构成的未图示的升降销在多处从该载置台2垂下，在所述下位置，通过在处理容器1的底面设置的交接机构3， 使该升降销相对于晶片W的载置面上升，在该升降销和外部的未图示的搬送臂之间进行晶片W的交接。在该载置台2上设置有用于加热晶片W的加热单元例如加热器4 ；和用于从背面一侧静电吸附晶片W的未图示的静电卡盘。在该载置台2的周围，以覆盖该载置台2的方式，设置有用于抑制成膜气体附着的由石英形成的罩体5。另外，该罩体5也设置在上述的升降轴加和处理容器1的内壁面上。图1中的6是气密地连接处理容器1的下表面和升降轴加之间的波纹管，11是被未图示的闸阀气密地关闭的搬送口。在处理容器1的底面侧，形成有用于向升降轴加侧排出氮气队等清洗气体的未图示的供给路。在处理容器1的顶面，按照与载置台2相对的方式，设置有用于向该载置台2上的晶片W供给处理气体的气体喷淋头7。分别用于供给使含铪的化合物吸附在晶片W的表面上用的成膜气体、和使吸附在晶片W上的成膜气体氧化用的氧化气体的气体供给路8a、8b 连接在该气体喷淋头7的上表面侧。这些成膜气体和氧化队气体形成有各自的气体流路， 以不在气体喷淋头7的内部区域相互混合地供给到处理容器1内。用于向处理容器1内供给清洗气体例如氮气的气体供给路8c的一端侧连接在气体喷淋头7的上表面上，该清洗气体构成有气体流路，以使得由所述成膜气体和氧化气体构成的处理气体在气体喷淋头7内不相互混合地供给到处理容器1内。为了向成膜气体和氧化气体流经的本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种真空排气用的球阀，其设置于真空排气管路中，该真空排气用的球阀的特征在于，包括：形成有吸气端口和排气端口并构成阀室的阀主体；以自由转动的方式收纳在该阀主体内的作为阀体的球部件；在该球部件中设置的、用于使所述吸气端口和排气端口连通的构成气体通路的贯通路；用于使所述球部件绕与所述贯通路正交的轴转动而将所述吸气端口和排气端口之间开闭的转动轴；设置在所述排气端口的周边缘用于将所述球部件和阀主体之间气密地密封的密封部件；使所述转动轴转动，从而使所述贯通路处于：吸气端口和排气端口之间连通的全开状态、两个端口之间被隔断的密闭状态、和所述贯通路的一端面对吸气端口和排气端口中的一个开口部，且所述贯通路的另一端从吸气端口和排气端口中的另一个开口部隐藏的微小开放状态中的任意一种状态的驱动部；和设置于所述球部件和阀主体中的至少一个上的、在所述微小开放状态时，通过微小的间隙使所述贯通路的另一端与吸气端口和排气端口中的另一个开口部之间连通的微小连通路。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：河边笃，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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