等离子体处理装置以及等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置和方法，能够提高晶片面内的蚀刻处理的均匀性。相对于与供给等离子体生成用的高频电力的下部电极3相对的上部电极(4)来设置电气特性调整部(20)。电气特性调整部(20)可以进行调整，使得相对于向下部电极3供给的高频电力的频率的、从等离子体(P)看到的上部电极(4)一侧的电路的阻抗，使该电路不发生共振。在进行蚀刻处理时，通过调整，使得所述阻抗从共振点错开，以提高蚀刻处理的面内均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
例如，在半导体装置或者液晶显示装置等的制造工序中，例如进行蚀刻在基板上形成的膜的蚀刻处理或者在基板的表面上形成电极或者绝缘膜的成膜处理等。对这些蚀刻处理或者成膜处理，多采用使用等离子体来处理基板的等离子体处理。上述的等离子体处理通常在等离子体处理装置中进行。在等离子体处理装置中， 多使用沿着上下配置有电极的平行平板型的等离子体处理装置，对于该平行平板型的等离子体处理装置来说，例如，在处理容器内，通过高频电源向载置有基板的下部电极供给高频电力，在下部电极和上部电极之间的处理空间内产生等离子体，通过该等离子体来处理基板。然而，近年来，在上述等离子体处理装置中，例如为了进行更高精度的蚀刻处理或者成膜处理，在高频电源中采用短波长的高频。在采用这种短波长高频的情况下，在处理空间内，等离子体集中在中心部位，从而，中心部位的等离子体密度与周边部位的等离子体密度相比有增高的趋势。因此，只有基板中心部位的等离子体处理快速地推进，最终的处理结果是在基板面内形成不均勻的情况。为了解决上述问题，而提出了下述的等离子体处理装置，S卩，例如从外侧到中心增高上部电极而形成为凸状，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子体处理方法，其特征在于：在处理容器内，将基板载置于相对上部电极而配置的下部电极上，向所述下部电极供给第一高频电力，在所述下部电极和所述上部电极之间产生等离子体，向所述下部电极供给比所述第一高频电力的频率低的第二高频电力，用于将所述等离子体中的离子向所述基板引入，通过该等离子体来处理基板，其中，调整相对于存在于所述处理容器内的至少一个高频频率的、从所述等离子体看到的电极一侧的电路中的阻抗，使所述电路不发生共振，从所述等离子体看到的电极一侧的电路包括：护套区域、所述电极、所述导线以及电气特性调整部，从面对所述等离子体的电极面将被调整阻抗的电极一侧的电路中的电抗调整为负值，调整与供给所...

【技术特征摘要】
2004.07.30 JP 2004-2230861.一种等离子体处理方法，其特征在于在处理容器内，将基板载置于相对上部电极而配置的下部电极上，向所述下部电极供给第一高频电力，在所述下部电极和所述上部电极之间产生等离子体，向所述下部电极供给比所述第一高频电力的频率低的第二高频电力，用于将所述等离子体中的离子向所述基板引入，通过该等离子体来处理基板，其中，调整相对于存在于所述处理容器内的至少一个高频频率的、从所述等离子体看到的电极一侧的电路中的阻抗，使所述电路不发生共振，从所述等离子体看到的电极一侧的电路包括护套区域、所述电极、所述导线以及电气特性调整部，从面对所述等离子体的电极面将被调整阻抗的电极一侧的电路中的电抗调整为负值， 调整与供给所述高频电力的供给电极相对的对向电极一侧的电路中的阻抗，使该电路不发生共振，所述电极是上部电极。2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于 进行调整，使所述阻抗从共振点在士 10 Ω以内错开。3.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩田学，舆水地盐，山泽阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP