晶片型温度探测传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够在晶片面内对晶片更准确地进行温度探测的晶片型温度探测传感器。晶片型温度探测传感器(21)包括：电路基板(22)，贴附在温度探测用晶片(16)的上表面(18)；温度探测单元(23)，搭载在电路基板(22)上，对温度探测用晶片(16)的温度进行探测；晶片数据通信单元(24)，搭载在电路基板(22)上，能将温度探测单元(23)所探测到的温度探测用晶片(16)的温度数据，发送到温度探测用晶片(16)的外部；及温度数据检测部(28)，设置成嵌入在温度探测用晶片(16)的上表面(18)内的多个不同部位，检测出所嵌入的各位置上的与温度相关的数据。这里，电路基板(22)的线膨胀系数和温度探测用晶片(16)的线膨胀系数等同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
LSI (Large Scale Integrated circuit, ^ !!^]) MOS (Metal Oxide kmiconductor，金属氧化物半导体)晶体管等半导体元件是对于作为被处理基板的晶片 ^(photolithography) ^ΦΜ (etching) XVD(Chemical Vapor Deposition,气相沉积)、溅射(sputtering)等处理而制造。关于蚀刻或CVD、溅射等处理，例如有使用等离子(plasma)作为其能量供给源的处理方法，也就是，等离子蚀刻(plasma etching)或等离子CVD、等离子溅射(plasma sputtering)。所述蚀刻处理等中使用的普通的等离子处理装置包括在内部进行处理的处理容器、及在处理容器内将晶片载置在其上而进行保持的保持台。将晶片保持在保持台上之后， 使用处理容器内产生的等离子，对晶片进行蚀刻处理或CVD处理。在保持台的内部设置着加热器(heater)等温度调节器，用来对保持台上所保持的晶片的温度进行调节。处理时， 晶片由温度调节器调节为处理所要求的适当的温本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片型温度探测传感器，其特征在于包括：温度探测用晶片；电路基板，贴附在所述温度探测用晶片的一面；温度数据检测部，设置在所述温度探测用晶片的一面侧，检测与温度相关的数据；及温度探测单元，搭载在所述电路基板上，根据所述温度数据检测部所检测到的温度数据，探测所述温度探测用晶片的温度；且所述电路基板的线膨胀系数和所述温度探测用晶片的线膨胀系数等同。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：东广大，林圣人，石田寿树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP