晶片洗涤器和晶片清洗方法技术

一种晶片洗涤器和晶片清洗方法。一种晶片洗涤器，包括：腔室；支托盘，连接至承轴且位于腔室中，其中支托盘对晶片进行支撑；以及网状内杯，包括多个穿孔且位于支托盘与腔室的侧壁之间，其中网状内杯接收来自晶片表面的水以及绕着承轴旋转且将水经由穿孔释放。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶片洗涤器，特别涉及一种通过高速旋转从晶片表面移除水的洗漆器。
技术介绍
具有微结构的半导体组件的制造需要高精密的技术。在制程中，存在于半导体组件的电路上的些微的微粒子会降低半导体组件成品的可靠度。即使制造过程中的微粒污染不会影响半导体组件电路的功能，其仍然会导致在制造上遇到困难。因此，半导体组件需要在无尘的环境中制造，且半导体组件的表面需要进行清洗，以移除制造过程中所产生的微细颗粒。请参 照图1，传统的晶片洗涤器包括支撑晶片106的支托盘(holder) 102和承轴 (spindle) 108。晶片106在前一制程阶段以去离子水110润湿，在此阶段中，晶片106和支托盘102以高速旋转，以从晶片106表面移除水110。然而，在此步骤中，会造成水110以相当高的速度离开晶片106表面，而高速的水110撞击晶片106侧壁104后可能溅回，溅回的水会对晶片106造成不利的影响，广生微粒和晶粒破损的问题。
技术实现思路
由此，本专利技术提供一种晶片洗涤器，包括腔室；支托盘，连接至承轴且位于腔室中，其中支托盘对晶片进行支撑；以及网状内杯，包括多个穿孔并位于支托盘与腔室的侧壁之间，其中网状内杯接收来自晶片表面的水以及绕着承轴旋转且将水经由穿孔释放。本专利技术提供一种晶片清洗方法，包括提供晶片洗涤器，该圆洗涤器包括腔室；支托盘，连接至承轴且位于腔室中，其中支托盘对晶片进行支撑；以及网状内杯，包括多个穿孔并位于支托盘与腔室的侧壁之间； 使晶片旋转，以移除晶片上的水，其中网状内杯接收来自晶片表面的水以及绕着承轴旋转且将水经由上述穿孔释放，以避免水溅回至晶片的边缘。为了使本专利技术的特征能更加明显易懂，下文特举出实施例，并结合附图，作详细说明如下附图说明图1示出传统的晶片洗涤器；图2示出减少晶片上的水溅回的方法；图3A示出本专利技术一实施例晶片洗涤器的剖视图3B出本专利技术一实施例晶片洗涤器的立体图4A示出本专利技术一实施例晶片洗涤器的剖视图；以及图4B示出本专利技术一实施例晶片洗涤器的立体图。附图标记说明102 支托盘；104 侧壁；106 晶片；108 承轴；110 水；202 晶片；204 水；206 内杯侧壁；301 腔室；302 支托盘；304 承轴；306 去离子水；308 侧壁；309 穿孔；310 晶片；312 网状内杯；401 腔室；402 支托盘；404 承轴；406 水；408 腔室侧壁；409 穿孔；410 晶片；412 网状内杯。具体实施方式 以下详细讨论实施本专利技术的实施例。可以理解的是，实施例提供许多可应用的专利技术概念，其可以较广的变化实施。所讨论的特定实施例仅用来公开使用实施例的特定方法， 而不用来限制公开的范畴。下文中的“一实施例”是指与本专利技术至少一实施例相关的特定图样、结构或特征。 因此，以下“在一实施例中”的叙述并不是指同一实施例。另外，在一个或多个实施例中的特定图样、结构或特征可以适当的方式结合。值得注意的是，本说明书的附图并未按照比例绘制，其仅用来揭示本专利技术。图2示出减少晶片上的水溅回的方法。请参照图2，由于内杯(inner cup)内部的亲水性表面可减少水溅回的问题。因此，此方法改变内杯侧壁206的材料，使其具有亲水表面，以避免水204溅回至晶片202，而产生微粒或晶粒破损的问题。然而，此方法不能完全解决水溅回的问题。因此，需要新颖的晶片洗涤器和相关方法以解决水溅回的问题。图3A示出本专利技术一实施例晶片洗涤器的剖视图。图3B示出本专利技术一实施例晶片洗涤器的立体图。请参照图3A和图3B，在腔室301 (chamber)中，晶片支托盘(holder)302 与承轴(spindle) 304连接。晶片310位于腔室301中的晶片支托盘302上。晶片310在前一制程阶段以去离子水306润湿，在此阶段中，晶片310和支托盘302以高速旋转，以从晶片310表面移除水306。在本专利技术一实施例中，晶片310的旋转速度可以为1500rpm 4500rpm。更甚者，晶片310与腔室301的侧壁308相隔30mm 150mm的距离。在本专利技术一实施例中，支托盘302以电力或夹钳的方式固定住晶片310。在本专利技术一实施例中，腔室的侧壁308由亲水材料形成。本专利技术的重要技术特征为包括多个穿孔309的网状内杯312设置在腔室301中的晶片支托盘302与腔室的侧壁308间。在本实施例中，网状内杯312的穿孔309呈圆柱状。在本专利技术一实施例中，网状内杯312由亲水性材料形成，以使网状内杯312可捕捉更多来自晶片310表面的水306。在本专利技术另一实施例中，网状内杯312由疏水性材料形成，以使网状内杯312可更快地将水306释放。网状内杯312可绕着承轴304旋转。网状内杯 312的旋转速度可依制程条件(例如来自晶片310表面的水量)小于、等于或大于晶片的旋转速度。更甚者，当来自晶片310的水306量改变时，网状内杯312的旋转速度随之改变。 旋转的网状内杯312可接收水并将水经由穿孔309释放至腔室内壁308，而可接收和释放水 306的网状内杯312可解决水306溅回的问题。图4A示出本专利技术一实施例晶片洗涤器的剖视图。图4B示出本专利技术一实施例晶片 洗涤器的立体图。图4A与图3A不同之处在于网状内杯的穿孔的形状。请参照图4A和图 4B,在腔室(chamber) 401中，晶片支托盘(holder) 402与承轴(spindle) 404连接。晶片410 位于腔室401中的晶片支托盘402上。晶片410在前一制程阶段以去离子水406润湿，在 此阶段中，晶片410和支托盘402以高速旋转，以从晶片410表面移除水406。在本专利技术一 实施例中，晶片410的旋转速度可以为1500rpm 4500rpm。更甚者，晶片410与腔室侧壁 408相隔30mm 150mm的距离。在本专利技术一实施例中，支托盘402以电力或夹钳的方式吸 住晶片410。在本专利技术一实施例中，腔室侧壁408由亲水材料形成。本专利技术的重要技术特征为包括多个穿孔409的网状内杯412设置在腔室401中 的晶片支托盘402与腔室侧壁408之间。在本专利技术中，网状内杯412的穿孔409呈圆锥状， 其中网状内杯412的各穿孔409的内开口大于外开口。在本专利技术一实施例中，网状内杯412 由亲水性材料形成，以使网状内杯412可捕捉更多来自自晶片410表面的水406。在本发 明另一实施例中，网状内杯412由疏水性材料形成，以使网状内杯412可更快地将水406释 放。网状内杯412可绕着承轴404旋转。网状内杯412的旋转速度可依制程条件(例如来 自晶片表面的水量)小于、等于或大于晶片410的旋转速度。更甚者，当来自晶片410的水 406量改变时，网状内杯412的旋转速度随之改变。旋转的网状内杯412可接收水406和使 用穿孔409将水406释放至腔室侧壁408，而可接收和释放水406的网状内杯412可解决水 溅回的问题。虽然本专利技术已以优选实施例公开如上，然而其并非用以限制本专利技术，任何本领域 技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本专利技术的保护范 围应以后附的权利要求所限定的为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片洗涤器，其特征在于，包括：腔室；支托盘，连接至承轴且位于所述腔室中，所述支托盘对晶片进行支撑；以及网状内杯，包括多个穿孔并位于所述支托盘与所述腔室的侧壁之间，所述网状内杯接收来自所述晶片表面的水以及绕着所述承轴旋转且将水经由所述多个穿孔释放。

【技术特征摘要】
2011.09.23 US 13/243,3151.一种晶片洗涤器，其特征在于，包括腔室；支托盘，连接至承轴且位于所述腔室中，所述支托盘对晶片进行支撑；以及 网状内杯，包括多个穿孔并位于所述支托盘与所述腔室的侧壁之间，所述网状内杯接 收来自所述晶片表面的水以及绕着所述承轴旋转且将水经由所述多个穿孔释放。2.根据权利要求1所述的晶片洗涤器，其特征在于所述多个穿孔呈圆柱状。3.根据权利要求1所述的晶片洗涤器，其特征在于所述多个穿孔呈圆锥状。4.根据权利要求3所述的晶片洗涤器，其特征在于所述网状内杯的各穿孔的内开口大 于外开口。5.根据权利要求1所述的晶片洗涤器，其特征在于所述网状内杯由亲水性材料形成。6.根据权利要求1所述的晶片洗涤器，其特征在于所述网状内杯由疏水性材料形成。7.根据权利要求1所述的晶片洗涤器，其特征在于所述网状内杯的旋转速度大于、等 于或小于所述晶片的旋转速度。8.根据权利要求1所述的晶片洗涤器，其特征在于所述网状内杯的旋转速度随来自所 述晶片的水量的改变而变动。9.根据权利要求1所述的晶片洗涤器，其特征在于所述支托盘以电力或夹钳的方式固 定住所述晶片。10.根据权利要求1所述的晶片洗涤器，其特征在于来自所述晶片表面的水为去离子水。11.一种晶片清洗方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：章正欣，陈逸男，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：