本发明专利技术涉及一种晶片电阻器，其包括：一基材、两个第一电极、两个第二电极、一电阻层、至少一保护层及至少一镀层。该至少一保护层设置于该电阻层上，且覆盖部分两个第一电极，该至少一保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面。该至少一镀层覆盖所述至少两个覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分两个第一电极及两个第二电极。本发明专利技术的晶片电阻器利用两个覆盖侧面及该覆盖平面，以延长两个第一电极与外界的距离，使得空气中传播的硫、硫化物及含硫化合物难以进入与两个第一电极反应。故本发明专利技术的晶片电阻器可抵抗硫、硫化物及含硫化合物或卤素等有害物质对于电极的腐蚀。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶片电阻器，特别涉及一种抗硫化晶片电阻器。
技术介绍
目前的表面粘着元件的厚膜、薄膜晶片电阻器，所述晶片电阻器通常包括电阻体(Resistor)、导体(Conductor)、玻璃(Glass)、绝缘保护层(Overcoat)及电镀端电极层(Electo-plated terminals)。一般而言，通常使用含银(Silver-containing)的材料当作导体材料，以与电阻材料电性连接及作为第一电极、第二电极或侧面电极(SideConductor)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶片电阻器。在一实施例中，本专利技术的晶片电阻器包括:一基材、两个第一电极、两个第二电极、一电阻层、至少一保护层及至少一镀层。该基材具有一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对。两个第一电极设置于该第一表面。两个第二电极设置于该第二表面。该电阻层设置于该第一表面，且覆盖部分两个第一电极。该至少一保护层设置于该电阻层上，且覆盖部分两个第一电极，该至少一保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面。该至少一镀层覆盖所述至少两个覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分两个第一电极及两个第二电极。优选地，所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层，该第一保护层设置于该电阻层上，该第二保护层设置于该第一保护层上，该第二保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面。优选地，所述第二保护层还包括一显露平面，该显露平面至该第二保护层的一底部的厚度大于该至少一覆盖平面至该第二保护层的该底部的厚度。优选地，所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层，该第一保护层设置于该电阻层上，该第一保护层包括至少一覆盖侧面及至少一覆盖平面，该第二保护层设置于该第一保护层上，该第二保护层包括至少一覆盖侧面。优选地，所述第二保护层还包括一显露平面，该显露平面至该第一保护层的一底部的厚度大于该第一保护层的该至少一覆盖平面至该第一保护层的该底部的厚度。优选地，所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层，该第一镀层覆盖所述至少两个覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分两个第一电极及两个第二电极，该第二镀层覆盖该第一镀层，该第三镀层覆盖该第二镀层。本专利技术还提供另一种晶片电阻器。在一实施例中，本专利技术的晶片电阻器包括:一基材、两个第一电极、两个第二电极、一电阻层、至少一保护层及至少一镀层。该基材具有一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对。两个第一电极设置于该第一表面。两个第二电极设置于该第二表面。该电阻层设置于该第一表面，且覆盖部分两个第一电极。该至少一保护层设置于该电阻层上，且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极，该至少一保护层包括至少一覆盖侧面。该至少一镀层覆盖该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极。优选地，所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层，该第一保护层设置于该电阻层上，该第二保护层设置于该第一保护层上，且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极，该第二保护层包括至少一覆盖侧面及一显露平面。优选地，所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层，该第一镀层覆盖部分该显露平面、该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极的侧面及部分两个第二电极，该第二镀层覆盖该第一镀层，该第三镀层覆盖该第二镀层。优选地，所述至少一保护层包括一第一保护层、一第二保护层及一第三保护层，该第一保护层设置于该电阻层上，该第二保护层设置于该第一保护层上，且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极，该第二保护层包括至少一覆盖侧面及至少一覆盖平面，该第三保护层设置于该第二保护层上，该第三保护层包括至少一覆盖侧面。优选地，所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层，该第一镀层覆盖该第三保护层的该至少一覆盖侧面、该第二保护层的该至少一覆盖平面及该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极，该第二镀层覆盖该第一镀层，该第三镀层覆盖该第二镀层。优选地，所述第三保护层还包括一显露平面，该显露平面至该第二保护层的一底部的厚度大于该第二保护层的该至少一覆盖平面至该第二保护层的该底部的厚度。本专利技术的有益效果在于:本专利技术的晶片电阻器利用两个覆盖侧面及该覆盖平面，以延长两个第一电极与外界的距离，使得空气中传播的硫、硫化物及含硫化合物难以进入与两个第一电极反应。故本专利技术的晶片电阻器可抵抗硫、硫化物及含硫化合物或卤素等有害物质对于电极的腐蚀。【附图说明】图1为本专利技术第一实施例晶片电阻器的示意图。图2为本专利技术第二实施例晶片电阻器的示意图。图3为本专利技术第三实施例晶片电阻器的示意图。图4为本专利技术第四实施例晶片电阻器的示意图。主要部件符号说明:10晶片电阻器11 基材12第一电极13第二电极14 电阻层15第一保护层16第二保护层17第一镀层18第二镀层19第三镀层20晶片电阻器25第一保护层26第二保护层30晶片电阻器35第一保护层36第二保护层37第一镀层38第二镀层39第三镀层40晶片电阻器41第三保护层46第二保护层47第一镀层48第二镀层49第三镀层111第一表面112第二表面161、162 覆盖侧面163覆盖平面164显露平面165底部251覆盖侧面252覆盖平面253底部261覆盖侧面262显露平面361覆盖侧面362显露平面411覆盖侧面412显露平面461覆盖侧面462覆盖平面463底部。【具体实施方式】图1为本专利技术第一实施例晶片电阻器的示意图。在一实施例中，本专利技术的晶片电阻器10包括:一基材11、两个第一电极12、两个第二电极13、一电阻层14、至少一保护层15、16及至少一镀层17、18、19。该基材11具有一第一表面111及一第二表面112，该第二表面112与该第一表面111相对。两个第一电极12设置于该第一表面111,且两个第一电极12彼此相隔一间距。两个第一电极12的侧面分别与该基材11的两个侧面平齐。两个第二电极13设置于该第二表面112，且两个第二电极13彼此相隔一间距。两个第二电极13的侧面分别与该基材11的两个侧面平齐。该电阻层14设置于该第一表面111，且覆盖部分两个第一电极12，以与两个第一电极12电性连接。该至少一保护层15、16设置于该电阻层14上，且覆盖部分两个第一电极12，该至少一保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面。在一实施例中，该至少一保护层包括一第一保护层15及一第二保护层16，该第一保护层15设置于该电阻层14上，该第二保护层16设置于该第一保护层15上，且覆盖部分两个第一电极12。该第二保护层16包括至少两个覆盖侧面161、162及至少一覆盖平面163。该覆盖平面163设置于两个覆盖侧面161、162之间。相对于该覆盖平面163，两个覆盖侧面161、162具有倾斜角度。该第二保护层16还包括一显露平面164，该显露平面164至该第二保护层16的一底部165的厚度H2大于该覆盖平面163至该底部165的厚度Hl，以形成凸形结构。在一实施例中，该第二保护层16以两个步骤制作，第一个步骤先形成该覆盖平面163及该覆盖侧面161，第二个步骤再形成该显露平面164及该覆盖侧面162，并覆盖至部分该覆盖平面163上，以形成凸形结构。在另一实施例中，该第二保护层16以堆叠本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片电阻器，其包括：一基材，所述基材具有一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；两个第一电极，所述两个第一电极设置于该第一表面；两个第二电极，所述两个第二电极设置于该第二表面；一电阻层，所述电阻层设置于该第一表面，且覆盖部分两个第一电极；至少一保护层，所述至少一保护层设置于该电阻层上，且覆盖部分两个第一电极，所述至少一保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面；及至少一镀层，所述至少一镀层覆盖所述至少两个覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分两个第一电极及两个第二电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡东谋，陈财虎，萧胜利，刘永汉，何仁富，
申请(专利权)人：国巨股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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