介电陶瓷材料、其制造方法及积层陶瓷电容器技术

本发明专利技术有关于一种介电陶瓷材料、其制造方法及积层陶瓷电容器。借由特定平均粒径的钛酸钡颗粒、特定研磨次数的研磨处理及特定组成的掺杂剂，介电陶瓷材料的制造方法可制造包含核壳结构的晶粒的介电陶瓷材料。晶粒内的特定体积分率的壳层可改善介电陶瓷材料于

【技术实现步骤摘要】
介电陶瓷材料、其制造方法及积层陶瓷电容器


[0001]本专利技术有关于一种介电陶瓷材料、其制造方法及积层陶瓷电容器，且特别是有关于一种具有高温热稳定性及良好寿命性能的介电陶瓷材料、其制造方法及积层陶瓷电容器。

技术介绍

[0002]近来，积层陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitors，MLCC)朝向微型化、多功能化及高电容化的趋势发展，以因应电子设备的微型化及轻量化。再者，积层陶瓷电容器常于高温环境下运作，例如：在汽车工业中积层陶瓷电容器被整合到引擎室的电子元件内，故积层陶瓷电容器必需具备高温热稳定性及良好的寿命性能。电子工业协会(electronic industries association，EIA)基于安全上的考虑，而制订高温型电容器(high temperature capacitor)的X8R规范，即在
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55℃至150℃的操作温度范围内，以25℃所测得的电容量做为基准，最大电容量变化量不大于15％。
[0003]现有技术使用钛酸钡为主成分，并掺杂锆、钡、锰及硅等的氧化物制造介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介电陶瓷材料的制造方法，其特征在于，包含：提供钛酸钡(BaTiO3)颗粒及掺杂剂，其中该掺杂剂包含：氧化镱(Yb2O3)；二氧化硅(SiO2)；碳酸锰(MnCO3)；碳酸钡(BaCO3)；以及五氧化二钒(V2O5)；其中该钛酸钡颗粒的平均粒径为大于0.15μm且不大于0.45μm，且基于该钛酸钡颗粒的用量为100摩尔百分比，该氧化镱的用量为大于0摩尔百分比且不大于3.2摩尔百分比；混合该钛酸钡颗粒、该掺杂剂及分散剂，并进行研磨处理，以获得粉末混合物，其中该研磨处理的研磨次数为5次至9次；添加粘结剂至该粉末混合物中，并进行成型处理，以获得片状物；以及对该片状物进行烧结处理，以获得该介电陶瓷材料，其中该烧结处理的烧结温度为1200℃至1420℃，且该烧结处理的烧结时间为0.5小时至4.5小时。2.根据权利要求1所述的介电陶瓷材料的制造方法，其特征在于，基于该钛酸钡颗粒的该用量为100摩尔百分比，该二氧化硅的用量为大于0.9摩尔百分比且不大于3.8摩尔百分比，该五氧化二钒的用量为0.05摩尔百分比至1.0摩尔百分比，该碳酸锰的用量为0.10摩尔百分比至0.35摩尔百分比，该碳酸钡的用量为1.0摩尔百分比至4.0摩尔百分比。3.根据权利要求1所述的介电陶瓷材料的制造方法，其特征在于，该掺杂剂还包含氧化镝(Dy2O3)，且基于该钛酸钡颗粒的该用量为100摩尔百分比，该氧化镝的用量为小于1.86摩尔百分比。4.根据权利要求1所述的介电陶瓷材料的制造方法，其特征在于，该掺杂剂还包含由碳酸镁(MgCO3)、氧化钇(Y2O3)、...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈君玮，徐丰麒，杨凯勋，郑义冠，李俊德，
申请(专利权)人：国巨股份有限公司，
类型：发明
国别省市：