支承体构造、处理容器构造及处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供支承体构造、处理容器构造及处理装置。该支承体构造在供处理气体从一侧朝向另一侧沿水平方向流动的处理容器构造内支承要处理的多张被处理体(W)，包括顶板部(92)、底部(94)和多个支承支柱(96)，多个支承支柱(96)将顶板部和底部连结起来，沿着其长度方向以规定的间距形成有用于支承被处理体的多个支承部(100)，并且，多个支承部中的最上层的支承部与顶板部(92)之间的距离以及多个支承部中的最下层的支承部与底部(94)之间的距离均被设定为支承部之间的间距以下的长度。由此，抑制了在支承体构造的上下的两端部侧产生气体的湍流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于支承半导体晶圆等被处理体的支承体构造、处理容器构造及处理直O
技术介绍
通常，为了制造半导体集成电路，对由硅基板等构成的半导体晶圆进行成膜处理、 蚀刻处理、氧化处理、扩散处理、改性处理、自然氧化膜的除去处理等各种处理。这些处理利用逐张处理晶圆的单片式的处理装置、一次处理多张晶圆的分批式的处理装置来进行。例如在利用专利文献1等公开的立式的、所谓的分批式的处理装置进行这些处理的情况下， 首先，将半导体晶圆从能够收容多张、例如2 5张半导体晶圆的晶圆盒移载到立式的晶圆舟皿中，并呈多层地将晶圆支承在该晶圆舟皿中。该晶圆舟皿例如也取决于晶圆规格，但能够载置30 150张左右的晶圆。在将上述晶圆舟皿从能够排气的处理容器的下方搬入(加载)到该处理容器内之后，将处理容器内维持为气密状态。然后，控制处理气体的流量、工艺压力、工艺温度等各种工艺条件来实施规定的热处理。在该热处理中，例如以成膜处理为例，作为成膜处理的方法，公知有 CVD (Chemical Vapor Deposition)法(专禾丨J文献 2)、ALD (Atomic Layer Deposition)法。而且，出于提高电路元件的特性的目的，期望也降低半导体集成电路的制造工序中的热过程，因此，即使不将晶圆暴露于那么高的温度下，也能够进行目标处理，因此，倾向于使用一边间断地供给原料气体等一边以原子级每1层 几层地或者以分子级每1层 几层地反复成膜的ALD法(专利文献3、4等)。专利文献1 日本特开平6-275608号公报专利文献2 日本特开2004-006551号公报专利文献3 日本特开平6-45256号公报专利文献4 日本特开平11-87341号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供能够抑制在支承被处理体的支承体构造的上下的两端部侧产生气体的湍流来谋求改善所形成的薄膜的膜厚的面内均勻性和膜质的支承体构造、处理容器构造和处理装置。本专利技术是一种支承体构造，该支承体构造配置在供处理气体从一侧朝向另一侧沿水平方向流动的处理容器构造内，用于支承多张被处理体，其特征在于，该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向以规定的间距形成有用于支承被处理体的多个支承部，多个支承部中的最上层的支承部与顶板部之间的距离以及多个支承部中的最下层的支承部与底部之间的距离被设定为支承部之间的间距以下。利用该构造，能够抑制在处理容器构造的上端侧和下端侧产生气体的湍流，结果，能够防止膜厚的面内均勻性降低，并防止膜质降低。本专利技术是一种处理容器构造，该处理容器构造供处理气体从一侧朝向另一侧沿水平方向流动，用于收纳要处理的多张被处理体，其特征在于，该处理容器构造包括有顶的石英制的处理容器，其下端部开放，以利用支承体构造支承多张被处理体的状态收纳被处理体；喷嘴收纳区域，其沿着处理容器的长度方向设置在该处理容器的一侧，用于收纳气体喷嘴；狭缝状的排气口，其与喷嘴收纳区域相对地沿着处理容器的长度方向设置在该处理容器的侧壁，该排气口的上端延伸至与支承体构造的上端相对应的位置以上的高度的位置，该排气口的下端延伸至与支承体构造的下端相对应的位置以下的高度的位置。利用该构造，沿水平方向流动的气流在支承于支承体构造的被处理体之间的空间中不会改变方向，而保持原样地自狭缝状的排气口被排出，因此，能够抑制在处理容器构造的上端侧和下端侧产生气体的湍流，结果，能够防止膜厚的面内均勻性降低，并防止膜质降低。本专利技术是一种处理装置，该处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，其特征在于，该处理装置包括处理容器构造，其下端部开口，用于收纳多张被处理体；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端部开口 ；支承体构造，其用于支承多张被处理体，并能够插入处理构造内或自处理构造内拔出；气体导入部件，其具有用于向处理构造内导入气体的气体喷嘴；排气部件，其用于对处理构造体内的气氛气体进行排气；加热部件，其用于加热被处理体；处理容器构造供处理气体从一侧朝向另一侧沿水平方向流动，该处理容器构造包括有顶的石英制的处理容器，其下端部开放，以利用支承体构造支承多张被处理体的状态收纳被处理体；喷嘴收纳区域，其沿着处理容器的长度方向设置在该处理容器的一侧，用于收纳气体喷嘴；狭缝状的排气口，其与喷嘴收纳区域相对地沿着处理容器的长度方向设置在该处理容器的侧壁上，该排气口的上端延伸至与支承体构造的上端相对应的位置以上的高度的位置，该排气口的下端延伸至与支承体构造的下端相对应的位置以下的高度的位置；支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向以规定的间距形成有用于支承被处理体的多个支承部，多个支承部中的最上层的支承部与顶板部之间的距离以及多个支承部中的最下层的支承部与底部之间的距离被设定为支承部之间的间距以下。采用本专利技术的支承体构造、处理容器构造和处理装置，能够发挥如下的优良的作用效果。采用本专利技术，能够抑制在处理容器构造的上端侧和下端侧产生气体的湍流，结果， 能够防止膜厚的面内均勻性降低，并防止膜质降低。采用本专利技术，沿水平方向流动的气流在支承于支承体构造的被处理体之间的空间中不会改变方向，而保持原样地自狭缝状的排气口被排出，因此，能够抑制在处理容器构造的上端侧和下端侧产生气体的湍流，结果，能够防止膜厚的面内均勻性降低，并防止膜质降低。采用本专利技术，能够抑制在处理容器构造的上端侧和下端侧产生气体的湍流，结果， 能够防止膜厚的面内均勻性降低，并防止膜质降低。附图说明图1是表示具有本专利技术的支承体构造的处理装置的一个例子的剖视结构图。图2是表示处理装置的处理容器构造的一部分的横剖视图。图3是表示处理容器的立体图。图4是表示本专利技术的支承体构造的第1实施例的俯视图。图5是表示设置于支承体构造的盖构件的立体图。图6是表示设置在保温台上的空间罩构件的立体图。图7是表示使用本专利技术进行的实验结果的曲线图。图8是表示本专利技术的评价结果的曲线图。图9是表示本专利技术的支承体构造的第2实施例的俯视图。图10是表示本专利技术的支承体构造的第3实施例的俯视图。图11是表示本专利技术的第4实施例的处理容器构造的示意图。图12是表示比较例的分批式的处理装置的一个例子的概略结构图。图13是表示晶圆舟皿的一个例子的主视图。具体实施例方式下面，根据附图详细说明本专利技术的支承体构造、处理容器构造及处理装置的一实施例。第1实施例图1是表示具有本专利技术的支承体构造的处理装置的一个例子的剖视结构图，图2 是表示处理装置的处理容器构造的一部分的横剖视图，图3是表示处理容器的立体图，图4 是表示本专利技术的支承体构造的第1实施例的俯视图，图5是表示设置于支承体构造的盖构件的立体图，图6是表示设置在保温台上的空间罩构件的立体图。在此，以利用处理装置进行用于形成薄膜的成膜处理的情况为例来说明。如图1 所示，该处理装置32主要具有用于收容被处理体的处理容器构造34、用于气密地堵塞该处理容器构造34下端的开口部侧的盖部36、以规定的间距支承作为被处理体的多张半导体晶圆W并可插入上述处理容器构造34内或从上述处理容器构造34内拔出的支承体构造 38、用于向处理容器构造34内导入必要气体的气体导入部件40、用于对处理容器构造本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种支承体构造，该支承体构造配置在供处理气体从一侧朝向另一侧沿水平方向流动的处理容器构造内，用于支承多张被处理体，其特征在于，该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱；在各支承支柱上，沿着其长度方向以规定的间距形成有用于支承被处理体的多个支承部；多个支承部中的最上层的支承部与顶板部之间的距离以及多个支承部中的最下层的支承部与底部之间的距离被设定为支承部之间的间距以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：浅利伸二，佐藤泉，两角友一朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP