【技术实现步骤摘要】
本专利技术是涉及一种，特别是涉及一种运用湿式法来制作的。
技术介绍
电容为一种储能元件，在两平行的金属板间夹以介电材料，当施加一直流电源于该金属板上时，电荷因为不易通过所述绝缘材料而累积，如此于此两金属板间形成一电场而储存其能量。典型的整合无源元件(Integrated Passive Device, IPD)中可能在芯片尺寸的元件中包含电阻、电感及电容，其中电容部份的制作过程是在基本的金属-绝缘-金属(MIM)的结构中，使用两种或多种以上的材料来满足数值与性能的需求。至于绝缘层的制作过程中所使用的介电材料，其必须为低导电性。一般情况下，利用氮化硅溅射沉积的薄膜来做为整合无源电容材质，也就是所谓的干式物理沉积制造方法。然而，由于干式物理沉积工艺需要较长的沉积时间，且设备成本极高，因此使得上述整合无源元件的电容部份的制作时间及成本提闻。故，有必要提供一种，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种电容构造，其运用湿式法来制作所述电容构造，相较现有干式制造方法使用沉积工艺需要较长的沉积时间及较高的设备与制造成本，本专利技术的湿式制造方法...
【技术保护点】
一种电容构造，其特征在于：所述电容构造包含：一第一金属层；一钽金属层，设于所述第一金属层上；一复合材料层，设于所述钽金属层上，所述复合材料层包含五氧化二钽基材，并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒，所述二氧化钛复合材料颗粒是包含二氧化钛颗粒以及五氧化二钽与二氧化钛化合物颗粒；及一第二金属层，设于所述复合材料层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟旻华，周泽川，唐和明，杨秉丰，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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