MIM电容结构及其制作方法技术

本发明专利技术提出了一种MIM电容结构及其制作方法，在下极板上形成下极板侧壁，下极板侧壁位于阶梯型通孔两侧底部，接着在阶梯型通孔内形成电容介质层，最后在电容介质层的表面形成上极板，由于下极板侧壁的高度小于阶梯型通孔的深度，因此形成的电容介质层会全部覆盖下极板侧壁，并且由于下极板侧壁与下极板相连，可以作为下极板的一部分，从而增加了上极板和下极板之间的有效面积，在不额外占用基底平面面积的情况下增大了MIM电容的电容值。

【技术实现步骤摘要】
201510024491

【技术保护点】
一种MIM电容结构，其特征在于，包括：基底、层间介质层、下极板、下极板侧壁、电容介质层及上极板，其中，所述下极板形成于所述基底内；所述层间介质层形成于所述基底上，所述层间介质层中形成设有阶梯型通孔以暴露出所述下极板；所述下极板侧壁形成于所述下极板上，并分别位于所述阶梯型通孔的底部两侧，所述下极板侧壁的高度小于所述阶梯型通孔的深度；所述电容介质层形成于所述阶梯型通孔内并覆盖下极板及下极板侧壁；所述上极板形成于所述电容介质层表面并填满所述阶梯型通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：包小燕，葛洪涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31