【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种有机阻变存储器，以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡一茂，刘业帆，白文亮，王宗巍，方亦陈，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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