一种基于砷化镓器件的MIM电容器及其制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器，包括砷化镓半导体基底、底层金属电极、顶层金属电极以及设于底层金属电极与顶层金属电极之间的绝缘层，底层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，底层金属电极总厚度为0.57~1.13μm；绝缘层为厚度为450~950埃的单层氮化硅薄膜；顶层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，顶层金属电极总厚度为0.17~0.53μm。本发明专利技术的电容密度是传统电容的电容密度的2‑3倍，均匀性<+/‑10%，质量可靠，能满足不同客户的要求。本发明专利技术还公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器制造工艺，工艺步骤简单，可操作性强，制造成本低，精度高，适合批量生产。

【技术实现步骤摘要】
201610174315

【技术保护点】
一种基于砷化镓器件的MIM电容器，所述MIM电容器包括砷化镓半导体基底（1）、设于砷化镓半导体基底表面的底层金属电极（2）、与底层金属电极平行的顶层金属电极（4）以及设于底层金属电极与顶层金属电极之间的绝缘层（3），其特征在于，所述底层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，底层金属电极总厚度为0.57~1.13μm；所述绝缘层为单层氮化硅薄膜，绝缘层厚度为450~950埃；所述顶层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，顶层金属电极总厚度为0.17~0.53μm。

【技术特征摘要】
1.一种基于砷化镓器件的MIM电容器，所述MIM电容器包括砷化镓半导体基底（1）、设于砷化镓半导体基底表面的底层金属电极（2）、与底层金属电极平行的顶层金属电极（4）以及设于底层金属电极与顶层金属电极之间的绝缘层（3），其特征在于，所述底层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，底层金属电极总厚度为0.57~1.13μm；所述绝缘层为单层氮化硅薄膜，绝缘层厚度为450~950埃；所述顶层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，顶层金属电极总厚度为0.17~0.53μm。2.根据权利要求1所述的一种基于砷化镓器件的MIM电容器，其特征在于，所述底层金属电极中，Ti层（5）厚度为200~500埃，Pd层（6）厚度为500~800埃，Au层（7）厚度为5000~10000埃。3.根据权利要求1所述的一种基于砷化镓器件的MIM电容器，其特征在于，所述绝缘层的膜厚均匀性为1sigma＜3%，折射率为1.81~1.83，折射率均匀性为1sigma＜3%。4.根据权利要求1所述的一种基于砷化镓器件的MIM电容器，其特征在于，所述顶层金属电极中，Ti层（5）厚度为200~500埃，Pd层（6）厚度为500~800埃，Au层（7）厚度为1000~4000埃。5.一种如权利要求1所述的基于砷...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪耀祖，
申请(专利权)人：杭州立昂东芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33