一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法技术

技术编号:13551479 阅读:78 留言:0更新日期:2016-08-18 17:31
本发明专利技术公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明专利技术能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
201610253781

【技术保护点】
一种铟镓磷异质结双极型晶体管,其特征在于:从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层(1)、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层(2)、轻掺杂集电区层(3)、基区层(4)、轻掺杂铟镓磷发射区层(5)和重掺杂发射帽层(6)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:汪耀祖
申请(专利权)人:杭州立昂东芯微电子有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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