【技术实现步骤摘要】
一种晶圆解键合辅助载盘、解键合机及解键合方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆解键合辅助载盘、解键合机及解键合方法。
技术介绍
以砷化镓(GaAs)为代表的第二代化合物半导体器件相比于硅器件具有高电子迁移率、工作频率高、更宽的温度特性和更好地抗辐射能力等优势。其特殊的材料性能使其在高频模拟集成电路中有不可替代的应用，并被广泛应用在手机、功率放大器模块、低噪声放大器LNAs(LowNoiseAmplifiers)、开关、宽频调制器(widebandmodulators)、光网络、局域网WLAN(wirelesslocalareanetwork)、卫星通讯(Satellitecommunication)、汽车防撞雷达(carradar)和无线基础设施(wirelessinfrastructure)。目前砷化镓器件和集成电路产品(RFIC)约占据85％的化合物半导体市场，这种势头随着5G、IOT(物联网)时代的到来，将会保持高速的增长，利运用砷化镓材料制造的各种射频集成电路(RFICs)正在得到广泛的发展和应用。
【技术保护点】
1.一种晶圆解键合辅助载盘，其特征在于，所述辅助载盘尺寸和晶圆尺寸相同，其上设有孔隙，所述辅助载盘设置在解键合机载盘和待解键合晶圆之间并包括一层以上载片。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆解键合辅助载盘，其特征在于，所述辅助载盘尺寸和晶圆尺寸相同，其上设有孔隙，所述辅助载盘设置在解键合机载盘和待解键合晶圆之间并包括一层以上载片。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆解键合辅助载盘，其特征在于，所述辅助载盘包括互相贴合的上层载片和下层载片，所述上层载片与待解键合晶圆接触，所述下层载片与解键合机载盘接触，所述上层载片的孔隙孔径小于下层载片的孔隙孔径，所述上层载片的平滑度高于下层载片。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆解键合辅助载盘，其特征在于，所述上层载片的孔隙孔径范围为10-25um，所述下层载片的孔隙孔径范围为30-70um。
4.根据权利要求2所述的一种晶圆解键合辅助载盘，其特征在于，所述辅助载盘还包括中间层载片，所述中间层载片设在上层载片和下层载片之间，所述上层载片、中间层载片、下层载片的孔隙孔径依次增大。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种晶圆解键合辅助载盘，其特征在于，所述辅助载盘为碳化硅材料。
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【专利技术属性】
技术研发人员：司庆玲，左亚丽，黄建华，程岸，王彦硕，汪耀祖，
申请(专利权)人：杭州立昂东芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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