一种提高晶圆键合程度的方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种提高晶圆键合程度的方法，包括：退火处理所述氮化硅薄膜，形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面，图形化所述金属层，以于所述氮化硅薄膜表面形成金属栅格，并于图形化所述金属层时，去除位于所述金属层被去除部分下方的所述氮化硅薄膜，以于所述金属栅格之间暴露所述氧化物层。本发明专利技术方法通过形成一氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜经过退火处理之后，使得氮化硅薄膜中的氢离子能够充分的与硅衬底界面硅原子的悬挂键键合，减少硅衬底中悬挂键个数，提高晶圆键合程度，去除传统工艺中于金属栅格形成之前刻蚀氮化硅薄膜过程，于金属栅格制程中去除金属层被去除部分下方的氮化硅薄膜，达到简化工艺的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种应用于图像传感器器件制备工艺的提高晶圆键合程度的方法。
技术介绍
晶圆制造过程中，由于硅原子缺失以及界面硅原子未成键电子的存在，在硅界面形成具有活性的悬挂键。提高晶圆内界间悬挂键的建和程度有利于提高器件性能。由于硅界面间悬挂键程度较低，与硅界面间悬挂键形成键合的院子来源较少，且缺乏键合动力，对器件性能造成不利影响。现有技术中通过沉积SiN层、对SiN层进行退火，以及刻蚀去除退火后的SiN层的方式提高硅界面间悬挂键的键合实现器件性能的提升，但工艺复杂。
技术实现思路
鉴于上述技术问题，本专利技术旨在提出一种工艺简单，且能够增强硅界面间悬挂键的键合动力的方法。本专利技术解决上述技术问题的主要技术方案为：一种提高晶圆键合程度的方法，应用于图像传感器器件的制备工艺，其中，包括：步骤S1、提供一硅衬底，于所述硅衬底上形成一介质层，所述介质层覆盖所述衬底表面；步骤S2、形成一氧化物层，覆盖所述介质层表面；步骤S3、形成一氮化硅薄膜，覆盖所述氧化物层表面；步骤S4、退火处理所述氮化硅薄膜；步骤S5、形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面；步骤S6、图形化所述金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高晶圆键合程度的方法，应用于图像传感器器件的制备工艺，其特征在于，包括：步骤S1、提供一硅衬底，于所述硅衬底上形成一介质层，所述介质层覆盖所述衬底表面；步骤S2、形成一氧化物层，覆盖所述介质层表面；步骤S3、形成一氮化硅薄膜，覆盖所述氧化物层表面；步骤S4、退火处理所述氮化硅薄膜；步骤S5、形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面；步骤S6、图形化所述金属层，以于所述所述氮化硅薄膜表面形成金属栅格，并于图形化所述金属层时，去除位于所述金属层被去除部分下方的所述氮化硅薄膜，以于所述金属栅格之间暴露所述氧化物层。

【技术特征摘要】
1.一种提高晶圆键合程度的方法，应用于图像传感器器件的制备工艺，其特征在于，包括：步骤S1、提供一硅衬底，于所述硅衬底上形成一介质层，所述介质层覆盖所述衬底表面；步骤S2、形成一氧化物层，覆盖所述介质层表面；步骤S3、形成一氮化硅薄膜，覆盖所述氧化物层表面；步骤S4、退火处理所述氮化硅薄膜；步骤S5、形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面；步骤S6、图形化所述金属层，以于所述所述氮化硅薄膜表面形成金属栅格，并于图形化所述金属层时，去除位于所述金属层被去除部分下方的所述氮化硅薄膜，以于所述金属栅格之间暴露所述氧化物层。2.如权利要求1所述提高晶圆键合程度的方法，其特征在于，所述步骤S1中，通过沉积工艺形成所述介质层。3.如权利要求1所述提高晶圆键合程度的方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过沉积工艺形成所述氧化物层。4.如权利要求1所述提高晶圆键合程度的方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过低压化学气相沉积工艺或者等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：王喜龙，胡胜，邹文，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42