微元件的转移装置及其转移方法制造方法及图纸

本申请公开了一种微元件的转移装置及其转移方法，该转移装置包括：导引板，导引板上设置有阵列排布的通孔；第一电极板，位于放置有微元件的衬底基板上远离微元件的一侧；第二电极板，位于吸收微元件的吸收基板上远离微元件的一侧；在进行微元件转移时，第一电极板释放微元件，第二电极板吸附微元件，使微元件通过导引板的通孔从衬底基板转移到吸收基板上。通过使用本申请的转移装置，可实现微元件的巨量转移，且定位精确。

Transfer device and transfer method of micro element

【技术实现步骤摘要】
微元件的转移装置及其转移方法
本申请涉及微元件处理
，特别是涉及一种微元件的转移装置及其转移方法。
技术介绍
微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(MicroLED)技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是驱动基板。在制造微元件过程中的一个困难在于：如何将微元件从施体基板上转移到接收基板上。传统转移微元件的方法为借由基板接合(WaferBonding)将微元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为间接转移。此方法包含两次接合/剥离的步骤，首先，转移基板自施体基板提取微元件阵列，接着转移基板再将微元件阵列接合至接收基板，最后再把转移基板移除。其中，提取微元件阵列一般通过静电拾取的方式来执行，但静电拾取并不可靠。
技术实现思路
<br>为解决上述技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微元件的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括：/n导引板，所述导引板上设置有阵列排布的通孔，所述导引板的第一表面与吸收基板上吸附有所述微元件的一面相对设置，其中所述微元件中设置有金属电极；/n第一电极板，位于放置有所述微元件的衬底基板上远离所述微元件的一侧，用于产生/消去磁力，以吸附/释放所述微元件；/n第二电极板，且位于吸收所述微元件的吸收基板上远离所述微元件的一侧，用于吸附所述微元件；/n其中，在进行所述微元件转移时，所述第一电极板释放所述微元件，所述第二电极板吸附所述微元件，使所述微元件通过所述导引板的所述通孔从所述衬底基板转移到所述吸收基板上。/n

【技术特征摘要】
1.一种微元件的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括：
导引板，所述导引板上设置有阵列排布的通孔，所述导引板的第一表面与吸收基板上吸附有所述微元件的一面相对设置，其中所述微元件中设置有金属电极；
第一电极板，位于放置有所述微元件的衬底基板上远离所述微元件的一侧，用于产生/消去磁力，以吸附/释放所述微元件；
第二电极板，且位于吸收所述微元件的吸收基板上远离所述微元件的一侧，用于吸附所述微元件；
其中，在进行所述微元件转移时，所述第一电极板释放所述微元件，所述第二电极板吸附所述微元件，使所述微元件通过所述导引板的所述通孔从所述衬底基板转移到所述吸收基板上。


2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，
所述导引板的所述通孔两端开口大小不同，且开口较小的一端对应所述第一表面设置。


3.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述通孔在所述吸收基板上的投影面积，从靠近所述吸收基板一侧至远离所述吸收基板一侧依次增大，且所述通孔两端开口在所述吸收基板上的投影面积的比例至少为二。


4.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，
所述转移装置还包括有液体槽，所述液体槽用于盛载液体，在进行所述微元件转移时，所述第二电极板、所述导引板及所述第一电极板均位于所述液体槽中。


5.根据权利要求4所述的转移装置，其特征在于，所述液体的粘度为10-60毫帕秒，优选30毫帕秒。

【专利技术属性】
技术研发人员：孙建明，郭恩卿，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32