静电卡盘组件、静电卡盘及聚焦环制造技术

静电卡盘组件(15)具备：陶瓷体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(22a)的外周部具有位置比晶片载置面(22a)低的F/R载置面(28a)；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与晶片载置面(22a)对置的位置；F/R吸附用电极(38)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与F/R载置面(28a)对置的位置；用于积存气体的凹凸区域(29)，其设置于F/R载置面(28a)的表面；聚焦环(50)，其载置于F/R载置面(28a)；以及一对弹性环状密封材料(60)，其处于聚焦环载置面(28a)与聚焦环(50)之间且以包围凹凸区域(29)的方式配置于F/R载置面(28a)的内周侧和外周侧。

Electrostatic chuck assembly, electrostatic chuck and focusing ring

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电卡盘组件、静电卡盘及聚焦环
本专利技术涉及静电卡盘组件、静电卡盘以及聚焦环。
技术介绍
一直以来，已知等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置、等离子体灰化装置等等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置中，通常设置有用于将晶片载置于真空腔室内的晶片载置装置。晶片载置装置具备用于将实施等离子体处理的晶片吸附固定于晶片载置面的静电卡盘、以及将该静电卡盘进行冷却的冷却板。作为静电卡盘，使用内部电极埋设于绝缘体或电介质(大多为陶瓷)的静电卡盘等。这样的晶片载置装置中，在将晶片载置于晶片载置面的状态下对内部电极施加直流电压而产生静电力(库仑力或约翰逊拉别克力)，从而将晶片吸附固定于晶片载置面。而且，在该状态下，以与晶片接触的方式产生等离子体。有时在晶片载置面的外周设置能够更换的聚焦环。聚焦环载置于位置比晶片载置面低的聚焦环载置面，具有使等离子体稳定地产生至晶片的外周边缘的作用、保护静电卡盘的表面的作用。在对晶片实施等离子体处理时，不仅晶片，该聚焦环也暴露于等离子体，因此温度升高。吸附固定于静电卡盘的晶片经由静电卡盘被冷却板所冷却。然而，聚焦环有时与静电卡本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电卡盘组件，具备：/n陶瓷体，其在作为圆形表面的晶片载置面的外周部具有位置比所述晶片载置面低的聚焦环载置面；/n第1电极，其埋设于所述陶瓷体的内部中的与所述晶片载置面对置的位置；/n第2电极，其埋设于所述陶瓷体的内部中的与所述聚焦环载置面对置的位置；/n用于积存气体的凹凸区域，其设置于所述聚焦环载置面的表面；/n聚焦环，其载置于所述聚焦环载置面；以及/n一对弹性环状密封材料，其处于所述聚焦环载置面与所述聚焦环之间且以包围所述凹凸区域的方式配置于所述聚焦环载置面的内周侧和外周侧。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171106 US 62/581,9001.一种静电卡盘组件，具备：
陶瓷体，其在作为圆形表面的晶片载置面的外周部具有位置比所述晶片载置面低的聚焦环载置面；
第1电极，其埋设于所述陶瓷体的内部中的与所述晶片载置面对置的位置；
第2电极，其埋设于所述陶瓷体的内部中的与所述聚焦环载置面对置的位置；
用于积存气体的凹凸区域，其设置于所述聚焦环载置面的表面；
聚焦环，其载置于所述聚焦环载置面；以及
一对弹性环状密封材料，其处于所述聚焦环载置面与所述聚焦环之间且以包围所述凹凸区域的方式配置于所述聚焦环载置面的内周侧和外周侧。


2.根据权利要求1所述的静电卡盘组件，所述弹性环状密封材料嵌入在设置于所述聚焦环载置面和所述聚焦环的至少一者的环状槽中。

【专利技术属性】
技术研发人员：久野达也，森冈育久，相川贤一郎，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP