一种晶圆键合加压装置、晶圆键合的方法及晶圆键合设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆键合加压装置，所述晶圆键合加压装置的压头包括至少两个的子压头；每个所述子压头对待键合晶圆施加压力的区域不相同，使得在加压键合过程中，待键合晶圆的键合前沿点可逐步延伸至所述待键合晶圆的各个边缘。本发明专利技术通过将压头分成多个子压头，实现对所述待键合晶圆的不同区域的逐次加压，使得所述待键合晶圆上的键合前沿点逐渐向所述待键合晶圆的边缘延伸，不会在键合过程中在所述待键合晶圆的非边缘处形成气泡，影响成品的键合效果，不会出现某一点压力过高导致所述待键合晶圆破损的情况，提升了最终成品的良品率，降低了一定量成品所需的材料成本。本发明专利技术同时还提供了一种具有上述有益效果的晶圆键合的方法及晶圆键合设备。

A wafer bonding pressure device, a wafer bonding method and a wafer bonding device

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合加压装置、晶圆键合的方法及晶圆键合设备
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种晶圆键合加压装置、晶圆键合的方法及晶圆键合设备。
技术介绍
随着集成电路的发展，绝缘体硅(SOI)技术被业界公认为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一，是维持摩尔定律走势的一大利器。SOI材料是SOI技术发展的基础，高质量的SOI材料一直是制约SOI技术进入大规模工业生产的首要因素。近年来，随着SOI材料制备技术的不断成熟，制约SOI技术发展的材料问题正逐步被解决。SOI材料的制备技术归根结底包括两种，即以离子注入为代表的注氧隔离技术(Sepration-by-oxygenimplantation,即SIMOX)和晶圆键合技术。SIMOX技术需要高温离子注入和后续超高温退火，这种技术会对SIMOX材料有损坏。由于材料质量的稳定性没有保证，导致最终成品的良品率下降从而使得成本在增加。晶圆键合技术(WaferBonding)是利用两片镜面抛光的、干净的晶圆表面结合在一起。采用晶圆键合与减薄技术形成SOI结构时，不仅具有工艺简单、成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆键合加压装置，其特征在于，所述晶圆键合加压装置的压头包括至少两个的子压头；/n每个所述子压头对待键合晶圆施加压力的区域不相同，使得在加压键合过程中，待键合晶圆的键合前沿点可逐步延伸至所述待键合晶圆的各个边缘。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合加压装置，其特征在于，所述晶圆键合加压装置的压头包括至少两个的子压头；
每个所述子压头对待键合晶圆施加压力的区域不相同，使得在加压键合过程中，待键合晶圆的键合前沿点可逐步延伸至所述待键合晶圆的各个边缘。


2.如权利要求1所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述子压头为嵌套设置的子压头。


3.如权利要求2所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述子压头为同心子压头。


4.如权利要求3所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述同心子压头为同心空心圆柱状子压头。


5.如权利要求1至4任一条所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述子压头的数量为3至5个。


6.一种晶圆键合的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盛凯，王英辉，
申请(专利权)人：中科院微电子研究所昆山分所，
类型：发明
国别省市：江苏;32