本发明专利技术涉及微元件处理技术领域,公开了一种微元件的转移装置以及微元件的转移方法。该转移装置包括:主体以及转移头;主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口;转移头与主体连接,其内部设有吸附通道,吸附通道的第一端用于吸附微元件,其第二端与第一流体通道连通;其中,第一流体通道用于通过自流体入口至流体出口的内部流体,内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速,从而在转移头内外形成压差以吸附微元件。通过上述方式,本发明专利技术能够提高微元件的转移效率。
Transfer device and transfer method of micro element
【技术实现步骤摘要】
微元件的转移装置以及转移方法
本专利技术涉及微元件处理
,特别是涉及一种微元件的转移装置以及微元件的转移方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode,LED)是一种光电半导体元件,其具有低功耗、尺寸小亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点,作为光源被广泛应用。并且,随着LED技术的成熟,直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或MicroLED(微型发光二极管)显示器的技术也逐渐被广泛应用。其中,MicroLED显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点,其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,之后将MicroLED从最初的生长衬底上转移到电路基板上,目前MicroLED技术发展的难点之一就在于MicroLED的转移过程。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术主要解决的技术问题是提供一种微元件的转移装置以及微元件的转移方法,能够提高微元件的转移效率。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种微元件的转移装置,该转移装置包括:主体以及转移头;主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口;转移头与主体连接,其内部设有吸附通道,吸附通道的第一端用于吸附微元件,其第二端与第一流体通道连通;其中,第一流体通道用于通过自流体入口至流体出口的内部流体,内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速,从而在转移头内外形成压差以吸附微元件。为解决上述技术问题,本专利技术采用的又一个技术方案是:提供一种微元件的转移方法,该转移方法包括:将转移装置的转移头与生长基板上的微元件对准;其中,转移装置包括主体以及转移头;主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口;转移头与主体连接,其内部设有吸附通道,吸附通道的第一端用于吸附微元件,其第二端与第一流体通道连通;向第一流体通道的流体入口通入内部流体,以使转移头吸附微元件;其中,内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速,转移头内外形成有压差;将微元件转移至接收基板上对应的安装位置,停止向流体入口通入内部流体,以释放微元件。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术,本专利技术提供一种微元件的转移装置。该转移装置的第一流体通道中可通入流体,以形成自流体入口至流体出口的内部流体。由于内部流体的流速大于转移头内吸附通道的流体流速,流体间的流速差使得转移头内外形成压差,并且在该压差作用下,转移头能够吸附微元件,用于完成微元件的转移。可见,本专利技术通过控制第一流体通道中流体的流速,实现微元件的高效吸附拾取,从而提高微元件的转移效率。附图说明图1是本专利技术微元件的转移装置第一实施例的结构示意图;图2是图1所示转移装置的第一流体通道一实施例的结构示意图;图3是图1所示转移装置的第一流体通道另一实施例的结构示意图;图4是现有技术转移头吸附微元件一实施例的结构示意图;图5是现有技术转移头吸附微元件另一实施例的结构示意图;图6是图1所示转移装置吸附微元件一实施例的结构示意图;图7是本专利技术微元件的转移装置第二实施例的仰视结构示意图;图8是本专利技术微元件的转移装置第三实施例的俯视结构示意图;图9是图8所示转移装置的主体一实施例的结构示意图;图10是本专利技术微元件的转移方法一实施例的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。为解决现有技术中微元件转移效率较低的技术问题,本专利技术提供一种微元件的转移装置,该转移装置包括:主体以及转移头;主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口;转移头与主体连接,其内部设有吸附通道,吸附通道的第一端用于吸附微元件,其第二端与第一流体通道连通;其中,第一流体通道用于通过自流体入口至流体出口的内部流体,内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速,从而在转移头内外形成压差以吸附微元件。以下进行详细阐述。MicroLED显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素实现图像显示的显示器,每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素点距离从毫米级降低至微米级,MicroLED显示器和有机发光二极管显示器一样属于自发光显示器。微转移技术是目前制备MicroLED显示器的主流方法,其具体制备过程为:首先在蓝宝石基板生长出MicroLED,然后通过激光剥离技术将MicroLED从蓝宝石基板上分离,随后使用转移头将MicroLED从蓝宝石上吸附到接收基板预留的位置上,然后释放,即完成将MicroLED转移到接收基板上的工作,故而制得MicroLED显示器。目前转移头一般采用通电吸附或PDMS方式粘附进行转移,然而PDMS剥离时较难控制剥离效果,静电吸附需要对每个转移头进行导通,不仅复杂而且效果欠佳。除此之外,还可以通过控制磁流变液的状态实现MicroLED与转移头之间进行物理连接,但这种方式不仅效率低,而且容易造成磁流变液的泄漏,导致对MicroLED造成污染。在上述MicroLED的转移过程中,由于MicroLED的尺寸微小,对MicroLED的操作存在非常大的限制,因此包括上述几种转移方式在内的现有转移方法均存在转移效率较低且产品良率较低的问题。有鉴于此,本实施例提供一种微元件的转移装置,以解决现有技术中所存在包括上述MicroLED在内的微元件的转移效率较低的技术问题。请参阅图1,图1是本专利技术微元件的转移装置第一实施例的结构示意图。在本实施例中,转移装置1应用于包括MicroLED在内的微元件(以下简称微元件)的转移工作。转移装置1包括主体11以及转移头12。主体11内部中空,其内部空腔形成第一流体通道111,并且第一流体通道111的两端与外界连通,该两端即为连接第一流体通道111的流体入口112、流体出口113。其中,流体入口112用于通入流体,流体出口113用于排放流体。由于所通入的流体具备一定的流速,因此由流体入口112通入的流体会沿第一流体通道111流动至流体出口113排出。转移头12与主体11连接,其内部设置有吸附通道121。吸附通道121的第一端122用于吸附微元件,使得微元件卡设于吸附通道121内,从而使转移头12携带着微元件移动,进行微元件的转移。吸附通道121的第二端123与主体11的第一流体通道111连通,即转移头12内部的流体空间(吸附通道121)与主体11内部的空腔(第一流体通道111)连通。第一流体通道111用于通过自流体入口112至流体出口113的内部流体,即流体入口112通入的流体形成该内部流体,并沿第一流体通道111流动至流体出口113。由于第一流体通道111内不断通入流体,使得第一流体通道111内的流体始终处于流动状态,其相较于第一流体通道111外相对静止的流体而言,上述内部流体的流速要大于第一流体通道111外相对静止的流体。第一流体通道111外相对静止的流体就包括转移头12内吸附通道本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种微元件的转移装置,其特征在于,所述转移装置包括:/n主体以及转移头;/n所述主体设有第一流体通道以及连接所述第一流体通道的流体入口、流体出口;/n所述转移头与所述主体连接,其内部设有吸附通道,所述吸附通道的第一端用于吸附所述微元件,其第二端与所述第一流体通道连通;/n其中,所述第一流体通道用于通过自所述流体入口至所述流体出口的内部流体,所述内部流体的流速大于所述转移头内吸附通道处的流体流速,从而在所述转移头内外形成压差以吸附所述微元件。/n
【技术特征摘要】
1.一种微元件的转移装置,其特征在于,所述转移装置包括:
主体以及转移头;
所述主体设有第一流体通道以及连接所述第一流体通道的流体入口、流体出口;
所述转移头与所述主体连接,其内部设有吸附通道,所述吸附通道的第一端用于吸附所述微元件,其第二端与所述第一流体通道连通;
其中,所述第一流体通道用于通过自所述流体入口至所述流体出口的内部流体,所述内部流体的流速大于所述转移头内吸附通道处的流体流速,从而在所述转移头内外形成压差以吸附所述微元件。
2.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,所述第一流体通道划分有多个所述第一通道区域以及多个所述第二通道区域,所述第一通道区域与所述第二通道区域交替设置,各所述第一通道区域的所述第一流体通道部分连通一所述转移头的吸附通道。
3.根据权利要求2所述的转移装置,其特征在于,所述第一通道区域的通道竖截面面积小于所述第二通道区域的通道竖截面面积。
4.根据权利要求3所述的转移装置,其特征在于,所述第一通道区域的通道竖截面面积在越邻近连通所述吸附通道位置处越小。
5.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,所述吸附通道的第一端的端口面积大于所述第二端的端口面积。
6.根据权利要求5所述的转移装置,其特征在于,所述吸附通道的通道横截面面积自所述吸附通道的...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜明哲,郭双,
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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