将测试样品自晶圆基材分离的方法技术

本发明专利技术提供一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，包含下列步骤，先提供包含基材及其上具有多个晶体的晶圆，基材上的晶体中任选一晶体作为测试晶体，利用取样工具固定测试晶体，再利用激光轰击测试晶体的周围，使得测试晶体从基材上分离，利用取样工具自基材取出测试晶体。本发明专利技术据此方法可以在晶圆基材上完整取出测试晶体样品，并不会使基材受损害，以保持晶圆其它部分的完整性。

Method of separating test sample from wafer substrate

【技术实现步骤摘要】
将测试样品自晶圆基材分离的方法
本专利技术涉及一种取出测试样品的方法，特别涉及一种利用激光轰击方式将测试样品自晶圆基材分离的方法。
技术介绍
随着科技的进步，集成电路(IntegratedCircuit，IC)是一种利用电路小型化的方式，制造在半导体晶圆表面，晶圆(Wafer)是一种硅芯片，因为形状通常为圆形，所以泛指为晶圆，其是生产集成电路的载体基材，具有许多依照直径区分的规格，例如6英寸、8英寸、12甚或是14英寸以上，越大的晶圆可以生产越多的集成电路，以降低生产成本。然而，生产晶圆的过程中，良率是一种非常重要的因素，一般而言，晶圆制作完成后，为了测试晶圆在经过许多道工艺后，是否如当初设计的正确性，因此会从晶圆中取出一片样品，作为取样测试的测试样品，以确定晶圆中其它成品的良率。通常，测试样品制作而成的晶圆，会因为切割的技术取出测试样品，必须要透过切穿晶圆的方式，也正因如此，会使晶圆因为被切穿而无法继续后面工艺程序，使得无法验证出前后工艺相互间的关联性，同时失去了测试晶圆完成制作的可能性。并且，在测试样品与晶圆分离的过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一种晶圆，所述晶圆包含有基材；所述基材上具有多个晶体；/n从所述基材上的所述多个晶体中任选一所述晶体作为测试晶体；/n利用取样工具固定所述测试晶体；/n利用激光以炸裂方式轰击所述测试晶体的周围，使所述测试晶体与所述基材的连接处炸裂，并从所述基材上分离；以及利用所述取样工具从所述基材取出所述测试晶体。/n

【技术特征摘要】
20181018 TW 1071366331.一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一种晶圆，所述晶圆包含有基材；所述基材上具有多个晶体；
从所述基材上的所述多个晶体中任选一所述晶体作为测试晶体；
利用取样工具固定所述测试晶体；
利用激光以炸裂方式轰击所述测试晶体的周围，使所述测试晶体与所述基材的连接处炸裂，并从所述基材上分离；以及利用所述取样工具从所述基材取出所述测试晶体。


2.如权利要求1所述的将测试样品自晶圆基材分离的方法，其特征在于，所述激光为波长355纳米、频率50千赫兹、功率12瓦特的激光。


3.如权利要求1所述的将测试样品自晶圆基材分离的方法，其特征在于，所述取样工具为真空、...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铭钦，刘峰，
申请(专利权)人：苏州工业园区雨竹半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32