将测试样品自晶圆基材分离的方法技术

本发明专利技术提供一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，包含下列步骤，先提供包含基材及其上具有多个晶体的晶圆，基材上的晶体中任选一晶体作为测试晶体，利用取样工具固定测试晶体，再利用激光轰击测试晶体的周围，使得测试晶体从基材上分离，利用取样工具自基材取出测试晶体。本发明专利技术据此方法可以在晶圆基材上完整取出测试晶体样品，并不会使基材受损害，以保持晶圆其它部分的完整性。

Method of separating test sample from wafer substrate

【技术实现步骤摘要】
将测试样品自晶圆基材分离的方法
本专利技术涉及一种取出测试样品的方法，特别涉及一种利用激光轰击方式将测试样品自晶圆基材分离的方法。
技术介绍
随着科技的进步，集成电路(IntegratedCircuit，IC)是一种利用电路小型化的方式，制造在半导体晶圆表面，晶圆(Wafer)是一种硅芯片，因为形状通常为圆形，所以泛指为晶圆，其是生产集成电路的载体基材，具有许多依照直径区分的规格，例如6英寸、8英寸、12甚或是14英寸以上，越大的晶圆可以生产越多的集成电路，以降低生产成本。然而，生产晶圆的过程中，良率是一种非常重要的因素，一般而言，晶圆制作完成后，为了测试晶圆在经过许多道工艺后，是否如当初设计的正确性，因此会从晶圆中取出一片样品，作为取样测试的测试样品，以确定晶圆中其它成品的良率。通常，测试样品制作而成的晶圆，会因为切割的技术取出测试样品，必须要透过切穿晶圆的方式，也正因如此，会使晶圆因为被切穿而无法继续后面工艺程序，使得无法验证出前后工艺相互间的关联性，同时失去了测试晶圆完成制作的可能性。并且，在测试样品与晶圆分离的过程中，会随着分离方式的不同，无法预期测试样品分离后的位置，甚至因为破坏性较强的分离作法，产生的碎片可能会与测试样品产生混淆，使用者需要花费多余的时间搜寻及确认测试样品。如此一来，除了不能确保测试样品的代表性外，更无法有效率地持续产出测试样品提供研究。
技术实现思路
有鉴于一般于晶圆基材中取出测试样品的困扰，本专利技术提出一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，以获得工艺研究的完整性，并且实现测试晶圆之再利用。本专利技术的主要目的在提供一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，利用激光轰击的方式，使得测试晶体与底部的晶圆基材自然分离、完整脱落，并且不会伤害到测试晶体周围，并且也不会使晶圆基材产生破损或是碎裂的情况，并使剩下的晶圆可以继续后续的工艺。本专利技术的另一目的在于提供一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，利用取样工具固定测试晶体，可以避免分离后的测试晶体，因为轰击的关系，击飞或弹飞到远处。为了达成上述的目的，本专利技术提供一种将测试样品自晶圆基材分离的方法。首先，提供一种晶圆，包含有基材及其上具有多个晶体，在基材上的晶体中任选一晶体作为测试晶体，利用取样工具固定测试晶体，利用激光轰击测试晶体周围，以使测试晶体自基材上分离，利用取样工具自基材取出测试晶体。在本专利技术中，激光以炸裂方式，轰击测试晶体周围，以使测试晶体与基材连接处炸裂，激光为波长355纳米、频率50千赫兹、功率12瓦特的激光。在本专利技术中，取样工具可为真空、静电或胶合之夹具或吸盘。在本专利技术中，晶体周围还设有切割道，激光轰击是轰击在测试晶体的切割道上，切割道围绕在晶体周围的长或宽为100～2000微米，晶体的长或宽为5～500微米。在本专利技术中，取样工具可以吸附、贴附或夹持的方式固定在测试晶体表面或侧面。底下基于具体实施例配合说明书附图详加说明，使得更容易了解本专利技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达到的功效。与现有技术相比，本专利技术其中一个实施例的有益效果为：本专利技术在既有的晶圆工艺中，使用激光的特殊应用方法，在晶圆表面形成的切割道进行轰击，以使任一晶体样品皆可作为测试晶体，并且分离后的晶体也不会伤害到晶圆基材，使得晶圆可以进行后续的工艺，以达成本专利技术兼具有效测试晶圆晶体并且又不伤害晶圆基材的优点。附图说明图1为本专利技术所应用的晶圆的示意图。图2为本专利技术的步骤流程图。图3a～图3e为执行本专利技术将测试样品自晶圆基材分离的方法的各步骤的示意图。图4a及图4b为本专利技术中使用取样工具的实施例示意图。图5a、图6a及图7a为本专利技术中测试晶体与切割道的立体示意图。图5b、图6b及图7b为本专利技术中测试晶体与切割道的俯视示意图。附图标记说明：10晶圆102基材104晶体106测试晶体108切割道14取样制具L激光具体实施方式以下通过具体的实施例进一步说明本专利技术的技术方案，具体实施例不代表对本专利技术保护范围的限制。其他人根据本专利技术理念所做出的一些非本质的修改和调整仍属于本专利技术的保护范围。首先，请参照本专利技术图1所示，本专利技术将测试样品自晶圆基材分离的方法主要是应用在一个已经过多道半导体工艺后的晶圆10，目的是为了测试晶圆10上具有的多个晶体104，是否在经过这些半导体工艺后，保持有正确性或是优异的良率。因此，为了能够让使用者可以进行测试，同时请参照本专利技术图2及图3a～图3e所示。首先，如步骤S10所示，并请同时参照图3a，提供一晶圆10包含有一基材102及其上具有多个晶体104，在本实施例中，晶体104的长或宽为5～500微米(μm)，晶体104可为晶粒(Die)或芯片(Chip)，本实施例是以晶粒为例进行说明。如步骤S12所示，并请同时参照图3b，在基材102上的多个晶体104中，任选一晶体104作为测试晶体106，图3b中的测试晶体106为本专利技术的实施例说明，本专利技术不以此位置的测试晶体106为限制，用户可以任意选择要测试的晶体104作为测试晶体106。如步骤S14，并请同时参照图3c，利用取样工具14固定测试晶体106，在本专利技术中，取样工具14可为真空、静电或胶合之夹具或吸盘，例如，本专利技术的取样工具14可以吸附、贴附或夹持的方式，固定在测试晶体106的表面或侧面，如本专利技术图4a或图4b所示，但本专利技术不以此些实施例为专利技术的限制。承接上段，当利用取样工具14固定测试晶体106后，如步骤S16所示，并请同时参照图3d，利用激光L轰击测试晶体106周围，在本实施例中，晶圆10在设置多个晶体104时，会于晶体104的周围设置有切割道108，方便后续工艺进行晶体104的切割，被选定的测试晶体106周围也会具有切割道108，因此，在本实施例中是利用激光L轰击测试晶体106周围的切割道108，本实施例的切割道108围绕在晶体104周围的长或宽为100～2000微米(μm)，本专利技术不限制晶体104与切割道108的形状及样式，例如可以如图5a、图5b或图6a、图6b图或图7a、图7b所示，本实施例先以图5a及图5b为例说明，并且本实施例的激光L为波长355纳米(nm)、频率50千赫兹(kHz)、功率12瓦特(w)的激光，使得激光L以炸裂方式轰击测试晶体106的周围切割道108，利用平行切割道面108的激光L的能量作用，以使沿着测试晶体106与基材102的连接处被炸裂，此时测试晶体106会与基材102的连接处产生裂痕，持续使用激光L轰击切割道108，直到造成测试晶体106自基材102上分离为止，期间依不同材质持续轰击时间约莫10秒钟能使得测试晶体与基材分离。本专利技术不限制激光L的规格，可以看用户设计而定，并且可以逐渐调整及加大激光L的功率，例如逐渐从0升至12瓦特，然而本专利技术上述所订定的激光L标准可精准炸裂测试晶体106。如步骤S18所示，并请同时参照图3e，当测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一种晶圆，所述晶圆包含有基材；所述基材上具有多个晶体；/n从所述基材上的所述多个晶体中任选一所述晶体作为测试晶体；/n利用取样工具固定所述测试晶体；/n利用激光以炸裂方式轰击所述测试晶体的周围，使所述测试晶体与所述基材的连接处炸裂，并从所述基材上分离；以及利用所述取样工具从所述基材取出所述测试晶体。/n

【技术特征摘要】
20181018 TW 1071366331.一种将测试样品自晶圆基材分离的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一种晶圆，所述晶圆包含有基材；所述基材上具有多个晶体；
从所述基材上的所述多个晶体中任选一所述晶体作为测试晶体；
利用取样工具固定所述测试晶体；
利用激光以炸裂方式轰击所述测试晶体的周围，使所述测试晶体与所述基材的连接处炸裂，并从所述基材上分离；以及利用所述取样工具从所述基材取出所述测试晶体。


2.如权利要求1所述的将测试样品自晶圆基材分离的方法，其特征在于，所述激光为波长355纳米、频率50千赫兹、功率12瓦特的激光。


3.如权利要求1所述的将测试样品自晶圆基材分离的方法，其特征在于，所述取样工具为真空、...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铭钦，刘峰，
申请(专利权)人：苏州工业园区雨竹半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32