一种MOM电容及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种MOM电容及其制作方法，所述MOM电容包括：位于半导体衬底上的介质层；位于所述介质层中的多个金属层；连接所述半导体衬底与近邻金属层的通孔导线层；近邻所述半导体衬底的金属层设置有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极呈指状结构且相对交错排布；所述通孔导线层包括第一导线层和第二导线层，所述第一导线层与所述第一电极对应连接，所述第二导线层与所述第二电极对应连接。本发明专利技术提供的MOM电容，在不改变MOM电容面积的前提下，有效地提高了MOM电容的电容值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种MOM电容及其制作方法。
技术介绍
在半导体集成电路中，与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用。有两种常见的电容制作方法:一是制作平板电容；二是利用后道金属线来制作侧向电容，8卩皿麗(!116丨31-(?1(16-1]16丨31，金属-氧化物-金属)电容。制作平板电容一般需要新增光刻层次，同时电容介质层击穿电压与电容大小是无法调和的矛盾量，而且平板电容一般都需要较大的面积，不利于器件的集成。而侧向电容是指采用指状结构和叠层相结合的方法可以在相对较小的面积上制作容量更大的电容。此外，在制作侧向MOM电容时，无需额外的光刻胶层和掩模，从而制作工艺相对更简单，成本更低。但是，由于受到金属线间距离的限制，此现有技术中的侧向MOM电容无法做大，且稳定度较差。随着器件小型化的发展，如何在不增加器件体积的前提下，进一步增加MOM电容的电容值以及稳定度就成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提供了一种MOM电容及其制作方法，以进一步增加MOM电容的电容值以及稳走度。第一方面，本专利技术实施例提供了一种MOM电容，所述MOM电容包括:位于半导体衬底上的介质层；位于所述介质层中的多个金属层；连接所述半导体衬底与近邻金属层的通孔导线层；近邻所述半导体衬底的金属层设置有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极呈指状结构且相对交错排布;所述通孔导线层包括第一导线层和第二导线层，所述第一导线层与所述第一电极对应连接，所述第二导线层与所述第二电极对应连接。进一步地，所述MOM电容还包括:连接相邻所述金属层的通孔导线层;每个金属层设置有第一电极和第二电极，同一金属层中的所述第一电极和所述第二电极呈指状结构且相对交错排布;每个通孔导线层包括第一导线层和第二导线层，所述第一导线层与对应的所述第一电极连接，所述第二导线层与对应的所述第二电极连接。优选的，连接所述半导体衬底与近邻金属层的所述通孔导线层上的所述第一导线层，和/或，连接相邻所述金属层的所述通孔导线层上的所述第一导线层与对应连接的所述第一电极的形状相同；连接所述半导体衬底与近邻金属层的所述通孔导线层上的所述第二导线层，和/或，连接相邻所述金属层的所述通孔导线层上的所述第二导线层与对应连接的所述第二电极的形状相同。进一步地，所述MOM电容还包括:在所述第一电极和所述第二电极上分别设置的引出端子。示例性的，所述第一电极和所述第二电极的材料为铝、铝合金、铜和铜合金中的任意一种;所述第一导线层和所述第二导线层的材料为钨、铜、铝和铝合金中的任意一种。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种MOM电容的制作方法，该方法包括:在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层中形成多个金属层；所述半导体衬底与近邻金属层之间设置有通孔导线层；近邻所述半导体衬底的金属层设置有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极呈指状结构且相对交错排布;所述通孔导线层设置有第一导线层和第二导线层，所述第一导线层与所述第一电极对应连接，所述第二导线层与所述第二电极对应连接。进一步地，所述方法还包括:相邻所述金属层之间设置有通孔导线层;每个金属层设置有第一电极和第二电极，同一金属层中的所述第一电极和所述第二电极呈指状结构且相对交错排布;每个通孔导线层包括第一导线层和第二导线层，所述第一导线层与对应的所述第一电极连接，所述第二导线层与对应的所述第二电极连接。优选的，连接所述半导体衬底与近邻金属层的所述通孔导线层上的所述第一导线层，和/或，连接相邻所述金属层的所述通孔导线层上的所述第一导线层与对应连接的所述第一电极的形状相同；连接所述半导体衬底与近邻金属层的所述通孔导线层上的所述第二导线层，和/或，连接相邻所述金属层的所述通孔导线层上的所述第二导线层与对应连接的所述第二电极的形状相同。进一步地，所述方法还包括:在所述第一电极和所述第二电极上分别设置引出端子。本专利技术提供的MOM电容，包括位于半导体衬底上的介质层、位于所述介质层中的多个金属层、连接所述半导体衬底与近邻金属层的通孔导线层，在近邻所述半导体衬底的金属层上设置的第一电极和第二电极，且所述第一电极和所述第二电极呈指状结构且相对交错排布，在所述通孔导线层设置的第一导线层和第二导线层，且所述第一导线层与所述第一电极对应连接，所述第二导线层与所述第二电极对应连接，因此，通过在通孔导线层设置与近邻的第一电极和第二电极一一对应的第一导线层和第二导线层，且所述第一导线层与所述第一电极对应连接，所述第二导线层与所述第二电极对应连接，增加了整个MOM电容中极板的面积，在不改变MOM电容面积的前提下，有效地提高了 MOM电容的电容值。【附图说明】图1是本专利技术实施例一提供的一种MOM电容的俯视结构不意图；图2是本专利技术实施例一提供的沿图1中的BB方向得到的剖视结构示意图；图3是本专利技术实施例一提供的一种MOM电容的剖视结构示意图；图4是本专利技术实施例二提供的一种MOM电容的俯视结构示意图；图5是本专利技术实施例二提供的沿图4中的BB方向得到的剖视结构示意图；图6是本专利技术实施例二提供的一种MOM电容的剖视结构示意图；图7是本专利技术实施例三提供的一种MOM电容的俯视结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种MOM电容的俯视结构示意图，图2为沿图1中的BB方向的剖视结构示意图，结合图1和图2，所述MOM电容具体包括:位于半导体衬底600上的介质层100;位于介质层100中的多个金属层700(本实施例中的图2示例性的只表示出了一个金属层700)；连接半导体衬底600与近邻金属层700的通孔导线层800;近邻半导体衬底600的金属层700设置有第一电极200和第二电极300，第一电极200呈指状结构，第二电极300呈指状结构、且第一电极200的指状结构和第二电极300的指状结构相对交错排布;通孔导线层800包括第一导线层400和第二导线层500，第一导线层400与第一电极200对应连接，第二导线层500与第二电极300对应连接。其中，在本实施例中示例性的设置第一导线层400和第二当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOM电容，其特征在于，包括：位于半导体衬底上的介质层；位于所述介质层中的多个金属层；连接所述半导体衬底与近邻金属层的通孔导线层；近邻所述半导体衬底的金属层设置有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极呈指状结构且相对交错排布；所述通孔导线层包括第一导线层和第二导线层，所述第一导线层与所述第一电极对应连接，所述第二导线层与所述第二电极对应连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗啸，舒清明，
申请(专利权)人：上海格易电子有限公司，北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31