半导体封装装置制造方法及图纸

本申请提出了一种半导体封装装置，包括：电子元件和位于所述电子元件上方的导电层；所述导电层包括：讯号线路层；图案化导热层，被配置成将所述电子元件产生的热传导至装置外部；其中，所述图案化导热层相较于所述讯号线路层更靠近所述电子元件。本申请通过在电子元件上方的导电层内设置图案化导热层，将电子元件产生的热传导至装置外部，由于图案化导热层设置在导电层内，且相较于导电层内的讯号线路层更靠近电子元件，因此，能取得较佳的散热效果，相较于直接在电子元件上设置导热结构降低了制程难度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体封装，具体涉及一种半导体封装装置。

技术介绍

1、5g手机的处理器大部分以pop(package on package，叠层封装)结构完成封装。pop结构包括hbpop(high bandwidth package on package，高带宽叠层封装)和fopop(fanout package on package，扇出型叠层封装)等。

2、随着高端产品的封装需求增加，散热问题愈加严峻。目前hbpop结构中，ap(applicat ion processor，应用处理器)芯片贴装在基板上，会由模封材料(moldcompound)封装起来，而基板材料和模封材料导热系数偏低，因此散热效率不高，会导致过热，致使产品性能降低。

3、为了提高散热性能，一些pop结构的产品会在ap芯片上设置导热结构，导热结构包括连接于ap芯片的焊垫(pad)和连接于焊垫的焊料(solder)。但是，直接在ap芯片上额外设置导热结构会增加制程难度。

技术实现思路

1、本申请提出了一种半导体封装装置，用于解决pop封装结构中在ap芯片上设置导热结构会增加制程难度的技术问题。

2、本申请提出的一种半导体封装装置，包括：电子元件和位于所述电子元件上方的导电层；所述导电层包括：讯号线路层；图案化导热层，被配置成将所述电子元件产生的热传导至装置外部；其中，所述图案化导热层相较于所述讯号线路层更靠近所述电子元件。

3、在一些可选的实施方式中，所述图案化导热层露出于所述导电层下表面，且所述图案化导热层的宽度大于或等于所述电子元件的宽度。

4、在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：底层基板，位于所述电子元件下方，以承载所述电子元件；电连接件，位于所述电子元件至少一侧，电连接所述导电层和所述底层基板；其中，所述图案化导热层的边缘相较于所述电子元件更靠近所述电连接件。

5、在一些可选的实施方式中，所述图案化导热层包括位于所述电子元件正上方、在俯视方向上覆盖所述电子元件的导热金属面。

6、在一些可选的实施方式中，所述导热金属面的底面包括多个凸部。

7、在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：模封材，位于所述导电层下方，包覆所述电子元件；其中，所述凸部延伸至所述模封材内。

8、在一些可选的实施方式中，所述凸部接触所述电子元件。

9、在一些可选的实施方式中，所述导电层还包括连接所述图案化导热层的多个导热通孔，所述导热通孔穿过所述讯号线路层。

10、在一些可选的实施方式中，所述导电层还包括：位于所述导热通孔外侧的多个讯号通孔，所述导热通孔的分布密度大于所述讯号通孔。

11、在一些可选的实施方式中，所述导热通孔的直径小于所述讯号通孔。

12、在一些可选的实施方式中，所述导电层还包括位于所述讯号线路层上方、露出于所述导电层上表面的图案化散热层，所述图案化散热层连接所述导热通孔。

13、在一些可选的实施方式中，所述导电层的上表面和下表面分别具有阻焊层，所述阻焊层具有暴露出所述图案化导热层和所述图案化散热层的开口。

14、为了解决pop封装结构中在ap芯片上额外设置导热结构会增加制程难度的技术问题，本申请提出了一种半导体封装装置，通过在电子元件上方的导电层内设置图案化导热层，将电子元件产生的热传导至装置外部，由于图案化导热层设置在导电层内，且相较于导电层内的讯号线路层更靠近电子元件，因此，能取得较佳的散热效果，相较于直接在电子元件上设置导热结构降低了制程难度。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述图案化导热层露出于所述导电层下表面，且所述图案化导热层的宽度大于或等于所述电子元件的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述图案化导热层包括位于所述电子元件正上方、在俯视方向上覆盖所述电子元件的导热金属面。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导热金属面的底面包括多个凸部。

6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其特征在于，所述凸部接触所述电子元件。

8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导电层还包括连接所述图案化导热层的多个导热通孔，所述导热通孔穿过所述讯号线路层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导电层还包括：位于所述导热通孔外侧的多个讯号通孔，所述导热通孔的分布密度大于所述讯号通孔。

10.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导热通孔的直径小于所述讯号通孔。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述图案化导热层露出于所述导电层下表面，且所述图案化导热层的宽度大于或等于所述电子元件的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述图案化导热层包括位于所述电子元件正上方、在俯视方向上覆盖所述电子元件的导热金属面。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导热金属面的底面包括多个凸部。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：林正蓝，廖国成，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：