改进的集成电路接地屏蔽结构制造技术

本发明专利技术内容提供了集成电路(IC)器件。IC器件包括包含电子元件的第一管芯。IC器件包括包含接地屏蔽结构的第二管芯。IC器件包括设置在第一管芯和第二管芯之间的层。该层将第一管芯和第二关系连接在一起。本发明专利技术内容还涉及微电子器件。微电子器件包括包含多个第一互连层的第一管芯。电感器线圈结构设置在第一互连层的子集中。微电子器件包括包含多个第二互连层的第二管芯。图案化接地屏蔽(PGS)结构设置在第二互连层的子集中。微电子器件包括设置在第一管芯和第二管芯之间的底部填充层。底部填充层包含一个或多个微凸块。本发明专利技术还提供了改进的集成电路接地屏蔽结构。

【技术实现步骤摘要】
改进的集成电路接地屏蔽结构
本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及集成电路器件。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步已经产生了多个IC时代，其中，每一代都比前一代具有更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且对于这些将要实现的进步，需要IC处理和制造的类似开发。在集成电路演进的过程中，功能密度(即，单位芯片面积上的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小元件(或线))减小。这种工艺可以被称为缩小工艺。可以在IC芯片上形成各种有源或无源电子元件。例如，可以在IC芯片上形成电感器、电阻器、电容器、晶体管等。还可以在IC芯片上实施屏蔽结构以提供用于诸如电感器的器件隔离，从而减小噪声和干扰的不利影响(尤其在高频下)。然而，传统的屏蔽结构仍然会导致不期望的寄生电容，这会降低诸如电感器的器件的质量因数，并且导致其性能劣化。此外，寄生电容问题会随着缩小工艺的继续而变得恶化。因此，虽然现有IC上的屏蔽结构通常足以达到其预期目的，但这些屏蔽结构不能在每一方面都完全满足要求。专利
技术实现思路
为了解决现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一管芯，包含电子元件；第二管芯，包含接地屏蔽结构；以及设置在所述第一管芯和所述第二管芯之间的层，其中，所述层将所述第一管芯和所述第二管芯连接在一起。

【技术特征摘要】
2011.12.07 US 13/313,2401.一种微电子装置，包括：第一管芯，包含电子元件；第二管芯，包含接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括：第一部分和第二部分并且所述第一部分和所述第二部分形成在不同的层中，其中，所述第一部分和所述第二部分都具有弯曲形状，以及自顶部向下看时，所述第一部分和所述第二部分被定位为相互偏移；以及设置在所述第一管芯和所述第二管芯之间的第一层，其中，所述第一层将所述第一管芯和所述第二管芯连接在一起，其中，所述电子元件为电感器线圈。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：所述电子元件和所述接地屏蔽结构都包含导电材料。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中，所述第一管芯和所述第二管芯都包括硅衬底或插入式衬底。4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中，所述插入式衬底包括：介电材料、高阻抗材料、或玻璃材料。5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中，所述第一层包括底部填充材料。6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中，所述第一层的厚度为至少十微米。7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中，所述第一层包含一个或多个微凸块。8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的至少一个包含：一个或多个伪金属器件。9.一种微电子器件，包括：电感器线圈，形成在第一管芯中；图案化接地屏蔽(PGS)器件，形成在与所述第一管芯分离的第二管芯中，其中，所述图案化接地屏蔽器件包含第一伸长的绕组部分和第二伸长的绕组部分，所述第一伸长的绕组部分和所述第二伸长的绕组部分形成在两个独立的金属层中，自顶部向下看时，所述第一伸长的绕组部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：林佑霖，颜孝璁，陈和祥，周淳朴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：